1
Известно запоминающее устройство, содержащее пластину из сегнетоэлектрика, экранируюндне и разрядные (по два на каждый разряд) электроды, закрепленные на одной граии пластины, и кодовые (числовые) электроды, акрепленные на другой грани пластины и расположенные напротив разрядных электродов. то устройство характеризуется относительной ложностью технологии производства из-за наичия системы пересекающихся электродов сложпой коифигурации, а также ограничением объема памяти из-за малой амплитуды полезного сигиала на разрядных электродах вследствие используемого способа преобразования энергии и неблагоприятпого взаимпого расположения электродов,
Целью изобретения является увеличение объема памяти устройства « упронтение технологии нзготовлеиия.
Это достигается тем, что разрядные электроы расноложены с обеих сторон экранирующих электродов на расстоянии, превышающем толшину сегиетопластины, а числовые электроды расположены напротив экранирующих.
На чертеже изображено описываемое запоминающее устройство.
На одну из граией пластипы / из сегпетоэлектрика панесены числовые электроды 2, соединенные проводящими полосками-шинами 3. На противоположной грани пластины 1, напротив числовых электродов 2 расположены экранирующие электроды 4, соединенные экранирующими шинами 5. Разрядные электроды 6 раеположепы на этой же грани с обеих сторон
экранирующих электродов 4, и соединены pajрядньпш шипами 7. Экранирующие 5 и разрядные 7 шины перпендикулярны к числовым шинам 3. Со схемами управле1П1я электроды соединены при помощи проводников 8.
Участки иьезокерамики между разрядным; 6 п экраннрующими 4 электродами поляризованы продольно в одном направлении при изготовлении устройства (панравление поляризации показано па чертеже стрелками). В процессе работы устройства направление поляризации этих участков ие мепяется. Направлеиие поляризации участка пьезоксрамики между числовыми 2 п экраиирующимн -/ электродами задается каждый раз при записи ннфор;у1ации. Заннсь ннформащп в устройстве осуществляется путем прпложеппя напряжения поляризации к числовой 3 иэкрапирующпм 5 шинам. При этом направление иоляризацип участков пьезокерамики между числовыми 2 и
экранирующими 4 электродами выбранной числово шины соответствует коду записываемого числа и перпендикулярно к граням пластины. Полярнзаиия участков между числовыми и экранирующими электродами невыбраниых
чнсловых шии остается нензменной.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1971 |
|
SU427378A1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1973 |
|
SU364962A1 |
ВСЕСОЮЗНАЯ ' | 1973 |
|
SU368645A1 |
Запоминающее устройство | 1976 |
|
SU690564A1 |
Матрица запоминающего устройства | 1973 |
|
SU485499A1 |
Матрица для запоминающего устройства | 1975 |
|
SU674099A1 |
ПЬЕЗОТРАНСФОРМАТОРНОЕ ЗАПОЛИШАЮЩЕЕ УСТРОЙМТ?|11е0-1ЕЛКГ1:: | 1972 |
|
SU331421A1 |
Запоминающее устройство | 1973 |
|
SU447757A1 |
Полупостоянное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации | 1976 |
|
SU634373A1 |
Запоминающая матрица | 1979 |
|
SU855731A1 |
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация