1
Изобретение относится к технологии производства деталей радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано три определении химической стойкости фоторезистивных пленок, используемых при изготовлении микросхем.
Известен электрический способ определения химической стойкости фоторезиста, нанесенпого на подложку, помещенную в агрессивную среду.
Однако известный способ не обеспечивает достаточно высокую точность определения стойкости фоторезиста.
С |целью повышетшя точности измерения по Н1редлагаемо му способу на подложку .напыляют образец-свидетель из токо-проводящего материала, на который наносят исследуемый фоторезист и производят измерение электрического сопротивления Образца-свидетеля.
Сущность предлагаемого способа определения химической стойкости фоторезиста состоит в следующем.
Иа диэлектрическую подложку любым известным методом (например, термическим испарением или ионным распылением) напыляют образец-свидетель - тонкую (порядка сотен ангстрем) плелку токопроводящего материала, легко травимого в агр.ессивной среде, по отношению к которой определяется химическая стойкость фоторезиста. Для повыщения чувствительпости метода тонкую пленку изготовляют в виде сложной линейной конфигурации, для чего исн-ользуют любой м.етод создания конфигурации (например, напыление через маску, фотолитография). Затем на образец-свидетель наносят тонкую пленк}- исследуемого фоторезиста. К концам образца-свидетеля припаивают выводы, к которым подключают измерительный прибор
(омметр), после чего подложку с расположенным на ней образцоМ-свидетелем и исследуемым фоторезистом погружают в агрессивную среду. По м.ере разрушения агрессивной средой пленки фоторезиста открывается доступ К образцу-свидетелю.
В результате воздействия агрессивной среды образец-свидетель разрущагтся, а его сопротивление возрастает, что вызывает отклонение стрелки омметра.
Химическая стойкость фоторезистивной пленки оир.еделяется временем, измеряемым от момента ногрулсения подложки с образцомсвидетелем и исследуемым фоторезистом в агрессивную среду до начала изменения электрического сопротивления образца-свидетеля. Предлагаемый способ может быть использозован для определения химической стойкости и устойчивости к воздействию агрессивных сред не только фоторезистивных пленом,
но и пленок других .материалов. 3 Предмет изобретения Электрический способ определения химической стойкости фоторезиста, нанесенното на подложку, помещеажую ъ агрессивную среду, 5 отличающийся тем, что, с целью повы4шения точности измерения, на подложку напыляют образец-свидетель из токопроводящего материала, на который наносят исследуемый фоторезист и производят измерение электрического сопротивления образца-свидетеля, 
