Устройство для хранения и поиска носителей информации,закодированных магнитными элементами Советский патент 1979 года по МПК G06K17/00 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокоомных резистивных элементов интегральных схем. Известен резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, окислы кремния и других металлов 1. Недостатком этого материала являются сравнительно высокий температурный коэффициент сопротивления, что не позволяет изготавливать прецизионные резисторы с ТКС порядка 10 град,, узкий диапазон удельного поверхностного сопротивления пленок на его основе и невысокая стабильность сопротивления. Известен также резистивный сплав, содержащий хром, кремний,- церий и металл переходной группы 2. Однако этот материал имеет недостаточно низкое значение температурного коэффициента. Цель изобретения - снижение температурного коэффициента сопротивления. Это достигается тем, что резиотивный сплав, содержащий хром, кремний, церий ИЛИ магний и металл переходной группы, содержит в качестве металла переходной группы тантал при следующем количественном соотнощении компонентов, вес.°/о: Хром36,0-40,9 Тантал5,0 -19,0 Церий или магний1,0-10,0 Кремний.,.Остальное. Для изготовления сплава приготавливают шихтовую смесь. Крупность исходных материалов составляет 20 мкм. Для синтеза материала порощки исходных составляющих подвергают мокрому смещиванию в среде этилового спирта (200 мл на I кг порощка) в течение часа. Затем полученную смесь сущат в термощкафу при 100--110°С в течение 5ч. и подвергают протирке через сито 40.МКМ для разрушения конгломератов. Готовую смесь прессуют под давлением 1 - 1,5т/см2 Б брикеты d 2dMM, li 15-20мм и подвергают высокотемпературной вакуумной термообработке в вакуумной печи типа СМВЛ при вакууме 3-7-10 мм. рт. ст и 1300°С в .течение 4 ч. После этого продукты взаимодействия измельчают.в ямМовом барабане емкостью 0,5л в течение 4ч в среде этилового спирта. Далее полученную смесь сушат в термошкафах при t 50-10C в течение 3ч и просеивают через сито.4 мкм. Примеры конкретйого выполнения сплава с (эНтимальным содержанием ингредиентов, ./о: Пример 1 Хром .- 38,4 . Тантал12,2 Церий2,9 Кремний46,5 Пример 2 Хром .40,9 Магний1,0,0 Тантал5.0 Кремний 44 1 ; . Указанные составы, позволяют получить : методом ионноплазменного распылений высокоомные прецизионные тонкопленочные резисторы со следующими характеристиками: при толщине резистивной пленки от 0,02 до 0,14 мкм стабильность сопротивления за 1000ч. при t -130С составляет 0,05- 0,06%, температурный коэффициент сопротивления (0,2-0,5) 10.град , удельное поверхностное сопротивление 200-2000 OM/D. Преимущество предлагаемого резистив110Гб Материала заключается в том, что при технологической толщине резмстнвной пленки свымю 100 нм температурный коэффи пиент сопротивления MtnibHje на порядок величины, чем у известного материала, что позволяет изготавливать прецизионные тонкопленочные резисторы с температурным коэффициентом сопротивления порядка Юград Формула изобретения Резис.тивный сплав, содержащий хром, кремний, церий или магний и металл переходной группы, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления, он содержит в качестве металла переходной группы тантал при следующем кол ичественном соотношении компонентов, вес.%: Хром36,0-40,9 Тантал5,0-19,0 Церий или м.агний1,0-10,0 Кремний....Остальное. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № , кл. Н 01 С 7/00, 1970. : 2.Авторское свидетельство СССР № 287161, кл. Н 01 С 3/14, 1969.

Редактор Л. ВатановаТехред О. ЛуговаяКорректор Д. Мельниченко

Заказ 325/45Тираж 922 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР

но де.|ам изобретений и открытий

Филиал М1И1 «Патентэ, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель В. Солодова