СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ, СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПРОВОД И СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Российский патент 2008 года по МПК H01B12/06 H01B13/00 

Область техники

[0001] Данное изобретение относится к сверхпроводящему тонкопленочному материалу, сверхпроводящему проводу и способу их изготовления. В частности, данное изобретение относится к сверхпроводящему тонкопленочному материалу, сверхпроводящему проводу и способу их изготовления, способным повысить степень увеличения критического тока, связанного с увеличенной толщиной пленки.

Предшествующий уровень техники

[0002] Со времени открытия высокотемпературных сверхпроводников в научно-исследовательских институтах всего мира был проведен значительный объем работ в направлении совершенствования сверхпроводящих проводов с целью их использования в силовом электрооборудовании, таком как кабели, ограничители выброса тока или магниты.

[0003] Примеры традиционных сверхпроводящих проводов включают сверхпроводящий провод, в котором сверхпроводящая тонкая пленка сформирована непосредственно на подложке (см., например, выложенный патент Японии № 06-031604 (патентный документ 1), выложенный патент Японии № 06-068727 (патентный документ 2) и выложенный патент Японии № 06-068728 (патентный документ 3)), и сверхпроводящий провод, в котором сверхпроводящая тонкая пленка сформирована на подложке с размещенным между ними промежуточным слоем (см., например, Fujino et al., "Development of High-Temperature Superconducting Thin Film Tape Using the ISD Method", SEI Technical Review, September 1999, vol. 155, pp.131-135 (непатентный документ 1)).

[0004] Кроме того, было предложено при изготовлении такого сверхпроводящего провода предварительно полировать поверхность подложки и затем формировать сверхпроводящую тонкую пленку на поверхности такой подложки, чтобы получить высокий критический ток (см., например, патентные документы 1-3).

Патентный документ 1: Выложенный патент Японии № 06-031604.

Патентный документ 2: Выложенный патент Японии № 06-068727.

Патентный документ 3: Выложенный патент Японии № 06-068728.

Непатентный документ 1: Fujino et al., "Development of High-Temperature Superconducting Thin Film Tape Using the ISD Method", SEI Technical Review, September 1999, vol. 155, pp.131-135.

Раскрытие изобретения

Проблемы, решаемые изобретением

[0005] Для того чтобы получить высокий критический ток в сверхпроводящей тонкой пленке, гладкость поверхности этой сверхпроводящей тонкой пленки является критически важным фактором. Однако гладкость поверхности сверхпроводящей тонкой пленки ухудшается с увеличением толщины сверхпроводящей тонкой пленки.

[0006] Вследствие этого, даже в случае, когда изготавливают сверхпроводящую тонкую пленку увеличенной толщины для получения высокого критического тока, увеличение критического тока, связанное с увеличенной толщиной пленки, постепенно замедляется, приводя к невозможности достижения высокого критического тока.

[0007] Поэтому одна из задач данного изобретения состоит в том, чтобы предложить сверхпроводящий тонкопленочный материал, сверхпроводящий провод и способ их изготовления, способные повысить степень увеличения критического тока, связанного с увеличенной толщиной пленки.

Средства для решения проблем

[0008] Данное изобретение представляет собой сверхпроводящий тонкопленочный материал, включающий в себя первую сверхпроводящую тонкую пленку, имеющую поверхность, подвергнутую выравниванию, и вторую сверхпроводящую тонкую пленку, сформированную на подвергнутой выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки.

[0009] В сверхпроводящем тонкопленочном материале по данному изобретению указанное выравнивание может быть проведено с помощью по меньшей мере одной из механической полировки и химической полировки.

[0010] Кроме того, данное изобретение представляет собой сверхпроводящий провод, включающий в себя подложку, промежуточный слой, сформированный на этой подложке, и сверхпроводящий слой, сформированный на промежуточном слое, при этом сверхпроводящий слой выполнен из описанного выше сверхпроводящего тонкопленочного материала.

