Шихта для изготовления конденсаторной керамики Советский патент 1978 года по МПК C04B35/462 H01G4/12 C04B35/468 C04B35/01 

Изобретение относится к производству высокочастотных керамических конденсаторов в радиоэлектронной технике.

В настоящее время для изготовления различных типов высокочастотных конденсаторов термостабильных групп по ТК6 широко приманяют керамические материалы на основе твердых растворов (Cq,La)(Ti,.

Величина диэлектрической проницаемости ( ) таких керамических материале с ТК «О - 75,10 град не превышает 40-55.

Известны керамические материалы с теми же значениями ТК на основе системы CotLQliNtiO -CaTiO 2J.

Но величина диэлектрической проницаем сети таких материалов также не при вышает 55.

Известна также шихта для конденсаторного материала, содержащая окись неодима, окись бария, двусжись титана, окись висмута, двуокись циркония, сжись олова, окислы кальция, стронция или их смесь з.

Материал,, изготовт1нц йнэ8тс41 шихгрнческую проницаемость гы, имеет диэлектрическую проницаемость « ) е -66 при IKS - -(75120)х105рад-

6 -69 при тке а -.(47i2O)xlO роад

€ 78 при ТКг S .(47±20)х10 град и при ТК6 О. При огяосигольво высоком значении ди9Лвктричвскс4( про ницаемости материала он содержит в своем составе исись висмута и при изготовлении из него конденсаторов монолитной Конструкции в качестве этюктрода может быть использована только платийа.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости у и обеспечение возможности использования палладиевых электродов, в конденсаторах монолитного типа.

Зтэ достигается тем, что шихта для изготовления конденсаторного материала, включаюшая окись бария, жнсь неодима, двуокись титана, дополнительно содержит окись самария при следующем соотношении компонентов, вес. %: