СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА Советский патент 1995 года по МПК C01B31/06 

Описание патента на изобретение SU1655080A1

Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравке для целей электронной промышленности.

Целью изобретения является повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза.

Способ осуществляют следующим образом.

П р и м е р. Собирают ростовую ячейку, основными компонентами которой являются: а) растворитель углерода сплав Fe46Ni42C12; б) источник углерода алмазный порошок с пористостью 100/80 мкм, пропитанный никелем. При этом пропитку алмазного порошка никелем осуществляют следующим образом. В ячейку высокого давления насыпают алмазный порошок и сверху него помещают никель в количестве, рассчитанном так, чтобы никель, расплавившись, заполнил весь объем пор в порошке. Затем систему нагружают до давления в ячейке ≈ 5,0 ГПа, после чего температуру в камере повышают со скоростью 3-5 К/мин до температуры плавления никеля 1893 К. Выдержав систему при этих параметрах в течение 20-30 с, производят закалку образца выключением тока нагрева. Полученный компакт используют в качестве источника углерода.

в) затравочная система 5 рассредоточенных затравок, ориентированных к растворителю кубической гранью;
г) барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя платиновая фольга толщиной 0,05 мм.

После этого ростовую систему с элементами токоввода помещают в пирофиллитовую трубку, а затем всю сборку закладывают в форвакуумный сушильный шкаф и выдерживают ее при 393-403 К в течение 10-12 ч. После этого систему заполняют аргоном, извлекают из сушильного шкафа и помещают в аппарат высокого давления. Параметры термобарической выдержки составляют: давление 5,9 ГПа, температура 1673 К, время выдержки 12 ч.

По окончании выдержки нагрев выключают и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы. В результате получают пять монокристаллов алмаза желто-лимонного цвета с максимальным размером 1,3-1,5 мм.

Качество выращенных монокристаллов оценивают по наличию в них включений, а также по данным теплопроводности и термостойкости. По данному примеру количество включений в каждом из кристаллов составило 2-3 шт.

В качестве металла для пропитки источника углерода по данному изобретению используют медь, олово, цинк, никель, а также сплавы: железо-алюминий, медь-олово. При этом необходимым условием для выбора металла или сплава для пропитки источника углерода является то, чтобы пропитывающий металл растворялся в растворителе углерода в условиях синтеза монокристаллов алмаза.

В таблице представлены данные по свойствам монокристаллов алмазов, полученных по данному изобретению, в зависимости от состава источника углерода и растворителя углерода, в сравнении с аналогичными характеристиками монокристаллов алмаза, полученных по известному способу.

Похожие патенты SU1655080A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА 2005
  • Терентьев Сергей Александрович
  • Бланк Владимир Давыдович
  • Носухин Сергей Анатольевич
  • Кузнецов Михаил Сергеевич
RU2320404C2
СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА НА ЗАТРАВКЕ 1988
  • Белоусов И.С.
  • Будяк А.А.
  • Ивахненко С.А.
  • Чипенко Г.В.
SU1570223A1
Способ получения легированного монокристалла алмаза 2016
  • Бланк Владимир Давыдович
  • Кузнецов Михаил Сергеевич
  • Носухин Сергей Анатольевич
  • Терентьев Сергей Александрович
  • Тарелкин Сергей Александрович
  • Бормашов Виталий Сергеевич
  • Буга Сергей Геннадьевич
RU2640788C1
РАСТВОРИТЕЛЬ ДЛЯ СИНТЕЗА ТЕРМОСТОЙКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ 1994
  • Боримский А.И.
  • Нагорный П.А.
RU2061654C1
СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА НА ЗАТРАВКЕ 1989
  • Белоусов И.С.
  • Будяк А.А.
  • Ивахненко С.А.
  • Чипенко Г.В.
SU1788700A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫРАЩЕННЫХ РАДИОАКТИВНЫХ АЛМАЗОВ И ВЫРАЩЕННЫЙ РАДИОАКТИВНЫЙ АЛМАЗ 2017
  • Бураков Борис Евгеньевич
  • Бочаров Сергей Николаевич
  • Шулепов Сергей Валентинович
RU2660872C1
УСТРОЙСТВО ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ И ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУР 2012
  • Полушин Николай Иванович
  • Лаптев Александр Иванович
  • Поздняков Андрей Анатольевич
RU2491986C1
РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ АСИММЕТРИЧНО ЗОНАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА 1997
  • Чепуров А.И.
  • Федоров И.И.
  • Сонин В.М.
  • Багрянцев Д.Г.
  • Чепуров А.А.
  • Жимулев Е.И.
  • Григораш Ю.М.
RU2128548C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА 2001
  • Жуков В.А.
  • Конотоп А.Ю.
  • Костяев А.В.
RU2192511C1
ПРОЦЕСС ПРОИЗВОДСТВА СИНТЕТИЧЕСКОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗНОГО МАТЕРИАЛА 2013
  • Борзе Дитрих
  • Гура Ойген
  • Додж Карлтон Найджел
  • Спитс Реймонд Энтони
RU2580743C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 655 080 A1

Реферат патента 1995 года СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА

Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав Fe46Ni42C12) источник углерода алмазные зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к растоврителю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. После этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5,9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1,3 1,5 мм. Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 1800 Вт (м К), термостойкость 1673 1773 К. 2 з.п.ф-лы, 1 табл.

Формула изобретения SU 1 655 080 A1

1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА путем воздействия высокого давления и температуры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза, в качестве источника углерода используют алмазные зерна размером не менее 100 мкм, предварительно пропитанные металлом или сплавом, растворяющимся в растворителе углерода в условиях синтеза. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл берут из группы, включающей медь, олово, цинк, никель, а сплав из группы, включающей железо-никель, железо-алюминий, медь-олово. 3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что в качестве растворителя углерода используют сплав из группы, включающей железо-никель-углерод, железо-алюминий, никель-марганец-углерод, железо-никель-кобальт, железо-марганец-углерод.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1655080A1

Патент США N 4034066, кл
Самоцентрирующийся лабиринтовый сальник 1925
  • Шестаков С.А.
SU423A1

SU 1 655 080 A1

Авторы

Белоусов И.С.

Витюк В.И.

Заневский О.А.

Ивахненко С.А.

Чипенко Г.В.

Даты

1995-09-10Публикация

1988-06-27Подача