[0011] В сверхпроводящем проводе по данному изобретению подложка может быть выполнена из элементарного металла или сплава. Кроме того, в сверхпроводящем проводе по данному изобретению промежуточный слой может быть выполнен из оксида с кристаллической структурой типа каменной соли, типа флюорита, типа перовскита или типа пирохлора.

[0012] Кроме того, в сверхпроводящем проводе по данному изобретению сверхпроводящий слой может быть выполнен из сверхпроводника RE-123.

[0013] Помимо этого данное изобретение представляет собой способ изготовления сверхпроводящего тонкопленочного материала, включающий в себя следующие стадии: проведение выравнивания поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки; и формирование второй сверхпроводящей тонкой пленки на подвергнутой выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки. В способе изготовления сверхпроводящего тонкопленочного материала по данному изобретению указанное выравнивание может быть проведено с помощью по меньшей мере одной из механической полировки и химической полировки.

[0014] Кроме того, данное изобретение представляет собой способ изготовления сверхпроводящего провода любого вида из описанных выше, включающий в себя следующие стадии: формирование промежуточного слоя на подложке; формирование первой сверхпроводящей тонкой пленки на промежуточном слое; проведение выравнивания поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки; и формирование второй сверхпроводящей тонкой пленки на подвергнутой выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки.

Эффекты изобретения

[0015] В соответствии с данным изобретением могут быть предоставлены сверхпроводящий тонкопленочный материал, сверхпроводящий провод и способ их изготовления, способные повысить степень увеличения критического тока, связанного с увеличенной толщиной пленки.

Краткое описание чертежей

[0016] Фиг.1 представляет собой схематическое изображение в поперечном сечении, показывающее предпочтительный пример сверхпроводящего тонкопленочного материала по данному изобретению.

Фиг.2 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую предпочтительный пример способа изготовления сверхпроводящего тонкопленочного материала по данному изобретению.

Фиг.3 представляет собой схематическое изображение в поперечном сечении, показывающее часть предпочтительного примера сверхпроводящего провода по данному изобретению.

Фиг.4 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую предпочтительный пример способа изготовления сверхпроводящего провода по данному изобретению.

Фиг.5 представляет собой схематическое изображение в поперечном сечении, показывающее устройство, использованное в примере по данному изобретению.

Описание ссылочных обозначений

[0017] 1 - сверхпроводящий тонкопленочный материал, 1a - первая сверхпроводящая тонкая пленка, 1b - вторая сверхпроводящая тонкая пленка, 2 - подложка, 3 - промежуточный слой, 4 - сверхпроводящий слой, 5 - мишень, 6 - луч эксимерного лазера на KrF, 7 - плазма, 10 - сверхпроводящий провод.

Лучшие варианты осуществления изобретения

[0018] Данное изобретение представляет собой сверхпроводящий тонкопленочный материал, включающий в себя первую сверхпроводящую тонкую пленку, имеющую поверхность, подвергнутую выравниванию, и вторую сверхпроводящую тонкую пленку, сформированную на подвергнутой выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки.

[0019] Обычно толстый сверхпроводящий тонкопленочный материал формировали за один раз посредством продления периода времени формирования при использовании такого способа, как импульсное лазерное осаждение. Однако, поскольку сверхпроводящие тонкие пленки формируются накапливающимся образом на поверхности, имеющей плохую гладкость, то имеет место тенденция к ухудшению гладкости поверхности с увеличением толщины пленки сверхпроводящего тонкопленочного материала.

[0020] Поэтому в данном изобретении для формирования более толстого сверхпроводящего тонкопленочного материала проводят выравнивание поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки во время формирования сверхпроводящего тонкопленочного материала, а затем на выровненной поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки продолжают формировать вторую сверхпроводящую тонкую пленку, вместо того, чтобы формировать весь сверхпроводящий тонкопленочный материал за один раз. Посредством этого в данном изобретении может быть получен сверхпроводящий тонкопленочный материал, обладающий превосходной гладкостью поверхности, может быть предотвращено замедление степени увеличения критического тока, связанного с увеличенной толщиной пленки, и тем самым может быть достигнут высокий критический ток. Следует заметить, что в данном изобретении выравнивание может быть также проведено на поверхности второй сверхпроводящей тонкой пленки, а затем на ней может быть сформирована дополнительная третья сверхпроводящая тонкая пленка. Такое выравнивание поверхности сверхпроводящей тонкой пленки и последующее формирование дополнительной сверхпроводящей тонкой пленки на выровненной поверхности сверхпроводящей тонкой пленки может быть повторено.

