Ячейка памяти Советский патент 1978 года по МПК G11C11/40 

разрядной шине 3, исток транзистора / соединен со iCTOKQM ИНфарма-циовного транзистора 4. Зат1вор транзистора / считывания и одна из Ойкладок конденсатора 5 подключены К шине 6 считывания. РГсток тра-нзистора 2, а также другая 0|бкладка конденсатора 5 .подооединены IK затвору транзистора 4. Зат1вор травзистора 2 и исток траиЗистора 4 пад|Кл,ючен.ы IK шине 7 з.аписи.

Ячейка памяти ,ра1ботает в режимах за1ПИСИ, считывания и хранения информации.

В режиме записи на шине 7 возбуждается высокий уровень напряжения, и транзистор 2 открывается (транзистор / считывания 1при 3TOiM 1находится ;в открытом состоянии). Затисьгваемый уровень напряжения inOiCTyinaeT ic разрядной шины 3 на оба ладку конденсатора 5, соединенную с истокол транзистора 2 записи. При этом, если (В ячейку злиисьввается высокий уровень напряжения, емкость Кондевсатара резко возрастает, а если ниЗКий уровень напряжения, емкость (конденсатора не изменяется и имеет малое знач1е1ние. После проведения за1ПИ си информации транзистор 2 за1крывает оя и ячейка находится IB режиме хранения.

В режиме считывания на шину 6 1подается высокий уровень напряжения, транзистор / открывается, а транзистор 2 находится В закрытом состоянии. Если .в конденсаторе 5 записан высокий уровень напряжения, то повышение напряжения на шине 6 считывания вызывает соответствующее прирашение напряжения на затворе информационного транзистора 4. В предельном случаеэто напряжение шовыщается до величины t/4 /(.-f (/с4, где t/4 - напряжение на затворе инфор1мащ,ионного -транзистора 4 после подключения высокого уровня напряжения на шине 6 считывания; U - напряжение на затворе ин|фор,ма|Ционного транзистора 4 до тодключения высокого уровня напряжения на шине 6 считывания; 0, - амплит ща импульса считывания, .подаваемого на шину считывания.

Повышение напряжения на .заъворе И1Нфор:ма1ционного т ранзистора 4 вызывает увеличение величины тока, протекающего в 1Ц0ПИ транзисторов / и 4 и тем самым повышение -быстродействия при формировании низкого уровня напряжения па выходе

ячейки. С другой стороны, напряжение на конденсаторе 5 может уменьшаться вследствие наличия тока утечаш до уровня напряжения, близкого к UQ, при ЭТОМ за счет эффекта повышения напряжения на затворе информационного транзистора 4 при увеличении напряжения на шине считывания обеаиечивается Качественное считывание низкого уровня выходного напряжения

ячейки.

Если же на (конденсаторе 5 хранится низкий уровень напряжения (()), то прирашение напряжения на затворе информационного транзистора 4 близко IK нулю и

этот транзистор находится при считывании в закрытом состоянии.

В связи с тем, что шина нулевого потенциала в предлагаемой ячейке отсутствует, размеры ее значительно уменьшаются.

Таким образОМ, указанное включение элементов ячейки по31воляет повысить время хранения информации IB три раза, а быстродействие ячейки в режиме считывания - в два раза. За счет устранения шины

нулеваго потенциала существенно уменьшаются габариты ячейки в интегральном исполнении...

Формула изобретения

Ячейка памяти, содержащая МДП-транзистор записи, затвор которого подключен к шине записи, сто/к - к разрядной шине п стоку МДП-транзистора считывания, исток

которого соединен со стоком ИН|фор1мационного МДП-транзистора, затвор которого подключен к истоку МДП-транзистора записи и одной из Обкладок конденсатора, и шину считывания, отличающаяся

тем, что, с целью повышения быстродействия ячейки и увеличения времени хранения, в 1ней другая обкладка конденсатора подключена к затвору МДП-транзистора считывания .и шине считывания, а исток информационнаго МДП-транзистора подключен к шине записи.

Источники информации, принятые во BHHMiaHwe при экспертизе:

1. lEEE Journal of Solid. State Cirenits, vol. SC-8, № 5, 1973, p. 252-257.

2. «Злакт1роника, N° 4, 1971, с. 33.