ПАТЕНТШ4Е}Ш14ЕСКАЯ| БИБЛИОТЕКА I Советский патент 1973 года по МПК G11C11/36 

1

Предлагаемый запоминающий элемент может быть использован для построения оперативных запоминающих устройств ЭЦВМ.

Известны запоминающие элементы, содержащие информационные и нагрузочные МДПтраизисторы, а также запоминающие элементы, в которых, с целью уменьшения рассеиваемой мощности, включены вспомогательные конденсаторы.

Недостатком известных элементов хранения является необходимость использования восстанавливающего сигнала с повышенным напряжением.

Целью изобретения является уменьшение напряжения восстанавливающего сигнала.

В предлагаемом запоминающем элементе это достигается благодаря тому, что заряд запоминающих и разряд вспомогательных конденсаторов осуществляется при помощи диодов.

В результате применения предлагаемого изобретения снижается мощность, рассеиваемая в цепях управления и в самом элементе.

На чертеже изображен предлагаемый запоминающий элемент.

Запоминающий элемент представляет собой триггерную ячейку, состоящую из информационных транзисторов 1 и 2, запоминающих 3, 4 и вспомогательных 5, 6 конденсаторов. Между стоками информационных транзисторов и обкладками вспомогательных конденсаторов включены заряжающие диоды 7 и 8. Вторые обкладки вспомогательных конденсаторов подключены через вход 9 к генератору восстанавливающего сигнала. Между общей точкой 10 и теми обкладками вспомогательных конденсаторов, которые подсоединены к заряжающим диодам, включены разряжающие диоды // и 12.

Открытое состояние одного из информационных транзисторов / или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на запоминающих конденсаторах 3 и 4, благодаря подаче на вход 9

восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения.

Предположим, что в исходном состоянии транзистор / открыт, а транзистор 2 закрыт.

Такое состояние элемента может сохраняться, если запоминающий конденсатор 3 заряжен, а запоминающий конденсатор 4 разряжен. Когда на входе 9 восстанавливающий сигнал увеличивается с -Е до О), запоминающий конденсатор 5 медленно разряжается током обратно смещенного р-л-перехода, образованного стоковой областью транзистора 2. Восста) Для определенности полагаем, что в качестве информационного используются МДП-транзисторы с р-каналом.

новление за,ряда на запоминающем 1 онденсаторе 3 осуществляется во speivifl умен1,шения напряжения на .входе 5 с О до -Е. В момент, когда напряжение на входе 9 станет меньше напряжения на запоминающем конденсаторе 3, открывается диод 8, и конденсатор заряжается по цепи: генератор восстанавливающего сигнала, вспомогательный конденсатор 6, заряжающцй диод 8, запоминающий конденсатор 3, общая точка 10. При этом напряжение на конденсаторе 3 восстанавлив-ается до первоначального уровня.

Одновременно заряжается вспомогательный конденсатор 5 по цепи: источник восстанавливающего сигнала, конденсатор 5, диод 7, открцтый транзистор 1, общая точка. Очевидно запоминающий конденсатор 4 зарядиться не сможет, т. к. оказывается зашунтированньш открытым транзистором /. Когда напряжение на входе 9 увеличивается до О, оба вспомогательных конденсатора разряжаются по цепи: генератор восстанавливающего сигнала, вспомогательный конденсатор 5 или 6, разряжающий диод И или 12, общая точка.

В результате при периодической подаче восстанавливающих сигналов на входе 9 запоминающий элемент сохраняет свое состояние - записанную информацию.

Амплитуду врсстанйвливающего сигнала должна быть бодьше напряжения, соответствующего логической единице (10-12 в), на величину прямого падения напряжения на диоде, составляющего 0,6-0,8 в. Б иавестных элементах памяти восстановление утраченного заряда осуществляется за счет использования нагрузочных МДП-транзисторов. Напряжение воестанэрливающего сигнала в этом случае

превышает напряжение логической единицы на величину порога открывания транзистора, которое с учетом смещения подложки достигает значения 7-10 в. Таким образом, включение диодов в элемент позволяет снизить амплитуду напряжения восстанавливающего сигнала с 18-20 в до 11-13 в.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий информационные МДП-транзисторы, запоминающие и вспомогательные конденсаторы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения напряжения восстанавливающего сигнала, между стоками информационных МДП-транзисторов и вспомогательными конденсаторами включены заряжающие диоды, а между шиной нулевого потенциала и вспомогательными конденсаторами - разряжающие диоды.

5