Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU801116A1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении высокоомных постоянных и переменных резисторов, а также резистивных паст для толстопленочных микросхем. Известен материал для толстопленочных резисторов, содержащий окись индия, окись серебра и палладий 1, Недостатком известного материала является узкий диапазон значений соп ротивления. Наиболее близок к предлагаемому по технической сущности резистивный материал, содержащий окись индия и пятиокись сурьмы 2. К недостаткам известного материала следует отнести довольно узкий диапазон значений сопротивления и до вольно высокое значение температурно го коэффициента сопротивления. Цель изобретения - расширение диа пазона сопротивления материала и сни жение температурного коэффициента сопротивления. Указанная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий окись индия и пятиокись сурьмы, дополнительно содержит пятиокись ниоби при следующем соотношении компонентов, вес.%: Окись индия94,0-97,5 Пятиокись сурьмы 2,0-3,0 Пятиокись ниобия 0,5-3,0 Пример 1. Для получения 100 г резистивного материала содержащего, вес.%: окись индия 94,0; пятиокись сурьмы 3,0; пятиокись ниобия 3,0 приготавливают шихту из исходных соединений индия, сурьквл и ниобия, взятых в виде нитратов, окислов и сульфатов, ч: нитрат индия (Jn(NO) 5,) 270,4; пятиокись сурьмы (SbrjOa) 3,0; сульфат ниобия Alj 0,(30) NbijO SO. 0,6Н,0 4,4. Шихту усредняют в барабане шаровой мельницы в течение 4-х ч, а затем прокаливают при 950с в течение 2-3 ч. П р и м 2. Для получения 100 г резистивного материала, содержащего, вес.%: окись индия 97,5; пятиокись сурьмы 2,0; пятиокись ниобия 0,5 .приготавливают смесь исходных .компонентов, взятых в виде соединений индия, сурьмы и ниобия, 4J нитрат индия (3n(NOj) - 4,55HQ.d) 268,6; пятиокись сурьмы (SbjOgJ 2,0; сульфат ниобия ( (SO4)Nb,. 0,7.

Последующие операции аналогичны описанным в примере 1.

Пример 3. Для получения 263 г резистивного материала, содержащего, вес,% окись индия 96,5; пятиокись сурьмы 3,0; пятиокись ниобия 0,5 приготавливают смесь исходных компонентов, ч: нитрат индия 3r(NOj) 4,55 НоО 700; пятиокись сурьмы

Удельное сопротивление резисторов, кОм/см

1110 205 69Э

Расширение диапазона сопротивления, и более низкий температурный коэффициент сопротивления делает возможным применение реэистивного цате-, риала на основе окиси индия с добавками сурьмы и ниобия вместо дорогостоящих композиций на основе платиновых металлов при изготовлении толстопленочных рэзисторов.

Формула изобретения

Резистивный материал, содержащий окись индия и пятиокись сурьмы, отличающийс я тем, что, с целью расширения диапазона сопроSbjOg 7,9; сульфат ниобия

Nb,,- 9Н,0 .

NbgO,,(,

Последующие операции аналогичны

описанным в примере 1,, В таблице приведены характеристики резисторов, изготовленных из материалов с различным содержанием исходных компонентов.

Температурный коэффициент сопротивления, в области 20 -

.

2,8 - 6,0

-5.3

3,0 - 7.,3

- -5zZ 4,9 - 6,3

тивления и снижения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит пятиокись ниобия при следующем соотношении компонентов, вес,%: Окись индия Пятиокись сурьмы Пятиокись ниобия

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР 491162, кл. Н 01 С 7/00, 1974.

2.Шутова Р.Ф., Афанасьева М.А., Ланцевицкая Н.В., Чефранова И.А,

и Яковлев Б.Я. Электронная промыш 4, 1971, с. 7.6.

ленность

Похожие патенты SU801116A1

название год авторы номер документа
Материал для резисторов 1980
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Фомина Евгения Михайловна
  • Чигонин Николай Николаевич
  • Пушкина Галина Николаевна
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU898517A1
Резистивный материал 1974
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Крылова Наталья Георгиевна
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Варфоломеев Михаил Борисович
  • Миронова Анна Сергеевна
SU500546A1
Резистивная композиция 1980
  • Минолгене Юрате Брониславовна
  • Симанавичене Виргиния Броневна
  • Садаускас Кестутис Витаутович
SU970484A1
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Лисицкий В.В.
  • Измайлов Ш.З.
  • Шориков Ю.С.
  • Румянцева Е.А.
RU2033648C1
Резистивный материал 1974
  • Болгарина Тамара Никитична
  • Безруков Владимир Ильич
  • Шибалова Рогнеда Васильевна
SU495714A1
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала 1982
  • Андреева Нина Александровна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Андреев Дмитрий Алексеевич
  • Константинов Олег Владиславович
  • Аборинская Нина Сергеевна
  • Голубцова Лидия Александровна
  • Бертош Иван Григорьевич
  • Соловьева Лидия Алексеевна
SU1028644A1
Стекло 1983
  • Немкович Ирина Константиновна
  • Невар Ольга Валентиновна
  • Рабыкина Лариса Владимировна
  • Колосова Наталья Николаевна
  • Байкова Екатерина Михайловна
SU1180360A1
Резистивный материал 1978
  • Проценко Геннадий Викторович
  • Левкин Алексей Иванович
  • Макевнина Татьяна Ивановна
SU879657A1
Резистивная паста 1981
  • Безруков Владимир Ильич
  • Дубинина Маргарита Петровна
  • Голоденко Меланья Ефимовна
  • Самсонов Александр Тимофеевич
  • Воропаев Альберт Григорьевич
  • Писляков Александр Викторович
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Шутова Раиса Фроловна
SU1005196A1
Резистивный материал 1976
  • Горячева Зинаида Васильевна
  • Грибенюк Юрий Николаевич
  • Раксин Леонид Яковлевич
  • Кривошей Анатолий Вениаминович
  • Баскакова Ольга Николаевна
SU643979A1

Реферат патента 1981 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 801 116 A1

SU 801 116 A1

Авторы

Безруков Владимир Ильич

Дубинина Маргарита Петровна

Голоденко Меланья Ефимовна

Купина Лариса Дмитриевна

Колдашов Николай Дмитриевич

Воробьева Галина Васильевна

Даты

1981-01-30Публикация

1978-11-09Подача