ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО Советский патент 1973 года по МПК H05K1/00 

Изобретение относится к технологии изготовления компонентов радиоаппаратуры и может быть использовано в логических системах и в устройствах накопления информации.

Известно полупроводниковое устройство, содержащее матрицу на диодах, выполненную на основе кремния, в которой контактные площадки диодов выполнены из алюминия, золота или никеля, а соединение диодов с матрицей производится с помощью плавких соединителей. В таком устройстве для отсоединения диодов от матрицы требуется значительное напряжение, что может привести к выходу из строя других элементов матрицы.

Целью изобретения является уменьшение напряжения электрических токов, необходимых для отсоединения диодов от матрицы. Это достигается тем, что между контактными площадками и выводами диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного кремния.

На чертеже изображено предлагаемое полупроводниковое устройство, вид сверху и разрез по А-А. Оно содержит подложку /, которая в зависимости от назначения устройства может быть изготовлена из металла, диэлектрика или полупроводника. Одна сторона подложки плоская, а на другой расположены параллельные полосы 2, образующие матрицу, выполненную на основе кремния п-типа проводимости. Полосы 2, по периметру которых расположен изолирующий слой 3, например, двуокиси

кремния или азотистого кремния, имеют расщиренные участки 4, к последним присоединены микровыводы 5. Матрица содерл ит диоды 6, расположенные в ряды и колонки. Полупроводниковые пластинки 7 диодов 6 имеют присадки до проводимости р-тппа. Каждый ряд диодов матрицы снабжен одним общим выводом 8, который в местах присоединения микровывода 9 имеет расщиренную площадку 10. Присоединение диодов 6 к выводам 8 осуществляется через промежуточные соединители /7, выполненные из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного кремния, и присоединенные к контактным площадкам 12 диодов, выполненным из алюминия, золота или никеля. Площадки W образуют связующие прокладки 13, каждая из которых содержит слой 14 из кремния, изолирующий слой 15 из того же материала что и слой 3, и металлический с-той 16.

Предмет изобретений

Полупроводниковое устройство, содержащее

матрицу на диодах, выполненную на основе

кремния, в которой контактные площадки диодов выполнены из алюминия, золота или никеля, отличающееся тем, что, с целью уменьшения напряжения электрических токов, необходимых для отсоединения диодов от матрицы, . между контактными площадками и выводами

диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного кремния.

Zt, -5

:ЖУ