Оксидно-полупроводниковый конденсатор Советский патент 1982 года по МПК H01G9/00 H01G9/08 

Описание патента на изобретение SU974432A1

(54) ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР

Похожие патенты SU974432A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ КОНДЕНСАТОРА И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР 2011
  • Степанов Александр Викторович
  • Конышев Владимир Сергеевич
  • Цыплакова Людмила Николаевна
  • Старостин Сергей Петрович
  • Масалёв Алексей Александрович
  • Чесноков Юрий Александрович
RU2463679C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА 2011
  • Пойлов Владимир Зотович
  • Степанов Александр Викторович
  • Конышев Владимир Сергеевич
  • Лебедев Виктор Петрович
  • Лановецкий Сергей Викторович
  • Кузьминых Константин Геннадьевич
RU2480855C1
Способ изготовления катодного покрытия на основе электропроводящего полимера и твердотельный электролитический конденсатор с улучшенными емкостными характеристиками 2022
  • Гафиатуллин Ильшат Талгатович
  • Калугина Дарья Альбертовна
RU2790858C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТЫХ АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 1992
  • Ковалев В.В.
  • Воробьева Н.С.
  • Кыров В.Н.
  • Цыплакова Л.Н.
RU2033899C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ, ИМЕЮЩИХ НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ 2009
  • Карабулут Хикмет
  • Меркер Удо
  • Ройтер Кнуд
  • Пассинг Герд
RU2543486C2
Способ изготовления объемно-пористого анода электролитического конденсатора 1981
  • Ивановский Леонид Евгеньевич
  • Батухтин Виктор Павлович
  • Храмов Андрей Петрович
  • Манченко Игорь Викторович
  • Пархоменко Владимир Николаевич
SU1057995A1
Способ изготовления катодного покрытия на основе электропроводящего полимера и твердотельный электролитический конденсатор с низким эквивалентным последовательным сопротивлением и повышенной реализацией емкости анода 2023
  • Калугина Дарья Альбертовна
  • Гафиатуллин Ильшат Талгатович
RU2816258C1
КОНДЕНСАТОР 2006
  • Шниттер Кристоф
  • Брумм Хольгер
  • Раволь Кристина
  • Маккрэкен Колин
RU2416837C9
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТЫХ АНОДОВ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 1996
  • Скатков Леонид Ильич[Ua]
  • Черемской Петр Григорьевич[Ua]
  • Гомозов Валерий Павлович[Ua]
  • Байрачный Борис Иванович[Ua]
RU2107966C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА 2005
  • Калинин Юрий Афанасьевич
  • Цыплакова Людмила Николаевна
  • Зирка Валентина Ивановна
  • Мымрина Нина Васильевна
  • Кыров Валерий Николаевич
RU2284070C9

Иллюстрации к изобретению SU 974 432 A1

Реферат патента 1982 года Оксидно-полупроводниковый конденсатор

Формула изобретения SU 974 432 A1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении оксиднополупроводниковых конденсаторов на повышенные частоты.

Известен оксидно-полупроводниковый конденсатор, содержащий объем- , но-пористый цилиндрический анод из спеченных частиц вентильного металла, снабженный проволочным выводом и покрытый оксидным, полупроводниковым и проводящим слоями 1 .

Недостатками конденсатора известной конструкции являются заниженные значения емкости и повышенные значения тангенса угла диэлектрических потерь.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является оксидно-полупроводниковый конденсатор, содержаиций объемно-пористый цилиндрический анод из спеченных частиц вентильного металла, снабженный проволочным выводом, один конец которого размещен в теле анода, покрытого оксидным, полупроводниковым и проводящими слоями с 2.

Конденсатор данной конструкции х.1рактеризуется недостаточно высоким диапазоном частот.

Цель изобретения - расширение частоты диапазона.

Указанная цель достигается тем, что в оксидно-полупроводниковом конденсаторе, содержащем объег шо-пористый цилиндрический анод из спеченных частиц вентильного металла, снабженный проволочным выводом, один конец которого размещен в теле анода,

10 покрытого оксидным, полупроводниковым и проводящим слоями, -часть вывода, размещенная в теле анода, выполнена в виде двух п-образно изогнутых проволок, расположенных во взаимно перпендикулярных плоскостях и отстоящих от наружной поверхности анода на расстоянии, равном половине радиуса анода.

На фиг. 1 представлен предлагае20мый оксидно-полупроводниковый конденсатор, поперечный разрез; на фиг. 2 - объемно-пористый анод конденсатора} на фиг. 3 - проволочный вывод анода конденсатора.

25

Оксидно-полупроводниковый конденсатор содержит объемно-пористый цилиндрический анод 1, снабженный проволочным выводом 2. Часть вывода 2, размещенная в тале анода 1, выполне30на в виде двух соединенных между

собой П-обраэных проволочных скоб 3,, расположенных во взаимно перпенди- , кулярных плоскостях и отстоящих от наружной поверхности анода 1 на расстоянии, не превмигиошем половины радиуса анода. Анод 1 покрыт оксидным 4, полупроводниковым 5 и проводящим б слоями.

Ниобиевый оксидно-полупроводннковьОЛ конденсатор номинала 168 68 мкф имеет анод 06 мм и высотой 11 мм, снав)ённый проволочным диаметром 0,6 мм

Ниже в табл. 1 приведены средние .значения электропараметров известных и предлагаемых конденсаторов на различных частотс1х.

Вид конденсатора

Предлагаемый на частоте :

0,36

Известный 0,3 Предлагаемый

Формула изобретения Оксидно-полупроводниковый конденсатор, содержащий объемно-пористый цилиндрический анод из спеченных частиц вентильного металла, снабженный проволочным выводом, один конец которого размещен в теле анода, покрытого оксидным, полупроводниковым и проводящим слоями, отличающийся тем, что, с цепью расширения частотного диапазона, часть вывода, размещеннг1я в теле анода, выВ табл.- 2 приведены средние значения импеданса известного и предлагаемого конденсаторов на различных частотах.

Таким образом, предлагаемый оксидно-полупроводниковый конденсатор позволяет расширить область применения, так как обеспечивает создание высоковольтных конденсаторов на повышенные частоты и возможность применения цилиндрических частотных конденсаторов в серийной аппаратуре и упростить процесс изготовления за счет использования всего существующего оборудования.

Таблица 1

Электропараметры

С, мкф tgcf, % I 1ут, мкА

Таблица 2

0,24

0,24 0,16 0,16

полнена в виде двух П-образно изогнутых проволок, расположенных во взаимно перпендикулярных плоскостях и отстоящих от наружной поверхности на расстоянии, равном половине радиуса анода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Закгейм А.И. Электрические конденсаторы. М., 1963, с, 204-239.2.Авторское свидетельство СССР W556510, кл. Н 01 G 9/04, 1974.

SU 974 432 A1

Авторы

Иванов Игорь Григорьевич

Скатков Илья Борисович

Корсун Леонид Андреевич

Даты

1982-11-15Публикация

1979-07-16Подача