НИЗКООМНЫЙ РЕЗИСТОР Советский патент 1972 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU341094A1

Извастны 1ниэкоам:ные .резисторы объемного THina я а оси о-ве сажи, которая йпрает роль то1К01прю)водя|щей фазы. В качестве связующей фаэы IB 1НИХ При|меняе1тся свлнкатно-боро-юви.нцовое (стбклю.

Однако тЯКИе резисторы 1мал01теоло;стой(Кие (до 160°С), сраянительнонавлагостойКие (относительное .измейейие величины соорютивлеНИЯ в процентах за, 100 час у1влаж не1ния прл стносительйной влажности- 95-98% и температуре 40°С достигает 7%), нмеют значительную величину ТКС (до - 15-10-град -).

Цель изобре|Те1ВИ1Я - ло вышани,е тер1мостойкости (И влагостойкости резистора и расширение д.И1а|пазояа сопротивлений.

Это достигается тем, что в качестве ооно1вы резистора иапользован барид :коба1льта, И€Х|ОДные 1ко;м поненты1 которого взяты в следующих соот1Ноше:ниях, вес. %:

Кобальт91,1-91,6

Бор8,4- 8,9

Резистор изготовлен в габаритах СПО-0,5 вт методом горячего прессования при 900°С iB слабо восстановительной среде. Связующим веществом слул ;ит Высокобар|Иевое силикатно-;боро-бариеБое стекло состав стекла, вес. %: SiO2(4-20), В20з(8-20), ВаО(60-78); Al2Oa(7-12) с добавлавди, моПрименение Со2В IB качестве резистивного

материала у|Величи1вает устойчивость рездастоPOIB ,к |ВОЗдейст1В,И1Ю 1Высо1К.И|Х температур (до

300°С) без заметного пзм&н&кл1 я сопротищле.йия.

Стабильность полученных резисторов по сравнению с выпускаемыми промышленностью значите л ьно1 возросла, особенно нри BbicoiKHX температурах.

Отюоситешыная нестабильность: коэффициенты увлажнения в элактростарения составляют менее 1,0-3,0%. Те1мпаратурнын коэффициент электросопрО)ТИ1Влени.я не превышает 1 10-град-. Диапазон номинальных вел.ичин электросопротивления составляет 0,02- 0,5 ом.

Предмет изобретения

20

1.Ниэкоомный резистор объе.мношо типа, содержащий токопроводящую фазу на основе боридов и сте,клоовя131ку, отличающийся тем, что, с целью повышения терМОстойкОсти

и :влагосто|йкости резистора и. расширения диапазона сопротивления, в качестве борида использован борид 1коба|льта1.

2.Рез истор по п. 1, отличающийся тем, что исходные компоненты борида кобальта взя

Похожие патенты SU341094A1

название год авторы номер документа
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
SU313225A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ОБЪЕМНОГО ТИПА 1971
  • Л. Г. Власов, В. Т. Павлов, Г. Г. Рудовол, Н. Павлушкин, А. С. Агарков Р. А. Болдырев
SU317113A1
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ 1971
SU319000A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
  • Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Т. Я. Косолапова, Ю. П. Юсов,
  • Л. Власов, В. Т. Павлов Г. Г. Рудовол
SU313227A1
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1972
SU434485A1
РЕЗИСТИВНЬШ МАТЕРИАЛI 1 • к .; .,^taeaaCfoifLv •ч-,-, i.. 1972
  • Ю. П. Юсов, Л. Г. Власов, Г. Г. Рудовол, В. Т. Павлов, Г. В. Самсонов,
  • Т. В. Дубовик Т. Г. Куценок
SU347809A1
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1972
SU347812A1
Резистивный материал 1979
  • Баткова Валентина Семеновна
  • Гандельсман Иосиф Львович
SU871230A1
Стекло 1979
  • Шахмурадян Грачик Тигранович
  • Костанян Костан Артаваздович
  • Афанасьев Анатолий Алексеевич
  • Демин Олег Николаевич
SU885164A1
АМОРФНЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ 2007
  • Фармаковский Борис Владимирович
  • Сомкова Екатерина Александровна
  • Юрков Максим Анатольевич
  • Точенюк Дарья Александровна
  • Быстров Руслан Юрьевич
  • Семёнов Александр Сергеевич
RU2351672C2

Реферат патента 1972 года НИЗКООМНЫЙ РЕЗИСТОР

Формула изобретения SU 341 094 A1

SU 341 094 A1

Даты

1972-01-01Публикация