Изобретение относится к составу стекол, используемых в электронике при изготовлении электронных умножителей каналового типа. Известно стекло со вторично-эмиссионным восстановленным слоем, включающее SiOg, PbO, BiaOs, NsLzO. Цель изобретения - обеспечение удельного электрического сопротивления вторично-эмиссионного слоя в диапазоне ом/см. Это достигается тем, что стекло дополнительно содержит AlgOs при следующем соотношении указанных компонентов, мол %: SiOz27-75 РЬО+В120з10-55 Al2O3+Na2O 2-30 Соотношение А120з:Ыа2О составляет от до 1:2. Стекло варят в сосудах из кварцевого стекла при температуре 1250-1450°С с выдержкой при максимальной температуре 2-3 часа. Отжиг стекла проводят при температуре 350-550°С, а его термообработку при температуре 340-460°С в течение 4 час в атмосфере водорода. При этом на поверхности стекла образуется вторично-эмиссионный слой с удельным поверхностным электрическим сопротивлением ом/см. Восстановленный слой обладает высокой стабильностью электрических параметров Пример. Для обеспечения удельного электрического сопротивления /2-4/-10 ом/см варят стекло состава, мол. %: SiO260 PbO18 BigOs2 АШз10 NazO10 и Na2O совместно вводят в стекло. Затем изготовленные из этого стекла эмиттеры подвергают термообработке в атмосфере водорода при температуре 400°С в течение 4 часов. Электрическое сопротивление стекла при прогреве на воздухе при температуре 400°С в течение 1,5 час изменяется в 2 раза. Предмет изобретения Стекло для каналовых эмиттеров со вторично-эмиссионным восстановленным слоем, включающее SiOa, РЬО, В12Оз, Na2O, отличающееся тем, что, с целью обеспечения удельного электрического сопротивления вторично-эмиссионного слоя в диапазоне 10 ом/см, оно дополнительно содержит АЬОз, при следующем соотношении указанных компонентов, мол. %: SiOz25-75 3 РЬО+В{2Оз10-55 А12Оз+На2О2-30, 4 причем соотношение А12Оз:Ма20-составляет от 1:1 до 1:2.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СТЕКЛО | 1972 |
|
SU421047A1 |
СТЕКЛО ДЛЯ МИКРОКАНАЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ | 1994 |
|
RU2087436C1 |
Стекло для усилителей изображения | 1977 |
|
SU653881A1 |
Стекло | 1989 |
|
SU1717566A1 |
Стекло для толстопленочных резисторов | 1982 |
|
SU1046208A1 |
СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1970 |
|
SU258544A1 |
ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЕ НИЗКОЭМИССИОННЫЕ ПОКРЫТИЯ, НИЗКОЭМИССИОННЫЕ СТЕКЛОПАКЕТЫ И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2558063C2 |
Стекло | 1977 |
|
SU633831A1 |
Стекло для изоляции приборов | 1985 |
|
SU1284957A1 |
Способ металлизации неорганического диэлектрика | 1975 |
|
SU617444A1 |
Даты
1974-07-15—Публикация
1972-11-22—Подача