Способ получения антистатического материала Советский патент 1978 года по МПК C08J3/10 

акания радиогволй (/Спр), эпи авойст|ва .стабильны IB .ин-тервале TeiMineipaTyip минус 60 - 1ПЛЮС 300° С И IB усл101В1Иях шоз;Душн1а-даж1давой 1Э|р1азии.

Это доспигается тем, ЧТо (омешивают 20%-ный л.аковый ipaicnBiap талЩЯм идимияа формулы

.

Uo/

Jn.

,в ам/иднюм ip/acTiBapiHTieuiie с 10-16 вес. % юажи и проводят «алравлиие до 250±5° С со- с орюстью П101вы. те1М1пе|р1ату|ры 2,5° С за 1 мин ;без тармовыдержки шря этой температуре с 1по:сл6дующим охлаждеиивм.

В результате 1аб(ра;зу,етоя радиашрюарачный Мгатериаш ((пленка .или тоюрыпйе) с 0 Ом л тошо/житвльньш TeiMinepaTyipHHiM 1Коэф|ф,ищнвнто|М сорративлевйя, ipiasньш .В ИНтдр1ваЛ|е тамлер.аттур минус 6:0 - плюс 300° С 3,О.ЛО-з град-1.

Больш ай inoiBeipxiHiocTHiaia элбкт роправодность три (небольшой стапани наполнения доспигаетоя благодаря вторичньим структуряъш 1Н.31мен1ан1Ням IB полиамидимиде, inipoисходящим IB ходе на1грвв,а. Сущность этих из1МбН1е ний аводнтоя к увеличению области дел101К1а1Л1из1ац1И1И эл0кт|р10И01в о (ростом Tc-idB apxсощряжения iB |МоЛ(екуш1ах но1лимарл. Одвако сами эти из1Мбнан1И1Я н-е (Нридают заметной эл.9кт|р10(праводно1сти 1планка|м (оачрытиям) из чистого (не а|пол:н.ен|НО1го сажей) полимера (iQiHH остаются ди1элакт|рик.а1ми), так как дл1И1на аверхсопряженных областей, Ю|б)ра.зующих IB .ходе lEainpaBia до i250°iC, иедостаточгаа для тридаиия .всему объему пошимера полупроводниковых -свойств. Области Д1ело1калйза1Ц1Ни элакцрогаов (разделены обширными О бла1стя1мн, (Где такой деаюкализации нет (эНе(р1ШТИЧ1ес1Мие ба(рьеры). При Налол1нен ии л.ако1во1го (раствор.а полиамидими да са1жи ПМ-30 ia6(pазуется гет рогвнная сиотем-а, (в которой частицы эл1е1ктроп|ро1вод ящей фазы 1ра(зделаны диэлектрическими прослойками. При iHiainpaae та(кой аистесмы до 250° С происходит рост ДЛ1ЕНЫ областей я-аверхсопряжания (в диэлактрячесмих просл1ойка х |до в-еличины, сог-13(мерИ1М)ОЙ с тошщиной оами.х (прослоек.

1Оледо1вательно, диэлектричаоюие прослойки с (раз)витой О1бла(стью делокализавдии электронов (В (полим рных (Молеюулах KaiK бы замыкают р1азо1М К1нутые контакты между гаастицами сажи, создавая nanpiepbiBную прО1СТ|ранст1ве Н,ную 1ЭлекТ)рО1П|рО1водящую структуру. При этом с.ажетые Ч1астицы можно |р(асаматриВ(ать (ка1к рода «резер|зуа(ры свободных носителей зарядо(в, которые ко1мпанаируют (В структуре полимера области, (где нет делокализащии алвК1Т(рО(нов. В результате существеино уманьшаетоя величин.а эн(е|р1Г1етия;ес1К10юо барьера, иатпарый необходимо преодолеть |0онавным носител«м аа|р|Я до(В при (их Н1а1П(ра1вле Вном дрейфе от одной частич1К1и электропроводящей фазы к другой. Уменьшение анергетическото |ба|рье(р(а ( к |увал1И(чен(И1Юэше(кл1р1огараводности всей системы без иаменеввя KJQHцентрацин электропроводящей фазы иа|пол«ителя. О|бразо1В:а1вш,а1яая рыхлая оаже(ва1я ст)ру(ктур-а «е препятствует (прохо(жданию радиоволн. /Спр материалов, полученных таКИМ «нособом, (paiBaHi 97%.

