"Способ получения кристаллических соединений а1у ву14 Советский патент 1979 года по МПК B01J17/32 

Изобретение относится к области получения кристаллических соединений которые могут использоваться в электронной промышленности. .Кристаллические соединения А В в виде слоев получают методом вакуум ного испарения 1 . Сущность .его заключается в том, что в сосуде размещают два испарителя, в один помещают элемент , а другой - элемент . Сосуд .эвакуируют до давления . При нагревании испарителей элементы испаряются, и, конден сируясь на подложке, образуют соедиТаким образом получанение А ют ряд двухкомпонентных соединений. К недостаткам следует отнести сложности технологического порядка, необходимость вакуума, подбор температур испарителей с целью получения не обходимых скоростей испарения.. Слои, получаемые при вакуумном испарении, пористы, имеют низкую адгезию. Для получения хорошего сцепления с подложкой, необходимо нагревание подложки,, что часто приводит к потерям испарения одного из компонентов. Тру но достигается стехиометричность состава AV BV . Кроме того известен способ осаждения слоев из паровой фазы элементоОрганических соединений 2J ,. Сущность его заключается в том, что исходные элементоорганические соединения переводят в парообразное состояние, реагируют на нагретой поверхности подложки с образованием на подложке нелетучего осажденного соединения. Газообразные продукты, удаляют из зоны реакции. К нагретой поверхности подложки подают однойременно пары элементоорганических соединений АН и Вд , где 1R и - органические радикалы, либо их смесь. Разлагаясь на нагретой поверхности подлож и, соединения выделяют нелетучее соединение типа А . Этот способ позволяет получать плотные с хорошей адгезией слои. К основным недостаткам этого способа следует отнести трудности в регулировании процесса осаждения и получении покрытий, стехиометричных по составу. Цель изобретения - улучшение регулирования процессом и повышение стехиометрии получаемого соединения. Дня этого в качестве элементоорг-анического соединения предлагается и пользовать соединение, содержоицее оли , имею новременно компонентьз А, аше в молекуле общую химическую связь и общую формулуК , где К водород или алкильь С цельго получения кристаллических, эпитаксиальных слоев термическое раэ ложение ведут при осаждении продуктов на кристаллическую нагретую подложку. С целью получения слоев теллурида олова в качестве элементооргани ческого соединения используют соединение общей формулыRgSnTeRg или TJj SnTeSnRj, , где иЯ - алкилы, выбранные из ряда метил, этил,пропил, бутил и осаждение ведут на подложку, нагретую до 250 375®С, С целью получения нитевидных иристаллов подложку нагревают изотропным ИК светом или направленньам излучением со скользящим 5/глом падения на подложку. Пример 1о Для получения кристаллических слоевSnTe берут в качестве исходного соединения бис-триэтилста илтеллур. Подложкой служит стекло, нагреваемое до 250с, Давление в реакционной камере . В результате термического разложения на подложке получают текстурированный слойбпТе толщиной 2 мкм, Пример 2. Для получения эпитаксиальнык слоевSnТе термическое разложение бис-триэтилстанилтеллура ведут при 300°С на монокриста лические подложки, например КaCg. Пример 3 Для получения нитевидных кристаллов 5п Те берут в ка ч.естве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой может быть сталь., нихром, стекло, кремний, слюда. Нагревание подлол ек осуществляют направленным ИК-излучением. Температура подложки 350-400 С, давление в камере 10 торр„ Получены нитевидные монокристаллы SnTe длиной 500-1000 мкм .

Аналогичным образом получают кристаллические слои SnS с использованием в качестве исходного, например, бис-триэтилстанилсульфида, cл6иQeTe . из бис-триэтилстанилтеллура или триэт1 гермилэтилтеллурида, слоиСзббиз бис-триэтилгермилсульфида, а также SiQe из бис-триэтилсилилселена и другие соединения д , Кроме того, 5

да метил, этил, лропил, бутил, и осаждение ведут на подложку, нагретую до 250-375 С.

4. Способ по п. 1, отлич а ющ и и с я тем, что, с целью получения нитевидных кристаллов, осаждение ведут на подложку,.которую нагревают изотропным ИК-светом или направленны излучением со скользящим углом падения на подложку.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизу

1. Разуваев.Г.А. и др. Металлоорганические соединения в электронике, М, , Наука , 1972.

2.0.EeectPochem.Soc..l22, № 3, 444-450, 1975. 9 можно получить крупные нитевидные кристаллы этих соединений. Полученные слои и нитевидные кристаллы имеют стехиометрический состав. Использование одного исходного соединения обеспечивает лучшую регулируемость процесса. Формула изобретения 1. Способ получения кристаллических соединений д В термическим разложением элементоорганическИх соеди5нений, содержащих компоненты А И: , отличающийся тем, что, с целью улучшения регулирования процессом и повышения стехиометрии получаемого соединения, в качестве элементоорганического соединения используют соединение, содержащее одновременно компоненты А и , имею молекуле общую химическую связь, щие в молекуле общую химическую связ общей формулы 1 А В Ч , где Т .--.л «,™,-п л IV nvini - -г. ,.т) водород или алкил, 2.Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью получения кристаллических, эпитаксиальных слоев, термическое .разложение ведут при осаждении продуктов на кристаллическую нагретую подложку. 3.Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью получения слоев теллурида олова - SnTe , в качестве элементоорганического соединения используют соединение с общей формулойR SnTeR или R SnTeSnT g, где Т - алкилы, выбранные из ря