[0021] Фиг.1 представляет собой схематическое изображение в поперечном сечении, показывающее предпочтительный пример сверхпроводящего тонкопленочного материала по данному изобретению. Сверхпроводящий тонкопленочный материал 1 по данному изобретению включает в себя первую сверхпроводящую тонкую пленку 1a, сформированную на подложке 2, и вторую сверхпроводящую тонкую пленку 1b. Материал, образующий сверхпроводящий тонкопленочный материал 1 по данному изобретению (материал, образующий первую сверхпроводящую тонкую пленку 1a и вторую сверхпроводящую тонкую пленку 1b), особо не ограничивается, при условии, что он обладает сверхпроводящими свойствами, и, например, может быть использован сверхпроводник RE-123. Следует заметить, что сверхпроводник RE-123 является сверхпроводником, выраженным формулой REBa₂Cu₃O_x, где x составляет 6-7, а RE представляет собой редкоземельный элемент, такой как гольмий, гадолиний или самарий, или же иттрий. Кроме того, в качестве материала, образующего подложку 2, может быть использован элементарный металл или сплав, такой как никель или никелевый сплав.

[0022] Фиг.2 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую предпочтительный пример способа изготовления сверхпроводящего тонкопленочного материала по данному изобретению. Сначала, как показано на стадии S11, на поверхности подложки формируют первую сверхпроводящую тонкую пленку. Первая сверхпроводящая тонкая пленка может быть сформирована таким способом, как импульсное лазерное осаждение.

[0023] Затем, как показано на стадии S12, поверхность первой сверхпроводящей тонкой пленки, сформированной на поверхности подложки, подвергают выравниванию. Выравнивание может быть проведено с помощью по меньшей мере одной из механической полировки и химической полировки, такой как ХМП (химико-механическая полировка), влажное травление или механическая полировка. Кроме того, выравнивание предпочтительно проводят до тех пор, пока поверхность первой сверхпроводящей тонкой пленки не будет иметь поверхностную шероховатость Ra (JIS B0601) не более 10 нм, а более предпочтительно, пока она не будет иметь поверхностную шероховатость Ra не более 6 нм.

[0024] После этого, как показано на стадии S13, на выровненной поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки формируют вторую сверхпроводящую тонкую пленку. Подобно первой сверхпроводящей тонкой пленке, вторую сверхпроводящую тонкую пленку формируют таким способом, как импульсное лазерное осаждение.

[0025] Затем, как показано на стадии S14, изготавливают сверхпроводящий тонкопленочный материал по данному изобретению. Следует заметить, что в описанном выше способе изготовления поверхность второй сверхпроводящей тонкой пленки может быть также выровнена, и затем на выровненной поверхности второй сверхпроводящей тонкой пленки может быть сформирована дополнительная третья сверхпроводящая тонкая пленка. Такое выравнивание поверхности сверхпроводящей тонкой пленки и последующее формирование дополнительной сверхпроводящей тонкой пленки на выровненной поверхности сверхпроводящей тонкой пленки может быть повторено.

[0026] Фиг.3 представляет собой схематическое изображение в поперечном сечении, показывающее часть предпочтительного примера сверхпроводящего провода по данному изобретению. Сверхпроводящий провод 10 по данному изобретению включает в себя подложку 2, промежуточный слой 3, сформированный на подложке 2, и сверхпроводящий слой 4, сформированный на промежуточном слое 3.

