Раствор для активирования поверхности диэлектриков Советский патент 1982 года по МПК C23C3/02 

I

Изобретение относится к нанесению металлических покрытий на диэлектрики, в частности к растворам для активирования поверхности перед нанесением покрытий.

Известны растворы для активирования поверхности диэлектриков на основе солей палладия или серебра 1 .

Однако использование их затруднено из-за большого расхода палладия, а также незначительной стабильности растворов.

Известны также коллоидные растворы активирования на основе соединений неблагородных металлов.

Наиболее близким к предлагаемому по техническому существу и достигаемому результату является раствор, содержащий соединение неблагородного металла, например меди, кобальта, никеля или железа, стабилизатор, например поверхностно-активное вещество, и щелочь 21 .

Однако известный раствор не дает возможности получать достаточно плотные с хорошей адгезией к подложке. Кроме того, использование известного раствора не дает возможности получать покрытия заданной конфигурации в процессе фотохимической металлизации.

Цель изобретения - повышение адгезии и плотности покрытий при фото10химической металлизации.

Поставленная цель достигается тем, что раствор, содержащий соединение неблагородного металла и щелочь , дополнительно содержит комплексообразователь, а в качестве соединения металла - соединение висмута(III) при следующем соотношении компонентов, г/л:

20

Соединение висмута (1Г1) 10-20 Комплексообразователь 50-60 Целочь 5-50 39 В качестве комплексообраэователя раствор содержит тартраты, цитраты щелочных металлов, глицерин, винную кислоту, этилендиаминтетрауксусную кислоту. В качестве соединения висмута тартрат, цитрат или гидроокись висмута, Для приготовления раствора соединение висмута обрабатывают щелочным раствором комплексообразователя, рН раствора 5 I 3 , Активирование проводят при комнат ной температуре. На поверхности диэлектрика, обработанной активирующим раствором, при облучении УФ-светом образуются частицы металлического висмута, которые катализируют осаждение металлов. При использовании предлагаемого раствора обезжиренную и высушенную поверхность диэлектрика (стеклотекстолит, гетинакс, полиметилметакрилат, ткань, целлофан, бумага и др.) обрабатывают в составах согласно с примерами 1-7, представленными в табл. 1. Для улучшения смачиваемости повер ности к указанным составам могут быт добавлены поверхностно-активные вещества, например ОП-7, ОП-10 и др. Активированная поверхность после суш ки экспонируется УФ-светом ( мм причем для проведения избирательной металлизации экспонирование проводят через трафарет или фотошаблон. На об работанную поверхность (энергия пото

Табл

и ц а I 4 на в среднем -Ю дж/см диэлектрй ка осаждают медь или другие металлы из известных растворов химической металлизации, например из раствора, содержащего, г/л: CuSOi, ЗНгО SCdSO а затем при необходимости, гальваническое покрытие. В результате металлизации образуются плотные, равномерные покрытия необходимой конфигурации и требуемой толщины. Плотность и адгезия получаемых .покрытий выше, чем у покрытий, получаемых после обработки в известном растворе. Данные по испытаниям медных покрытий толщиной 2 мкм, представлены в табл. 2. Как видно из данных таблицы, обработка в предлагаемом растворе активирования позволяет получать плотные металлические покрытия с высокой адгезией к основе. Качество покрытий сохраняется при выдержке обработанной в активирующем растворе и УФ-светом поверхности в течение 30 ч, что свидетельствует о сохранении свойств активированной в предложенном растворе поверхности. Раствор стабилен при хранении.

10 20

50

50

20

10 10

10 10

50

502-5

505

505

60

505

50

505

50

5D5

Формула изобретения

Соединение висмута (III) 10-20 Комплексообразователь 50-60 Щелочь .

Таблиц

при любых а

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1,Шалкаускас С.и др. Химическая металлизация пластмасс. Л., Химия,

с. 65-69.

2.Патент США № 40t835,кл.27-30+ опублик. 1977.