Состав для шлифования полупроводниковых структур Советский патент 1977 года по МПК H01L21/302 

1

Изобретение относится к технологии изготовлеиня полупроводниковых приборов, иреимуществеино при получении контактных иокрытий на .многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.

Известен травитель д.тя обработки поверхности полуироводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содерл-сащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.

К недостаткам известного травителя относится следующее.

Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия.

Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (также как и предыдущий травитель) снижает концентрацию легирующих примесей в приконтактной области и полирует поверхность структуры.

Наиболее близким техническим решением является состав для иглифования полупроводниковых структур со сложным рельефом, например, окисным, содержащий абразивный порошок и воду. Однако состав требует постоянного перемешивания, кроме того, высокую скорость шлифования трудно регулировать временем, поэтому возможна иереи1лифовка.

Цель изобретения - повышение прочности и снижение электрического сопротивления контакта.

Поставленная цель достигается тем, что в состав введен глицерин прп следующем соотношении компонентов в вес. %: Абразивный порошок М-2820-30 Глтщерин 20-40 Вода Остальное При М е р. Полупроводниковые пластнны /г - типа проводимости после операций диф:фузпп акцепторной примеси, термического окислеиия, фотолитографии, диффузии донорной примеси и фиииишой фотолитографии иодвергают гидромеханической обработке в водной суспензии состава (вес. %):

Глицерин20-40

Абразивный порошок М-2820-30 Вода Остальное

После обработки суснеизией иолупроводииковые структуры отмывают в водной ультразвуковой и они иоступают на операцию металлизации методом осаждения из раствора.

3

Реализация предложенного епособа позволит повысить процент ввьхода, надежность ц ццклосгонкость цо.1упроводцнковых нрнборов, снизить прямое паденне папряження п тепловое сопротнвлепие.

Ф о р м у л а н 3 о б р е т е н н я

Состав д;(я шлнфоваипя полуироводниковых структур со сложным рельефом, наиример

окисным, содержании об)азнвны1 1 поронюк и воду, о T,:i п ч а ю ип ц с я 1см, что, с це,лыо повышсцня прочиостц и снижения электрического сопротивления контакта, в состав введен глнцернп при следующих соотпопшппях инграднснтов в вее. % : Лбразнвный поронюк М-2820-30 Глицернн 20-40 Вода Оеталыюе