[0027] Сверхпроводящий провод 10 по данному изобретению характеризуется использованием описанного выше сверхпроводящего тонкопленочного материала по данному изобретению в качестве сверхпроводящего слоя 4. А именно, сверхпроводящий слой 4 имеет гладкую поверхность даже в случае, когда он обладает увеличенной толщиной пленок, и, соответственно, высокий критический ток может быть также достигнут в сверхпроводящем проводе 10 по данному изобретению без вызывания замедления степени увеличения критического тока, связанного с увеличенной толщиной пленок сверхпроводящего слоя 4.

[0028] Кроме того, в качестве материала, образующего подложку 2, может быть использован, как и в приведенном выше описании, элементарный металл или сплав, такой как никель или никелевый сплав. В качестве материала, образующего промежуточный слой 3, может быть использован, например, оксид с кристаллическими структурами типа каменной соли, типа флюорита, типа перовскита или типа пирохлора. Примеры оксида с описанной выше кристаллической структурой включают в себя оксид редкоземельного элемента, такой как YSZ (стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония) или CeO₂ (диоксид церия), BZO (BaZrO₃), STO (SrTiO₃) и Al₂O₃. Кроме того, промежуточный слой 3 может быть сформирован не только из одиночного слоя, но и из множества слоев, выполненных из разных материалов. Следует заметить, что в сверхпроводящем проводе по данному изобретению поверх сверхпроводящего слоя может быть сформирован покровный слой, выполненный, например, из серебра, для защиты этого сверхпроводящего слоя.

[0029] Фиг.4 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую предпочтительный пример способа изготовления сверхпроводящего провода по данному изобретению. Сначала, как показано на стадии S21, на поверхности подложки формируют промежуточный слой. Промежуточный слой может быть сформирован таким способом, как импульсное лазерное осаждение.

[0030] Затем, как показано на стадии S22, на поверхности промежуточного слоя формируют первую сверхпроводящую тонкую пленку. Первая сверхпроводящая тонкая пленка может быть сформирована таким способом, как импульсное лазерное осаждение.

[0031] После этого, как показано на стадии S23, проводят выравнивание поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки, сформированной на поверхности промежуточного слоя. Выравнивание может быть проведено с помощью по меньшей мере одной из механической полировки и химической полировки, такой как ХМП (химико-механическая полировка), влажное травление или механическая полировка, как описано выше. Опять же, выравнивание предпочтительно проводят до тех пор, пока поверхность первой сверхпроводящей тонкой пленки не будет иметь поверхностную шероховатость Ra (JIS B0601) не более 10 нм, а более предпочтительно, пока она не будет иметь поверхностную шероховатость Ra не более 6 нм.

[0032] Затем, как показано на стадии S24, на выровненной поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки формируют вторую сверхпроводящую тонкую пленку. Подобно первой сверхпроводящей тонкой пленке, вторая сверхпроводящая тонкая пленка может быть сформирована таким способом, как импульсное лазерное осаждение.

[0033] Затем, как показано на стадии S25, на поверхности промежуточного слоя формируют сверхпроводящий тонкопленочный материал и таким образом изготавливают сверхпроводящий провод по данному изобретению. Следует заметить, что в описанном выше способе изготовления, выравнивание может быть также проведено на поверхности второй сверхпроводящей тонкой пленки, а затем на ней может быть сформирована дополнительная третья сверхпроводящая тонкая пленка. Такое выравнивание поверхности сверхпроводящей тонкой пленки и последующее формирование дополнительной сверхпроводящей тонкой пленки на выровненной поверхности сверхпроводящей тонкой пленки может быть повторено.

Примеры

Первый пример

[0034] Вначале подложку 2, выполненную из никелевого сплава, размещали внутри устройства, показанного на схематическом изображении в поперечном сечении на Фиг.5, и ниже подложки 2 также размещали мишень 5, выполненную из стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония. При этом подложку 2 и мишень 5 размещали таким образом, чтобы поверхность подложки 2 и поверхность мишени 5 были параллельны и обращены одна к другой. Далее, расстояние между поверхностью подложки 2 и поверхностью мишени 5 устанавливали равным 50 мм. Стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония был получен добавлением оксида иттрия (Y₂O₃) к диоксиду циркония (ZrO₂) в количестве 8 процентов от массы диоксида циркония.

