Запоминающее устройство Советский патент 1977 года по МПК G11C11/42 

риком и источник зправляющих импульсов напряжения, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, источник управляющих импульсов выполнен в виде двух АФН пленок (пленок с аномально большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзистора, другие соединены с истоком МДП транзистора, сток которого подключен к шине считывания.

ИсточНнки информации, принятые во внимание при экспертизе:

I. Патент США № 3549911, кл. 307-270, 1970.

2.Патент США № 3500142, кл. 317-235, 1970.

3.Pros IEEE 58 № 8 р 1207 (прототип).