Изобретение относится к полупроводниковой технике, где применяются покрытия из холькогенидных стекол, например, в электрографии. Известен способ удаления покрытия с поверхности подложек путем растворения его в реагенте, при Котором поверхности подложек при удалении покрытия из халькогенидных стекол повреждаются. Цель изобретения - сохранение поверхностей неповрежденными при растворении покрытия из халькогенидных стекол. Достигается это использованием в качестве реагента водного раствора этилендиамина с концентрацией не менее ЗО% при 5О-150°С, Осуществлении способа производится, например, следующим образом. Электрографический цилиндр, представляю щий собой цилиндрическую алюминиевую подложку с покрытием из трехселенистого мышьяка, нанесенным на ее наружную поверх ность плошагью около 0,2 м, полностью погружают в Ю-15 л 7О%-ного водного раствора этилендиамнна (МРТУ 6-О9-1238 -64), нагретого до 65 С с тем, чтобы растворить покрытие. При толщине покрытия ЗО мкм оно полностью удаляется за 15 мин,. т. е. со скоростью 2 М1(м/мин. Восстановленную алюминиевую подложку навлекают из раствора и, не давая высохнуть остаткам раствора на поверхности подложки, промывкой проточной холодной водой удаляют его следы. Так как наряду с удалением покрытия происходит обезжиривание поверхности подложки, то достаточно окончательно промыть цилиндр дистиллированной водой и высушить, чтобы считать полностью йодготов- ленным для нового нанесения покрытия на его поверхности. Уменьшение температуры раствора или его концентрации ведет к значительному уменьшению скорости удаления покрытия. Например, при концентрации раствора 7О% и температуре - 4О°С слой толщиной ЗО MEM удаляется за ЗО мин, т. е. со скоростью 1 мкм/мин. При концентрации раствора 35% и температуре - 35°С слой толщиной ЗО мкм удаляется за 2,5 час, т. е. со скоростью 0,2 мкм/мин.
Потребность в обновлении растворн мо.-ет появиться лишь после удаления покрытия, например со 100 цилиндров.
Полированная поверхность подложки пос ле снятия покр1ытия. остается непрпрежденпой и обезжиренной, так как этилендиамин в лк-)бом соотношении смешивается с водой и с поверхности подложки при промывке ее легко удаляются следы его рвствора.
Формула изобретения
Способ удаления покрытия с поверхности подложек путем растворения его в реагенте, отличающийся тем, что, с целью сохранения поверхности подложек неповрежденными при растворении покрытия из халькогенидных: стекол, в качестве реагента используют водный раствор этилендиамина с концентрацией не 30% при 50-150°С.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ удаления с поверхности подложек покрытий из халькогенидного стекла | 1982 |
|
SU1039908A1 |
Способ удаления покрытия с поверхно-СТи пОдлОжЕК | 1979 |
|
SU835980A2 |
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА AsS | 1999 |
|
RU2165902C1 |
СПОСОБ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ЛИСТА ИЗ АЛЮМИНИЕВОГО СПЛАВА ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ НА НЕГО ПОЛИМЕРНОГО ПОКРЫТИЯ | 1999 |
|
RU2241070C2 |
КОМПОЗИЦИОННАЯ ПОРИСТАЯ ПОДЛОЖКА ДЛЯ ОКСИДНО-КЕРАМИЧЕСКИХ МЕМБРАН И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ | 2007 |
|
RU2349373C1 |
Способ получения подложки для массового параллельного синтеза олигонуклеотидов | 2023 |
|
RU2826178C1 |
Способ обработки поверхности силикатных подложек | 1981 |
|
SU988786A1 |
Устройство для послойного синтеза покрытий из труднорастворимых соединений на поверхности подложек | 2021 |
|
RU2774818C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ, ТРУДНОРАСТВОРИМЫХ ПОКРЫТИЙ (ВАРИАНТЫ) | 2000 |
|
RU2250932C2 |
РАСТВОР ДЛЯ НЕГАТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ | 1991 |
|
RU2008285C1 |
Авторы
Даты
1976-04-05—Публикация
1973-03-09—Подача