Способ изготовления уплотнительной прокладки Советский патент 1980 года по МПК F16J15/08 

Изобретение относится к области уплот нителыюй текники и может быть использовано для получения сверхнизких давле шй. Известнь способы изготовпеш я прокладок для сверхвысоковакуумных систем с канавочно-ктпювым yплoтнeниe ;5 который заключается в вырезании и формовании прокладки из отожженной и покрытой слоем индия, меди fl. Недостатком известного способа являет ся малый срок службы прокладки. и.елью изобретею1Я является увеличение срока службы прокладки. С этой целью слой индия на медную прокладку наносятгальваническим способом, а затем прокладку помещают в вакуумную камеру, где производят обезгаживание и диффузионное насыщение меди индием при температуре 150-156 С в течение 15-30 При сжат1ш прокладки пленка инд1Ш играет роль смазки, уменьшаюшей усипие затяжки, и способствует заполнению поверхностных дефектов. Дчя достижения положительных качеств прокладки необходима следующая последовати1ьность технолопгческих процессов. 1.Из отожжен Юй в вакуул е га стсжой меди формуют соответствующий профиль уплотняющих прокладок. 2.Прокладку помещают в гальваничес1 5ю сернокислую , где и происходит осаж дэние индия на медгг/ю прокладку. Состав и режим работы электролита: Сернокислый индий 7.n(,rj 5O-70 Сернокислый натрийMc(,j SO -fOH.Q, г/л 1О-15 Тиомочевина, г/л Рабочая температура,С 15-25 2,0-2,7 0,01-О,О2 Плотность тока, а/см 60-80 Выход по току, % Л еталлический индийР асстояние мемизу эпекгродами, м0,09-0,1 Для,выравнивания -поверхности вводится сглаживающая добавка, например кумарин. Топщина покрытия 2О-3() Mies. 3. Затем прокладку помещают в Daiiyy. камеру, где происходит насыщение поверхности меди индием методом выдержки при температуре рекристаллизации меди в высоком вакууме. Условие обработки: вакуум - 10 мм рт. от. Такая технология пригодна для массового производства. Кроме того, возмонсно покрытие индием меднык прокладок, бывших в эксплуатации. Прокладки с гапьваничес;кшС покрытием индия способны выдерживать 130-140 цикпсйа сборки разборки против 4-5 циклов по известному способу. Формула изобретения Способ изготовпаьшя уппотшгтепъной прокладки для сверхвысоковакуумных сис914 тем с каноБотпо-кпипоБым ynnoTHeHHCNfj вырезанной из отожженной и покрытой слоем ИНДИЯ меди, о т п и ч а ю щ и й- с я тем, что, с цепью усепичения срока службы прокладки, спой индия ка медщпо прокладку наносят гальванг,ческим способом, а затем прокладку помещают в ва куул-1ную камеру, где производят обэзгаживанне и диффузионное насыщение меди индием при температуре 15С 156°С в течение 15-30 мгаь Ис точн и ки и нф о рм а i-un i, принятые во внитлание при экспертизе 1, А. Рот Вакуумные уппоть:9Ш1я,, 1971, с. 268, Энергия, 154.