СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК Советский патент 1972 года по МПК C23C14/02 

ИзябретенИе отнасится к технологии нанесения покрытий в вакууме, IB частности к CIHOообам ОЧИСТКИ: подлюжек перед .нанесением оокрытий.

Известен Опособ ачи1СТки подложек, включаюЩий O6pai6oTiKy поиерхностя Водой. Однако этот способ требует проведения большаго ом1пле:кса олеращий по очистке, одной из ког торых является лромьивка водой.

Предложенный опоюоб упрощает процесс очистки подложек. Это достигается тем, что на очищаемую поверхность предварительно наиосят путем испарения и кондевса ции в вакууме СЛОЙ вещества., растворимот,о в в(0де.

Опооаб за1клк ч,ается в следующем.

Очистку подложек перед нанесением сокрытий в вакууме осуществляют нанесением на noBiepxiHOCTb слоя .вещества, растворимдао в воде, 1C последующим удалением его лри об-pai6ofr«e по верхнасти водой. Слой вещества, раст1Б10|рим10го IB воде, наиосят на ;по1верх1ностъ испарением и последуЮ1щей коеденсацией в вакууме.

М|ое количество -пюпаряемога 1Вещест1ва рассчитывают до фОрмуле:

р COS

где Р - навеска испаряемого вещества; R - расстояние до подложки от испарителя; р - 1плотность испаряемого вещбст1ва1; а - угол наклона илоокости подложки к направлению молекулярного пучка; d - толщина конденсируемого слоя.

Конденсат вместе с за1гряз1неяием смывают с ПОверХНости водой, которая после просушки -Г|0.т:01ва к напылению тонкоп лен очных покрытий. ТОЛщину наносимого слоя варьируют в аависЕмости. от степени и характера загрязнений поверхности. Так, например, при загрязнении поверхности жировыми ОТ1печа1Т1ка:ми пальцев и .масляными ,пят1нами незначительной ТОЛЩ.ИНЫ, толщина пленки КгСОз должна

сортавлять 600-800 А. При загряз.нении подложки техническим вазелином толщи1ной 0,6- 0,8 мм необходимо наносить .планку толщиной 3 Предмет изо-бретения Опясоб очистки подложек перед .напылеНием покрытий в вакууме, включающий обработ1ку ловерхности йодой, отличающийся тем, 5 4 что, с целью упрощения пр оцесса, на очищаемую лаверхность предварителыно .наносят оутем иопаре1ния и конденсации в вакуупме слой вещества, раст1ВОрим10го в воде.