Изобретение относится к диэлектри ческим материалам, используемым для изготовления керамических конденсато ров.. . Известен керамический материал 1: используемый для изготовления конден саторов, который содержит, вес.%: ВаО 58,5-59,0; СаО 2,8-3,1; Krij 30,3-30, 2рО, 0,6-1,3; SnOa 6,5-7,5; Big О, 0,2-0,5 Sw/Jj 0.1-0,3;SiOa 0,3-1,0. Цель изобретения - повьиаеиие темг пёратурной стабильности диэлектричес кой проницаемости керамического материала. Дпя этого в известнЕлй материал, сояержа&шй окислы бария, кальция, ти тана , циркония, олова, висмута, самария и.к мняя1, дополнительно вводят окислы, магния и марганца, при этом содержание указанных компонентов должно быть в следующих соотношениях/2,8-3,1 30,3-30,4 0,6-1,3 6,5-7,5 0,2-0,5 0,1-0,3 0,3-1,0 0,2-0,3 MnjO,0,1-0,3 ВаООстальное. Материал приготовляют следующим образом. Шихта готовится путем смешения и помола окислов бария, кальция, титана, циркония, олова, взятых в указанных выше соотношениях. Синтез производят при 1280-1300 0 в течение 2 час. Полученный в результате синтеза спек размалывается и смешивается с добавками окислов(висмута , самария, магния и марганца. Из полученного материала методом полусухого ппессования изгст вливаются образцы и изделия (заготовки конденсаторов). Обжиг образцов и изделий в зависимости от их размерив производят при 1350-1430 С. Предлагаемь материал имеет при диэлектрическуюпроницаемость () не менее;4500, сглаженную зависимость диэлектрической проницаемЬсти от температуры С(Т) (изменение в интервале температур от +5 до не превышает 15-10.%) тангенс угла дизлектрических потерь (tgS) не более О,01,-диэлектрическая прочность материала при постоянном напряжении элекрического поля ( ЕЯ„ ; не менее 7 KB/MM. П р и м е р 1. Берут компоненты в следующем соотношении, вес.% ВаО 58,5; СаО 3,1;-t-i О,30,3,-1 Zi-Q.O.S: SnO, 7,5j Srt,OjO,lj Bi,0, 0,2j SlOj, 0,4; MjO 0,3; 0,2. Получают керамический материал, торый имеет следупщие покаэа«Дли: «О -4900; е ««5300; б..:, 4100; S4 4100} tfif. 0,01; 7,5 KB/ В р и м .е р 2. Верут компоненты в следующем соотношении, вес.%; ВаО 58,3 Сар 3,1 30,4 , 7,5 В1.0,, 0,2 tek.Q, 0,1; StO«. 0,3; MdO 0,3 Мв,0 0,2. Пр(учают керамический материал, Toptdt имеет следующие показатели а i5000;8ariV 5400;e..,, 4250 J t: 4700 I t(« 0,01; E . 7,7 KB Формула изобретения Керамический материал, преимущественно, для изготовления конденсаТоPOB, содержащий ВаО, СаО, llOt -iOf fijOf,, : B/WjO,, , и Si63, о т л ичаю щ ;И и с я тем, что, с целью повыше-f ния/температурной стабильности диэлек|Трической проницаемости, он дополни-jтел но содержит МвО и Mi,O, при . vit M cooTHOii e HHH компоиейтрв, вес.%; СаО2,8-3,1 TiOj30,3-30,4 , гяО,0,6-1,3 SnQj6,5-7,5 В ,2-0,5 в«вД0,1-0,3 ,3-1,0 ,,2-0,3 jMn-jO fi 1-0,3 BaipОстальное. Источники информации, принятые в внимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР 438628 кл. С 04- В 35/00, 1972.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Керамический конденсаторный материал | 1978 |
|
SU688480A1 |
Керамический конденсаторный материал | 1972 |
|
SU438628A1 |
Керамический материал | 1977 |
|
SU622795A1 |
Керамический материал для изготовления конденсаторов | 1980 |
|
SU927785A1 |
ОКРАШЕННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ | 1992 |
|
RU2026897C1 |
Пьезокерамический материал | 1970 |
|
SU348128A1 |
СПЛАВ ДЛЯ ПОДШИПНИКОВ СКОЛЬЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ ОЛОВА | 2014 |
|
RU2667188C2 |
Керамический материал | 1980 |
|
SU881071A1 |
Глазурь | 1977 |
|
SU662515A1 |
НЕ СОДЕРЖАЩИЙ СВИНЦА АЛЮМИНИЕВЫЙ СПЛАВ 6ХХХ | 1995 |
|
RU2126848C1 |
Авторы
Даты
1977-12-25—Публикация
1976-03-18—Подача