Способ очистки тетрахлорида ванадия Советский патент 1979 года по МПК C01G31/00 

(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕТРАХЛОРИДА ВАНАДИЯ реальными тарелками. Исходный тетрахлорид ванадия в количестве 1,53 кг содержит, масс. %: VCg, 83,7; VOa, 13,9; Tia4 0,13; SiC4 0,4 и др. Процесс ректификации ведут при остаточном давлении в системе 300 мм рт. ст. и температуре 45-60°С. Впервые две фракции отбирают растворенный в исходном продукте хлор и После того, как выделение хлора и других легколетучих примесей прекращается, давление в системе снижают до 20-30 мм рт. ст. При этом температура в кубе колонны 80-85°С. В этом режиме отбирают фракцию, содержащую в основном хлорокись ванадия с примесью тетрахлорида титана. Отбор основной очищенной фракции тетрахлорида ванадия осуществляется при температуре в кубе 80- 85°С. В эту фракцию в количестве 77% от исходной загрузки перещло тетрахлорида ванадия (1090 г). Эта очищенная фракция тетрахлорида ванадия содержит. масс.%: VOas 0,1; TiCi 0,u2; SiC4 0,03; FeC4 0,.; 0,002. Формула изобретения Способ очистки тетрахлорида ванадия от примесей ректификацией при нагревании и пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты и выхода продукта, процесс ведут сначала при 45- 60°С и давлении 300-400 мм рт. ст. до отделения легколетучих примесей, а затем при 80-85°С и давлении 20-30 мм рт. ст. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Извлечение и очистка редких металлов под ред. О. П. Колчина, М., 1960, с 241 - 260. 2. Авторское свидетельство СССР № 207227, кл. С 01 d 31/00, 1968.