[0035] Затем устройство вакуумировали. После этого в устройство вводили газовую смесь, содержащую 90 процентов по объему аргона (Ar) и 10 процентов по объему кислорода (O₂), и устанавливали давление внутри устройства, равное 1×10⁷ торр.

[0036] Затем подложку 2 нагревали до температуры 700°C и после этого облучали поверхность мишени 5 лучом 6 эксимерного лазера на KrF с длиной волны 248 нм и энергией облучения 3,5 Дж/см² в импульсном режиме с частотой следования импульсов 40 Гц. Посредством этого генерировали плазму 7 мишени 5 для формирования на поверхности подложки 2 промежуточного слоя из стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония толщиной 1 мкм.

[0037] Затем мишень 5 заменяли на другую мишень 5, выполненную из HoBa₂Cu₃O_x (сверхпроводник RE-123), и снова вакуумировали устройство. После этого в устройство вводили газ, содержащий 100 процентов по объему кислорода, и устанавливали давление внутри устройства, равное 2×10⁸ торр.

[0038] Затем, после того как подложку 2 доводили до температуры 650°C, поверхность мишени 5 облучали лучом 6 эксимерного лазера на KrF с длиной волны 248 нм и энергией облучения 3,5 Дж/см² в импульсном режиме с частотой следования импульсов 80 Гц. Посредством этого генерировали плазму 7 мишени 5 для формирования первой сверхпроводящей тонкой пленки из сверхпроводника RE-123 толщиной 1 мкм на поверхности промежуточного слоя.

[0039] Сверхпроводящий провод, полученный таким образом, назвали образцом A, и шероховатость поверхности Ra первой сверхпроводящей тонкой пленки образца A измерили с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ), а величину его критического тока I_кр измерили четырехзондовым методом. Результаты представлены в таблице 1. Как показано в таблице 1, первая сверхпроводящая тонкая пленка образца A имела шероховатость поверхности Ra 55 нм и величину критического тока I_кр 110 А/см·ширину.

[0040] Поверхность первой сверхпроводящей тонкой пленки образца A подвергали выравниванию посредством ее полировки с удалением 0,1 мкм по толщине при использовании ХМП (т.е. первая сверхпроводящая тонкая пленка после полировки и удаления части материала имела толщину 0,9 мкм). Шероховатость поверхности Ra первой сверхпроводящей тонкой пленки, подвергнутой выравниванию, измерили при использовании АСМ, и была получена шероховатость поверхности Ra, составлявшая 6 нм.

[0041] После этого образец A, подвергнутый описанному выше выравниванию, размещали в позиции подложки 2 в устройстве, показанном на фиг.5, и на выровненной поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки образца A формировали вторую сверхпроводящую тонкую пленку из сверхпроводника RE-123 толщиной 1 мкм при тех же самых условиях, что и описанные выше условия формирования первой сверхпроводящей тонкой пленки в образце A. Посредством этого на промежуточном слое был сформирован сверхпроводящий слой, включающий в себя первую сверхпроводящую тонкую пленку и вторую сверхпроводящую тонкую пленку (сверхпроводящий слой имел толщину 1,9 мкм).

[0042] Сверхпроводящий провод, полученный таким образом, назвали образцом В, и измерили шероховатость поверхности Ra сверхпроводящего слоя образца В с использованием АСМ, а величину его критического тока I_кр измерили четырехзондовым методом, как и в случае образца A. Результаты представлены в таблице 1. Как показано в таблице 1, образец B имел шероховатость поверхности Ra 6 нм и величину критического тока I_кр 200 А/см·ширину.

Первый сравнительный пример

[0043] Подготавливали выполненную из никелевого сплава подложку со сформированными на ней в указанном порядке промежуточным слоем из стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония и промежуточным слоем из диоксида церия. После этого на поверхности промежуточного слоя из диоксида церия формировали сверхпроводящую тонкую пленку из сверхпроводника RE-123 толщиной 2 мкм.

