Изобретение относится к технологии изготовления электрических машин и может быть использовано в электротехнической промышленности при очистке магнитопроводов. Известен способ очистки деталей в среде трифтортрихлорэтана с воздействием ультразвуковых колебаний, при этом трифтортрихлорэтан находится под слоем воды 1. Однако этот способ очистки недос таточно эффективен для очистки магн топроводов . Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ очист ки магнитопроводов, заключагачийся в том, что магнитопровод погружают в рабочую жидкость и подвергают жидкость ультразвуковому воздействи затем магнитопровод промывают и сушат 2. Недостатком данного способа является то, что он не обеспечивает очистку магнитопроводов от окислов пригара и других трудноудаляемлх загрязнений. Цель изобретения - повыиение эффективности очистки. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу очистки магнитопроводов в жидкость вводят абразив в количестве 3-500 г на литр, а ультразвук используют интенсивностью 0,1-30 Вт/см, при этом обработку ведут в течение 0,1-20 мин. Очистка магнитопроводов ocyciecTBляется в следующей последовательности . В емкость с рабочей жидкостью вводят абразив 3-500 г на литр и помещают туда магнитопроводы, подлежащие очистке. Устанавливают емкость с магнитопроводами в ультразвуковую ванну и заполняют ее водой, подвергают жидкость ультразвуковому воздействию интенсивностью 0,1-30 Вт/см. Обработку ведут в течение 0,1-20 мин. В процессе очистки абразив жидкой среде при наложении ультразвуковых колебаний действует на поверхность магнитопроводов как микрорежущий инструмент, снимая с него окалину,, загрязнения, окисную пленку. Затем магнитопроводы проглглвают и сушат. Выбор технологического режима очистки магнитопроводов зависит от размеров, формы и количества
об1 абатывае а1х во время очистки ма -нитопроводов. Ведение процесса очистки на параметрах режима до ихнижнего предела не обеспечивает эффективной очистки вследстви слабого воздействия на магнитопроводы„ При ведении процесса очистки на параметрах режима выше их верхнего предела происходит деформация магнитопровода, что недопустимо.
Изобретение позволяет повысить эффективность очистки за счет создания оптимального режима очистки
Формула изобретения
Способ очистки магнитопроводоВр заключакиийся в том, что магнитопровод погружают в рабочую жидкость и подвергают жидкость ультразвуковому воздействию, затем магнитопровод промывают и cyiuaT, отличающий ся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, в жидкость вводят абразив в количестве 3-500 г на литр, а ультразвук используют интенсивностью 0,1-30 Bт/c при этом обработку ведут в течение О ,1-20 мин.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1,Авторское свидетельство СССР № 380755, кл. С 22 G 5/2, 1973,
2.Авторское свидетельство СССР №208821, кл. Н 01 F 41/02, 1968.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ОЧИСТКИ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИСКУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ | 2013 |
|
RU2530469C1 |
СПОСОБ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ОЧИСТКИ ДЕТАЛЕЙ | 2010 |
|
RU2429920C1 |
Способ изготовления волоконно-оптической матрицы для биочипа (варианты) | 2019 |
|
RU2705593C1 |
СПОСОБ ДЕПОЛИМЕРИЗАЦИИ СИСТЕМЫ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКОВЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ | 2018 |
|
RU2725420C2 |
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ МЕДИ | 2013 |
|
RU2541237C1 |
СПОСОБ ОБЕЗЗАРАЖИВАНИЯ ЗЕРНОВОГО СЫРЬЯ | 2013 |
|
RU2539731C1 |
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ИММУНОТРОПНОГО СТЕРИЛЬНОГО АПИРОГЕННОГО ТОЛЕРАНТНОГО ПРЕПАРАТА НА ОСНОВЕ НАТРИЕВОЙ СОЛИ НИЗКОМОЛЕКУЛЯРНОЙ НАТИВНОЙ ДЕЗОКСИРИБОНУКЛЕИНОВОЙ КИСЛОТЫ | 2003 |
|
RU2236853C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОРБЕНТОВ | 2012 |
|
RU2490058C1 |
СПОСОБ ОБОГАЩЕНИЯ ПРИРОДНОГО КВАРЦЕВОГО СЫРЬЯ | 2011 |
|
RU2483024C2 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ ИЗ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 1987 |
|
RU1445128C |
Авторы
Даты
1981-06-15—Публикация
1979-10-18—Подача