Способ выращивания алмазов Советский патент 1981 года по МПК C01B31/06 

1.

Изобретение относится к синтезу алмазов, а именно к синтезу алмазов в метастабильных условиях из газовой фазы, и может быть использовано в химической и станкоинструментальной промышленностях.

Известен способ синтеза алмазов при давлении 0,01 - 1,0 мм рт. ст. и температуре 800-1600°С на затравочных кристаллах алмаза с использованием газообразных источников углерода.

Однако в известном способе синтеза в качестве источников углерода применяют окись углерода, углеводород1 1, что делает процесс малоэффективным.

Цель изобретения - повысить эффективность процесса наращивания алмазов.

Это достигается тем, что в качестве источника углерода используют карбонилы переходных металлов V-VIII групп периодической системы элементов или их производные, такие как Сг(СО)б, Мо(СО)б, Fe(CO)5 и т. д.

Предлагаемый способ осуществляют, папример, синтезом в аппарате из молибденового стекла диаметром 90 мм с электронагревателем из графита, на который помещают лодочку из молибденовой фольги, содержащую 1 карат естественных кристаллов с размером зерен 160 мк. Под нагревателем располагают тигель с

карбонилом рения в количестве 0,1 г. Аппарат продувают в течение 5 мин аргоном, затем создают вакуум 10 мм рт. ст., после чего включают электронагреватель, температуру которого поднимают до 1000°С.

В это время температура алмазных зерен близка к 800°С. За 10 ч привес алмаза составит 0,0001 г.

Формула изобретен и я

Способ выращивания алмазов при давлении 0,01-1,0 мм рт. ст. и температуре 800- 600°С на затравочных кристаллах алмаза

с использованием газообразных источников углерода, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения эффективности процесса, в качестве источника углерода используют карбонилы переходных металлов V-

vlll групп Периодической системы элемен тов или их произйодныс.