Резистивный сплав Советский патент 1979 года по МПК H01C7/06 C22C27/06 

Описание патента на изобретение SU647750A1

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокоомных резистивных элементов интегральных схем. Известен резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, окислы кремния и других металлов 1. Недостатком этого материала являются сравнительно высокий температурный коэффициент сопротивления, что не позволяет изготавливать прецизионные резисторы с ТКС порядка 10 град,, узкий диапазон удельного поверхностного сопротивления пленок на его основе и невысокая стабильность сопротивления. Известен также резистивный сплав, содержащий хром, кремний,- церий и металл переходной группы 2. Однако этот материал имеет недостаточно низкое значение температурного коэффициента. Цель изобретения - снижение температурного коэффициента сопротивления. Это достигается тем, что резиотивный сплав, содержащий хром, кремний, церий ИЛИ магний и металл переходной группы, содержит в качестве металла переходной группы тантал при следующем количественном соотнощении компонентов, вес.°/о: Хром36,0-40,9 Тантал5,0 -19,0 Церий или магний1,0-10,0 Кремний.,.Остальное. Для изготовления сплава приготавливают шихтовую смесь. Крупность исходных материалов составляет 20 мкм. Для синтеза материала порощки исходных составляющих подвергают мокрому смещиванию в среде этилового спирта (200 мл на I кг порощка) в течение часа. Затем полученную смесь сущат в термощкафу при 100--110°С в течение 5ч. и подвергают протирке через сито 40.МКМ для разрушения конгломератов. Готовую смесь прессуют под давлением 1 - 1,5т/см2 Б брикеты d 2dMM, li 15-20мм и подвергают высокотемпературной вакуумной термообработке в вакуумной печи типа СМВЛ при вакууме 3-7-10 мм. рт. ст и 1300°С в .течение 4 ч. После этого продукты взаимодействия измельчают.в ямМовом барабане емкостью 0,5л в течение 4ч в среде этилового спирта. Далее полученную смесь сушат в термошкафах при t 50-10C в течение 3ч и просеивают через сито.4 мкм. Примеры конкретйого выполнения сплава с (эНтимальным содержанием ингредиентов, ./о: Пример 1 Хром .- 38,4 . Тантал12,2 Церий2,9 Кремний46,5 Пример 2 Хром .40,9 Магний1,0,0 Тантал5.0 Кремний 44 1 ; . Указанные составы, позволяют получить : методом ионноплазменного распылений высокоомные прецизионные тонкопленочные резисторы со следующими характеристиками: при толщине резистивной пленки от 0,02 до 0,14 мкм стабильность сопротивления за 1000ч. при t -130С составляет 0,05- 0,06%, температурный коэффициент сопротивления (0,2-0,5) 10.град , удельное поверхностное сопротивление 200-2000 OM/D. Преимущество предлагаемого резистив110Гб Материала заключается в том, что при технологической толщине резмстнвной пленки свымю 100 нм температурный коэффи пиент сопротивления MtnibHje на порядок величины, чем у известного материала, что позволяет изготавливать прецизионные тонкопленочные резисторы с температурным коэффициентом сопротивления порядка Юград Формула изобретения Резис.тивный сплав, содержащий хром, кремний, церий или магний и металл переходной группы, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления, он содержит в качестве металла переходной группы тантал при следующем кол ичественном соотношении компонентов, вес.%: Хром36,0-40,9 Тантал5,0-19,0 Церий или м.агний1,0-10,0 Кремний....Остальное. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № , кл. Н 01 С 7/00, 1970. : 2.Авторское свидетельство СССР № 287161, кл. Н 01 С 3/14, 1969.

Похожие патенты SU647750A1

название год авторы номер документа
Устройство для хранения и поиска носителей информации,закодированных магнитными элементами 1976
  • Пукенец Иван Климентьевич
  • Шутов Юрий Иванович
SU647713A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2008
  • Уваров Дмитрий Иванович
  • Уткин Валерий Николаевич
RU2369934C1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2007
  • Котов Валерий Николаевич
  • Уваров Дмитрий Иванович
RU2338283C1
Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов 1981
  • Юсипов Наиль Юсипович
SU1056281A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2008
  • Уваров Дмитрий Иванович
  • Уткин Валерий Николаевич
RU2369933C1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1993
  • Ряхин Владимир Федорович
RU2036521C1
Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов 1980
  • Волкова Вилена Львовна
  • Гудков Алексей Сергеевич
  • Ряхин Владимир Федорович
  • Максимцова Галина Абрамовна
  • Богаткова Валентина Васильевна
  • Загинайло Владимир Иванович
  • Закс Илья Владимирович
SU924765A1
АМОРФНЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ 2007
  • Фармаковский Борис Владимирович
  • Сомкова Екатерина Александровна
  • Юрков Максим Анатольевич
  • Точенюк Дарья Александровна
  • Быстров Руслан Юрьевич
  • Семёнов Александр Сергеевич
RU2351672C2
Резистивный материал для тонкопленочных резисторов 1981
  • Слушков Михаил Григорьевич
  • Карпеченков Василий Иванович
  • Теплицкая Светлана Викторовна
  • Астров Евгений Иванович
  • Шоткин Юрий Аронович
SU1019500A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ НА ЕГО БАЗЕ 2006
  • Уткин Валерий Николаевич
  • Кортунова Людмила Яковлевна
  • Семенова Алевтина Юрьевна
RU2323497C1

Реферат патента 1979 года Резистивный сплав

Формула изобретения SU 647 750 A1

SU 647 750 A1

Авторы

Минеев Алексей Семенович

Кочуков Валерий Иванович

Карымов Игорь Павлович

Даты

1979-02-15Публикация

1977-09-23Подача