(54) МНОГОВЫХОДНОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Многовыходное логическое устройство | 1981 |
|
SU1015499A2 |
Устройство согласования | 1986 |
|
SU1383483A1 |
Д-триггер | 1984 |
|
SU1221714A1 |
Устройство согласования | 1984 |
|
SU1173552A1 |
Цифровая полупроводниковая интегральная схема с тремя состояниями на выходе | 1980 |
|
SU900454A1 |
Логический элемент | 1984 |
|
SU1173551A1 |
Логическое устройство | 1984 |
|
SU1213521A1 |
Триггер | 1983 |
|
SU1150734A1 |
ИМПУЛЬСНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ | 2001 |
|
RU2216765C2 |
МИКРОМОЩНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ С ВЫСОКОЙ НАГРУЗОЧНОЙ СПОСОБНОСТЬЮ | 1999 |
|
RU2172064C2 |
Изобретение относится к импульсно технике. Известно устройство, содержащее триггеры на транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми связями 1. Наиболее близкое к предлагаемому устройство содержит транзистор первого типа проводимости, эмиттер кото рого соединен с первой шиной питания база - со входом устройства и коллек тором транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключе .ко второй шине питания, база - к кол лектору транзистора первого типа про водимости J2. .Общим недостатком известных устройств являются узкие функционгшьные возможности, вследствие невозможност выполнения логических операций. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей. Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем транзистор первого типа проводимоеТ1, эмиттер которого соединен с первой шиной питания, база - со входом устройства и коллектором транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен ко второй шине питания, база - к коллектору трйнзистора первого .типа проводимости, дополнительные коллекторы транзистора второго типа проводимости подключены к выходам устройства. Транзистор первого типа проводимости выполнен в виде транзистора Шоттки. На чертеже представлена принципиальная схема прдлагаемого устройства. Устройство содержит транзистор 1 первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с первой шиной 2 питания,, ваза - со входом 3 устройства и коллектором 1 транзистора 4 второго типа проводимости, эмиттер которого подключен ко второй шине 5 питания, база - к коллектору транзистора 1 первого типа проводимости, дополнительные коллекторы транзистора 4 второго типа проводимости подключены к выходам б устройства. Устройство работает следующим образом. . Пусть транзистор 1 первого типа проводимости выполнен в виде р-п-р транзистора, транзистор 4 второго типа проводимости - в виде п-р-п транзистора, первая шина 2 питания
одключена к источнику положительной полярности, а вторая шина 5 пиания - к источнику нулевого потенциала. При подаче на вход 3 устройства импульса нулевого уровня транзисторы 1 и 4 первого и второго типов проводимости открываются, при этом в коллекторы транзистора 4 второго типа проводимости, подключенные к выходам б устройств, начинает втекать ток, включающий следующее аналогичное устройство. Наличие нескольких коллекторов у транзистора 4 позволяет разветвлять сигнал и при объединении выходов б различных аналогичных устройств позволяет осуществлять логические операции, например логическое сложение.
Выключение устройства производится одним из двух способов.
В первом случае отключается питание или используется импульсное питание, которое подается через резистор с малым сопротивлением.
Во втором случае .используется или импульсное, или постоянное питание, которое подается через погрузочный резистор с большим сопротивлением, обеспечивающим единственное устойчивое состояние устройства, при котором вбё входящие в него транзисторы закрыты.
При подаче на вход 3 устройства импульса нулевого уровня на выходах б устройства вырабатывается импульс нулевого уровня, длительность которого обусловлена динамическими параметрами входящих в устройство транзисторов.
Исйользование предлагаемого устройства позволяет проектировать им5
опульсные системы, выполняющие как функцию запоминания, так и сложные логические функции. Использование . транзистора Шоттки в качестве транзистора первого типа проводимости позволяет существенно повысить быстродействие устройства.
Формула изобретения
в виде транзистора Шоттки.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1965, с. 354, рис. 262.
Авторы
Даты
1981-05-30—Публикация
1979-08-02—Подача