Ячейка памяти Советский патент 1976 года по МПК G11C11/40 

ной шине 6 равно нулю, а при записи «1 на ней образуется высокий отрицательный уровень напряжения.

Емкость 4 перезаряжается до напряжения на разрядной шине 6 через открытый МДПтранзистор записи.

В режиме считывания на числовой шине 8 считывания устанавливается нулевое напряжение. При хранении на емкости 4 высокого отрицательного потенциала («1) МДП-транзистор считывания открывается, вследствие чего открывается и биполярный буферный транзистор 3. При этом напряжение на разрядной шине 6 становится близким к нулю.

Если же емкость 4 была заряжена незначительно (т. е. хранила «О), то МДП-транзистор считывания не открывается и напряжение на разрядной шине 6 не изменяется.

Применение в интегральном динамическом запоминающем устройстве данной ячейки памяти вместо ячейки на трех МДП-транзисторах позволит повысить ее быстродействие при тех же размерах кристалла и сравнительно простой технологии.

Формула изобретения

Ячейка памяти, содержащая МДП-транзистор записи, исток которого соединен с разрядной шиной, затвор - с числовой шиной записи, сток - с затвором МДП-транзистора считывания, сток которого подключен к базе буферного биполярного транзистора, и числовую шину считывания, отличаюш,аяся тем, что, с целью повышения быстродействия ячейки, исток МДП-транзистора считывания подключен к числовой шине считывания, коллектор буферного биполярного транзистора соединен с подложкой МДП-транзистора считывания, а эмиттер - с разрядной шиной.