1
Изобретение относится к области пайки, в частности к способам найки изделий с поджатиём соединяемых деталей.
Известен способ пайки, при котором размещают припой в зазоре, производят нагрев до температуры пайки- и охлаждение, причем при нагреве и охлаждении соединяемые детали сжимают 1.
Данный способ обеспечивает высокое качество пайки за счет выдавливания излишков припоя и хорошее прилегание соединяемых деталей.
Недостатком способа является низкая производительность из-за индивидуальной пайки изделий.
Известен снособ групповой пайки изделий, при котором производят сборку деталей в приспособлении с укладкой припоя в наземный зазор и осупдествляют нагрев до температуры пайки и последующее охлаждение при воздействии сжимающей нагрузки раздельно на каждое изделие 2.
Способ обладает высокой производительностью за счет групновой найки изделий и обеспечивает одновременное одинаковое поджатие деталей различных размеров, выполненных в ноле допуска, за счет использования индивидуальных поджимов.
Целью изобретения является повышение производительности при пайке миниатюрных изделий путем обеспечения равномерного поджатия при частом расположении дета-, лей в приспособлении.
Это достигается тем, что в известном способе групповой пайки изделий, при котором производят сборку соединяемых деталей Б гфиспособ,1ени11 с укладкой приг1оя в паяемый зазор и осуществляют нагрев до температуры пайки и последующее охлаждение при воздействии сжимающей нагрузки раздельно на каждое изделие, сжатие изделий осуплествляют центробежной силой при вращен.ии деталей в центрифуге.
Предлагаемый способ поясняется чертежом.
При произ1зодстве полупрово.аннковых диодов кристалл 1 напаивают на держатель 2.
Кристаллы 1 загружают в кассету 3. На кристаллы устанавливают прииойиые диски 4, на которых распо.лагаются кристал.чо.аержатели 2.
После за рузк11 кассету устанавливают в печь-центрифугу и раскручивают до 3001. Ускорепие(а}зависит от массы кристаллодержателя и марки используемого припая. Затем включают нагреватель и производят напайку, которую осхчлествляют в вакууме до 10 мм рт. ст. в течение 60-80 сек. После напайки в печь-центрифугу подают воздух и охлаждают кассету, а затем центрифугу останавливают и производят выгрузку. При врашенйи кассета устанавливается таким образом, что центробежная сила действует вдоль кристаллодержателя, приЖимая его к припойному диску и кристаллу, вследствие чего исключается возможность образования раковин под напаиваемым кристаллом. Использование данного способа значительно увеличивает производительность про-, цесса напайки кристалла на кристаллодержатель, исключает образование раковин и пустот под напаянным кристаллом. Кроме того, данный способ позволяет автоматизироватьпроцесс напайки кристалла полупроводникового прибора на кристаллодержатель, Формула изобретения Способ групповой пайки изделий, при отором производят сборку соединяемых деталей в приспособлении с укладкой припоя в паяемый зазор и осуществляют нагрев до температуры пайки и последующее охлаждение при воздействии снижающей нагрузки раздельно на каждое издатие, отличающееся тем, что, с целью повыщения производитеутьности при пайке миниатюрных изделий путем обеспечения равномерного поджатия при частом расположении деталей в приспособлении, сжатие изделий осуществляют центробежной силой при вращении деталей в центрифуге. Источники информации, принятые во В1гимание при экспертизе: 1.ЛашКО Н. Ф., Лащко С. В. Пайка металлов, М., «Мащиностроение, 1967 с. 103-104. 2.«Справочник по пайке под. ред. С. Н. Лапманова и др. М., «Мащиностроение, 1975, с. 246-247.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ индукционной пайки | 1980 |
|
SU998029A1 |
Способ пайки полупроводникового кристалла при изготовлении прибора | 1985 |
|
SU1251213A1 |
ПАЯЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ | 2002 |
|
RU2223165C1 |
СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1999 |
|
RU2171520C2 |
СПОСОБ ПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ К КОРПУСУ | 2016 |
|
RU2636034C1 |
Способ изготовления инструмента с напаянными пластинами из быстрорежущей стали | 1977 |
|
SU734302A1 |
Способ пайки изделий | 1982 |
|
SU1031659A1 |
СПОСОБ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ | 2023 |
|
RU2803020C1 |
Способ изготовления пластинчатых теплообменников | 1988 |
|
SU1539027A1 |
СПОСОБ ПАЙКИ | 2014 |
|
RU2580255C1 |
Авторы
Даты
1978-07-25—Публикация
1976-06-09—Подача