Изобретение относится к диэлектрическим материалам на основе окислов бария, титана, кальция, циркония, олова с добавками различных окислов, используемых для изготовления керамических конденсаторов.
Известен керамический материал на основе окислов бария, кальция, титана, циркония, олова с добавками окислов висмута и окислов редкоземельных металлов, имеющий при значениях диэлектрической проницаемости (е) от 1500 до 8500 диэлектрические потери (tg б) 0,01-0,02 и температуру спеканта 1360-:1430° 1.
Наиболее близок к предлагаемому материал, который содержит компоненты в следующих количествах, вес. %:
2,8-3,1 30,3-30,4 0,6-1,3 6,5-7,5 0,2-0,5 0,1-0,3 0,3-1,0 0,2-0,3 0,1-0,3 Остальное
2.
ратур от 5 до 85° С не превышает 15-10%. Танген с угла дизлектричесхих потерь tg и не более 0,01. Температура обжига изделиГ; изданного материала 1360-1430° С.
Известный материал разработан для низковольтных конденсаторов, HNiccT высокое значение тангенса угла диэлектрических потерь, что затрудняет его применение для изготовления высоковольтных конденсаторов. Температура обжига изделий i3 такого материала выше 1360° С, что исключает возможность обжига заготовок высоковольтных конденсаторов дискового типа диаметром 60-75
и толии1ной 10-12 мм
f
электрических печах с силитовыми нагревателями.
Цель изобретения - снижение тангенса угла диэлектрических потерь и температуры спекания.
Достигают это тем, что предлагаемый керамический конденсаторный материал, включающий ВаО, СаО, TiOo ZrO2, SnO ЗшзОз, BiaOs, SiOg и Мп2Оз или MgO дополнительно еодержит SrO, при следующем соотношении комлонентов, вес. %:
0,5-1,2 5,8-6,8 5,8-6,8 0,1-0,3 1,8-2,4 0,3-0,9
или MgO 0,2-0,3 3,9-0,9 О стальное
Приготовление материала производят следующим образом. Готовят шихты из спеков двух составов путем смешива.ния и помола окислов, взятых в указанных соотшениях.
Шихта состава I, вес. %
Таблица 1
Таблица 2
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Керамический материал | 1976 |
|
SU585139A1 |
Керамический материал | 1977 |
|
SU622795A1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ ОБЖИГА | 2013 |
|
RU2527965C1 |
Керамический материал для изготовления конденсаторов | 1980 |
|
SU927785A1 |
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | 2020 |
|
RU2753522C1 |
Шихта для получения керамического диэлектрического материала | 1984 |
|
SU1268544A1 |
Керамическая масса | 1972 |
|
SU459445A1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2010 |
|
RU2443658C1 |
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) | 2000 |
|
RU2170219C1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1980 |
|
SU977437A1 |
Авторы
Даты
1979-09-30—Публикация
1978-05-18—Подача