Способ приготовления реплик Советский патент 1982 года по МПК G01N1/28 

(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РЕПЛИК

1

Изобретение относится к технологии приготовления объектов для электронно-микроскопических исследований.

Известны способы приготовления объектов для электронно-микроскопических исследований в виде обычных реплик 1.

Однако данные способы не позволяют при исследовании объектов выявить определенное направление на электронно-микроскопическом изображении. Такая задача возникает, например, при исследовании объектов с морфологическими поверхностными неоднородностями в определенных направлениях размером менее 2-3 мм, пленках полупроводников и металлов переменной толщины, выявлении микронеоднородностей полупроводниковых кристаллов и т.п.

Наиболее близким к предлагаемому является способ приготовления самооттененных углеродных реплик, заключающийся в том, что при приготовлении, реплик плоскость объекта располагают под .углом к направлению распространения материала реплики (углерода) в специальном вакуумном устройстве 2 Однако при дальнейших операциях с репликой происходит неконтролируемый

поворот реплики, что делает невозможным соотнесение заданного направления на объекте и его электронномикроскопическом изображении.

Цель изобретения - повышение информативности исследования за счет получения ориентированных относительно объекта реплик.

Указанная цель достигается тем,

10 что согласно способу приготовления реплик путем вакуумного распыления материала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению распыления, на поверхность объекта наносят линейную метку, а распыление материала реплики производят в направлении, проекция которого на плоскость объекта параллельна указанной метке.

20 Направление теней на реплике, по.лученной таким способом, указывает зафиксированное линейной меткой направление.

Например., для иссл.едования объектов, представляющих собой пленки теллурида цинка переменной толщины (0,002-1 мкм) на германиевых пластинах размером 2-3 мм, на их поверхность наносится самооттененная углеродная реплика (под углом оттенения

45°) с помощью данного способа. Линейную метку наносят в направлении наибольшего изменения толщины пленок.

Использование предлагаемого способа позволяет изучить процессы формирования полупроводниковых гетероструктур теллурид цинка - германий, изменение морфологических характерис,тик пленок в зависимости от их толщины, зародышеобразование, рост и коалесценцию кристаллических частиц теллурида цинка при ранних стадиях роста и при автоэпитаксиальном росте.

Способ может быть использован при ориентировании реплик и других объектов для электронной микроскопии путем их оттенения, например биологических, кристаллических и др. С его помощью можно исследовать объекты по морфологическим неоднородностям на участках поверхности размером менее 2-3 мм, и тем самым повысить информативность измерений.

Формула изобретения

Способ приготовления реплик путем вакуумного распыления материала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению/ распыления, отличающийся тем, что, с целью повыяения информативности исследования, на поверхность объекта наносят линейную метку, а распыление материала реплики производят в направлении, проекция которого на плоскость объекта параллел-ьна указанной метке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

2.Шиммель Г. Методика электронной 4икpocкoпии. М., Мир, 1972, с. 117 (прототип).