Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/00 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении резисторов, работа ющих при высоких температурах, с функциональной зависимостью удельно го электросопротивления от времени. Известен резистивный материал, содержащий сульфид меди 1 . Однако данной материал невозможно использовать в качестве резистив ного вследствие сравнительно высоко электронной составляющей г1роводимос ти,которая обусловлена природой нестехиометрииэтого химического со единения. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является р|езистивный материал, содержащий сульфид серебра и тяжелого металла Недостаток этого материала состо ит в высокой электронной составляющей проводимости. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей. Указанная цель достигается тем, что в резистивном материале, содержащем сульфид серебра и сульфид тяжелого металла, качестве сульфида тяжелого металла используется сульфид меди при следующем количественном соотношении компонентов, мол.%5 Сульфид меди 25-75 Сульфид серебра 25-75 Резистивный материал представляет собой твердый раствор, характеризую-, щийся общей формулой ( i где X 0,25-0,75. Твердые растворы получают спеканием в вакууме при определенной температуре меди, серебра и с&ры, взятых в нужном соор ношении. После спекания порошок подвергают гомогенизации и прессуют образцы. Пример. Для получения твердых растворов предлагаемого состава используют чистые компоненты: серебро чистоты 99,999%, медь электролитическая марки ОСЧ 11-4 и сера элементарная марки ОСЧ 14-4. Компоненты спекают в ампулах при давлении 10 мм рт.ст. и при 550с. После спекания фазы тщательно перетирают в агатовой ступке, полученный порошок подвергают гомогенизации при , затем из него прессуют .образцы. I Изготавливают образцы из твердых растворов. В таблице ..приведены составы полученных .образцов и данные измерени электронной и ионной составляющих проводимости при . Соотношение металл-сера в раство ре методом кулонометрического титро вания в г.альванической цепи Ag/Agtil ( )2 5) устанавлива ется с высокой точностью стехиометрическим. Измерение электропроводности осуществляют, прижимными йольфрамовы ми зондами компенсационным методом с помощью полуавтоматического потен циометра. Как видно из. таблицы, увеличение или уменьшение содержания сульфида серебра приводит к существенному росту электронной.составляющей. Кривые, зависимости величины удельного электросопротивления пред лагаемого материала -от времени при 400с приведены на чертеже. Момент времени t tg соответствует включению постоянного тока, про пускаемого через образец, помещенный между двумя химически нейтральными электродами. Процесс плавного увеличения электросопротивления обусловле постепенным подавлением ионной составляющей проводимости за счет поляризацио :5ного эффекта. Суть его

Формула изобретения Резистивный материал, содержащий сульфид серебра и сульфид тяжелого металла, отличающийся т, что, с целью расширения функциональных возможностей, в качестве сульфида тяжелого металла используют сульфид меди при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%:

Сульфид меди 25-75 Сульфид серебра 25-75

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. J. Chem. Phus, 26, 6, 1602,

2 Патент Японии № 342, кл. 62 А 22 ,

опублик. 1972 (прототип). состоит -в том, что подвижные ионы (ионы серебра) концентрируются у отрицательного электрода. Сила тока выбирается так, что электролиз токопроводящей фазы не происходит. Градиент концентрации ионов серебра вызывает диффузионный поток. В стационарном состоянии дрейфовый и диффузионный потоки компенсируют друг друга и через образец течет только электронный ток. Таким образом, электропроводность образца уменьшается от величины ( - GTg (в насальный момент времени) до величины Ge (в стационарном поляризованном состоянии) . В результате введения сульфида серебра в сульфид меди величина электронной составлякндей проводимости для предлагаемого материала приобретает значения 1 Ом -см . Такая величина проводимости по.зволяет на основе этих материалов создавать высокотемпературные резисторы с функциональной зависимостью величины сопротивления от времени, которые в ряде случаев могут Зс1менять сложные электромеханические потенциометры, применяемые в технике, а также электронные схемы с временной задержкой, особенно-при высоких температурах (до ).

i,HUH