Запоминающая матрица Советский патент 1977 года по МПК G11C11/34 G11C5/02 

12-разрядная шина; 13-слой окисла кремния; 14-слой нитрида кремния.

Запоминающая матрица работает следующим образом.

Если на избранный запоминающий элемент должна быть проведена запись или чтение, то на все адресные щины 7 и 8, соединенные с дополнительными электродами данного запоминающего элемента, одновременно подаются однополярные импульсы соответственно ±t/nop или Uc4- Если данный заноминающий элемент не является избранным, то либо все k выводов дополнительных электродов, либо k-а заземляются заземлением соответствующих адресных шин 6, 9. В последнем случае образуется емкостный делитель напряжения, в результате чего на электроде наводится напряжение, равное нулю или a/k от ±Ьцор или

t/сч.

При записи вывод управляющей щины 5 заземляется и работа элемента не отличается от работы обычной МДП-запоминающей емкости, но обеспечивается форсированный режим за счет снижения частичного возбуждения неизбранных элементов.

Для чтения на управляющую шину 5 подается смещение - UCM, приводящее все емкости запоминающего устройства, независимо от хранимой на них информации ( или (-макс «1) к значению Смин- При этом переключения емкости не происходит, так как

-t/CM| |±:t/nop|.

При считывании на все k выводов дополнительных электродов через соответствующие адресные шины 7, 8 подается импульс напряжения Uc4, переводящий избранную емкость к значению ранее записанной на ней информации Смин или Смаке- В зависимости от этого на нагрузке, включенной между разрядной шиной и землей, выделяется импульс соответственно меньшей или большей амплитуды. При считывании напряжение с частотой ю, в случае Смаке, т. е. хранение «1, можно фиксировать по наличию на нагрузке гармоник, так как положительная полуволна напряжения «пройдет по нелинейному участку вольтфарадной характеристики запоминающей емкости.

С целью упрощения технологии и снижения помех, управляющий электрод .может занимать все свободное пространство между электродами и соединяться с последними сплошным резистивным слоем, нанесенным на них.

В зависимости от требований, предъявляемых к запоминающим элементам:, оперативное ЗУ, ПЗУ с электрической перезаписью, ПЗУ без возможности перезаписи, слои окисла и нитрида могут быть заменены изоляторами других типов.

Таким образом, благодаря снижению уровня помех от частично активизированных шин адресной селекции повышена надежность работы запоминающей .матрицы и ее быстродействие нри записи за счет возможности форсированного режима.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая МНОП (металл-нитрид кремния-окисел кремния, полунроводник)-конденсаторы, выполненные на полупроводниковой пластине с последовательно нанесенны.ми на нее слоями диэлектрика, нанример окисла и нитрида кремния, на которых расноложены металлические электроды, которые через резисторы подключены к управляющей шине, и адресные и разрядные шины, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности матрицы, она содержит дополнительные электроды, расположенные над металлическими электрода.ми на дополнительном слое диэлектрика и соединенные с соответствующими адресными шинами, а полупроводниковая пластина соединена с разрядной шиной.

Источники инфор.мации, принятые во вни. при экспертизе

1.Брик Е. А. Техника ПЗУ. М., «Советское радио, 1973, с. 25.

2.Wegner U. А. R. MNOS memuries Dig Intermag, Conf Washington DC. 1970, New Work, 1970 (прототип).

3 а 10 4 f 2

«;