[0044] Сверхпроводящий провод, полученный таким образом, назвали образцом C, и измерили шероховатость поверхности Ra сверхпроводящей тонкой пленки образца C с использованием АСМ, а величину его критического тока I_кр измерили четырехзондовым методом, как и в случае образцов A и В. Результаты представлены в таблице. Как показано в таблице, образец C имел шероховатость поверхности Ra 80 нм и величину критического тока I_кр 140 А/см·ширину.

[0045] ТаблицаОбразецABCПоверхность сверхпроводящей тонкой пленки подвергнута выравниваниюНетДаНетТолщина сверхпроводящей тонкой пленки (мкм)1,01,92,0Шероховатость поверхности Ra (нм)55680Величина критического тока I_кр (А/см·ширину)110200140

[0046] Как показано в таблице, когда было сделано сравнение образца A и образца C, которые оба не были подвергнуты выравниванию, то образец C, имеющий большую толщину сверхпроводящей тонкой пленки, имел более высокую величину критического тока I_кр. Однако было подтверждено, что образец B, в котором поверхность первой сверхпроводящей тонкой пленки была подвергнута выравниванию ХМП, а затем на ней была сформирована вторая сверхпроводящая тонкая пленка, имел величину критического тока I_кр более высокую, чем у образца C, хотя он имел почти такую же толщину пленки, что и образец C. В результате было подтверждено, что посредством данного изобретения может быть улучшена степень увеличения критического тока, связанного с увеличенной толщиной пленки.

[0047] Следует понимать, что описанные выше вариант осуществления и пример являются во всех отношениях лишь иллюстрацией и не должны рассматриваться в качестве ограничения. Объем данного изобретения определяется представленной ниже формулой изобретения, а не приведенным выше описанием, и предполагает охват всех модификаций в рамках сущности и объема, эквивалентных сущности и объему формулы изобретения.

Промышленная применимость

[0048] Сверхпроводящий тонкопленочный материал и сверхпроводящий провод по данному изобретению являются подходящим образом применимыми в силовом электрооборудовании, таком как кабели, ограничители выброса тока или магниты.

Предложен сверхпроводящий тонкопленочный материал (1), включающий в себя первую сверхпроводящую тонкую пленку (1а), имеющую поверхность, подвергнутую выравниванию, и вторую сверхпроводящую тонкую пленку (1b), сформированную на подвергнутой выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а). Кроме того, предложен сверхпроводящий провод (10), включающий в себя подложку (2), промежуточный слой (3), сформированный на этой подложке (2), и сверхпроводящий слой (4), сформированный на промежуточном слое (3), при этом сверхпроводящий слой (4) выполнен из описанного выше сверхпроводящего тонкопленочного материала (1). Помимо этого, предложены способ изготовления сверхпроводящего тонкопленочного материала (1) и способ изготовления сверхпроводящего провода (10). Выравнивание поверхности осуществляют с помощью механической или химической полировки. Техническим результатом изобретения является получение высокого критического тока в сверхпроводящей тонкой пленке и повышение степени увеличения критического тока, связанного с увеличением толщины пленки. 4 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

1. Сверхпроводящий тонкопленочный материал (1), содержащий: первую сверхпроводящую тонкую пленку (1а), имеющую поверхность, подвергнутую выравниванию; и

вторую сверхпроводящую тонкую пленку (1b), сформированную на подвергнутой упомянутому выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а).

подложку (2);

промежуточный слой (3), сформированный на упомянутой подложке (2); и сверхпроводящий слой (4), сформированный на упомянутом промежуточном слое (3),

при этом упомянутый сверхпроводящий слой (4) выполнен из сверхпроводящего тонкопленочного материала (1) по п.1.

проведение выравнивания поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а) и

формирование второй сверхпроводящей тонкой пленки (1b) на подвергнутой упомянутому выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а).

формирование упомянутого промежуточного слоя (3) на упомянутой подложке (2);

формирование первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а) на упомянутом промежуточном слое (3);

проведение выравнивания поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а) и

формирование второй сверхпроводящей тонкой пленки (1b) на подвергнутой упомянутому выравниванию поверхности первой сверхпроводящей тонкой пленки (1а).