|М,а1те|риал .((плен(К1и ,и1л(и (пак1рЫ1т1И)я) c aiHным ком1плвксо(м свойств (0 Ом; Кпу 97%) (навое/можно п ошучить др1упи/м способом. Так (В(В едение ,оажи IB КО1линестве

iMeHiee 10 IBBC. % «е (по:з1вол1яет (получать при нагреве ком(поаи(и)ии до 250±5° С Ro манее 1,0- 10 Ом, хотя (щри этам /Спр p.aiBно fliOO% (paccTOiHMne между Частицами сажи, толщина Д1ИЭ1лект1р1И1чеаких (nipOianoaK

больше 1Еозмаж(ной длины обла(сти я-овархсотрйжения). Если сажи (введено более 16 вес. %, то это (Приводит к существенному уменьш.анию Кпр 1В(виду уплотнеаил са) электроцрО(водяшей ст)руктуры, ло|ллощающей (радио1В.О|Л(ны. У1Меньшение температуры Н:а1права ко(мпоз1И(ции (предложенного соста1ва приводит к получению пленок и пок|рытий с более высомнм о. -При этом не реализуется способность полимера к IBTOричным cTipiyKTyipiHbiiM изменвниям и величина областей делокализащии элактроиов недостаточна для того, чтобы (существанно повли-ять на. )вел ичин1у эл.актросопроти1влен(ия всей систамы. Повышение скорости raairipaBa

(приводит к интенсивному юапениванию иомПОЗИ1ЦИ1И и дефектам (В пленках и (накрытиях, |верх(ний П(р.едел те)мперату)р 1опра:н(ичен термоютабильностью диэЛектр(И1Ч0с( МЗт риала деталей (ко|НСТ1ру(юц1И1и летательн101го

аппарата.

Пример 1. 50 г 20%-но1го растврра )поли.амидо1И1Мида в Л-м:ети.л.п(И1рролидоне смеши1ва;ют ic 1,0 г юажи iMa(piKiH ПМ-ЗО (10 вас. %), затем ко1М(позиц(ию наносят иа диэлектрическую по|в.ерхнос.ть и (напрева.ют до 120° С. В (результате получают материал с

RQ 4,1 .ilO Ом и /Спр 100%.

П(рим ер 2. 50 г 20%-HOiro раствора -полиамидимида IB Л -метал1ПИ|рролидоне смешивают с 1,0 г саж1И марки ПМ-30 (10 IB ее. %), затем ко1М(по1зи(цию наносят на диэлект1р1И1чесиую по(верХ)Ность .и нагревают до 200° С. В результате получ.а1ют матари1ал с RQ 8,0-10° Ом и /Спр 100%.

П р И м е р 3. 50 г 20 % чнюгю pia(CTiBOpa по лиамидимида (в .Л/-|М1етил.л1И(рролидан(е ciMieш ива ют с 1,0 г сажи м.ар1К1И ПМ-30 (10 вес. %), затем .кюмпозищию на(носят на ди9лакт(рическую по(вархность и назревают

до 250° С. |В результате (получают материал с RQ 3,2.,10 Ом и /Спр 98%.

Пример 4. .50 г 20%-ното раствора

по.Л|иа(мидимида IB Л -метилпирролидоне смешИ|Вают с 1,6 г са1Ж1И Мйрии ПМ-30 (16

вес. %), затам композицию нанооят на

диэлекпричеокую moiBiepxHOCTb и лаюравают до 120° С. В результате лолуи ают с RO 1,0 -iios Ом и /Спр ЮОо/о.

О р и м е р 5. ЭО г i20 % -нюда piaciiBiopa гоолиамидимида в Л/чметилпиррошидояе смешивают с 1,6 г |са1Ж)И 1мл|рки ПМ-ЗО (16вес. %), затем |К101М1П10з, наносят 1ва диелекиричеияую moiBieipxHocTb и «аи р-авают до 200° С. В результате гаолучают м атфиал с Ro 8,0- 10« Ож и ,,p 99%.

П(риме|р 6. 50 г i20%-iHO.ro paciTB Oip,a 1ПО1ли1а1мидимида (в Л/-м епилт рролидоне омеш,и)В,ают с 1,6 г сажя ПМ-ЗО (16 вес. %), затем жомиозяцию «aiHOiciHT на диэлекпричеокую nioaeipxiHOiCTb и нагревают до 250° С. В резушьтате .ают Материал с о1,0- 10 Ом и /Спр 9,6,7%.

iB таблице нриведены ора1В1Н1Ителыные данные эл0кт1ринеоких и р.адиоовойспв м атариалав, шолу1чея«ых по пр|едл,атаемому и иавестпнаму апособам.