1
Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к технологии изготовления приборов электронной техники и может быть -ирименено при изготовлении фотошаблонов с микронными и субмикронными размерами.
Известен способ избирательного травления плеаОК хрома, заключающийся в том, что пленку хрома, нанесенную на какую-либо стойкую в травителе подлож-ку (стекло, кварц), подвергают обработке в растворе соляноИ кислоты в контакте с металлом, активирующим процесс травления. Б качестве так1их металлов применяют цинк или алюминий в виде стержня, который контактирует с пленкой хрома. Однако известный спосоо не позволяет применять для формирования рисунка ллеаок хрома фоторезисты с низкой кислотостойкостью и, кроме того, приводит к большо1му растравливанию краев пленки хрома.
Цель изобретения -обеспечение возможности использования фоторезистов различной кислотостойкости и уменьшение растравливания краев пленки.
Для этого по предлагаемому способу в качестве добавки введен водный раствор полиамфолита при следуюш.ем содержании исходных компонентов, г:
Соляная кислота концентри рованная)115U-1190
Иолиамфолит5-50
Водао-50
Предлагаемый спосОб осуш.ествляют следующим ооразом.
Подложку с хромовой пленкой, па которую нанесен защитный рисунок фоторезиста, ногрулч.ают в раствор, содерл ащий наэ г соляной концентрированной (dU-о) кислоты, 2U г полиамфолита и 20 г воды, и приводят алюминиевый или цинковый стержень в соприкосновение с незащищенным фоторезистом участком хромовой лленки. Ио истечении о-Ь сек, стержень убирают, а пластину выдерживают в растворе до полного стравливания хрома.
Процесс травления протекает равномерно и поддается регулировке путем изменения концентрации кислоты и добавки.
Спосоо предусматривает использование раз личных разновидностей полиамфолитов: сополимера акриловой кислоты с р-аминоэтилакрилатом; сополимера акриловой кислоты с 2,5-метилвинилпиридином; осмола, образующегося при дегидратации этиленциангидрина при производстве акрилопитрила.
Предлагаемый способ позволяет при изготовлении хромового микрорельефа расширить номенклатуру применяемых фоторезистов, непользовать фотО)резисты с более широким диапазоном свойств, например фоторезисты на основе резольных смол, которые, обладая меньшей юислотостойкостью по сравнению с новолачными, находят, однако, широкое применение в электронной технике в силу «х высокой разрешающей способности, высокой адгезии к диффузионным стеклам и, в отличие от новолачных фоторезистов, способности сохранять размеры элементов при термообработке. Предмет изобретения Способ избирательного химического травления пленок хрома, рисунок которых формируют методом фотолитографии, в растворе, содержащем соляную кислоту и добавки, с использованием металлического активатора, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности использования фоторезистов различной кислотостойкости и уменьщения растравливания краев пленки, в качестве добавки введен водный раствор полиамфолита при следующем содержании исходных компонентов, г: Соляная кислота (концентрированная)1150-1190 Полиамфолит5-50 Вода 5-50
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ формирования изображения | 1980 |
|
SU911749A1 |
Раствор для избирательного травления пленок хрома | 1973 |
|
SU487167A1 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ХРОМА I | 1973 |
|
SU370280A1 |
РАСТВОР ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ХРОМА | 1973 |
|
SU397993A1 |
РАСТВОР ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ХРОМА | 1973 |
|
SU378564A1 |
Позитивный фоторезист | 1981 |
|
SU1068879A1 |
Раствор для матирования поверхности кварца | 1972 |
|
SU458904A1 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ХРОМА | 1971 |
|
SU319124A1 |
Фотошаблон и способ его изготовления | 1981 |
|
SU1003201A1 |
Способ изготовления формообразующих элементов с фактурированной поверхностью | 1989 |
|
SU1773710A1 |
Даты
1973-01-01—Публикация