СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ НА ОТДЕЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ГЕРМЕТИЗИРОВАННОЙ С ПОМОЩЬЮ ЭПОКСИДНОГО КОМПАУНДА МУЛЬТИПЛИЦИРОВАННОЙ ПОДЛОЖКИ Российский патент 2021 года по МПК H05K13/04 H01L21/64 H01L21/78 

Область техники

Изобретение относится к электронной технике и может применяться при изготовлении сборок микроэлектронной аппаратуры, а более конкретно техническое решение относится к способам разделения на отдельные микросхемы мультиплицированных подложек, содержащих множество кристаллов.

Предшествующий уровень техники

Традиционный процесс корпусирования микроэлектронных изделий включает в себя: разделение полупроводниковой пластины-носителя на отдельные кристаллы; монтаж кристаллов на мультиплицированную подложку и обеспечение электрического соединения кристаллов с подложкой; герметизацию пластины слоем компаунда; разделение подложки на отдельные микросхемы [1].

Обычно мультиплицированная подложка имеет прямоугольную форму и предназначена для монтажа на нее множества микросхем, как правило однотипных, например, подобное устройство подложки раскрыто в пат. US 6365438 [2]. Разделение такой подложки может выполняться с помощью пилы с дисковым рабочим органом, установленным на шпиндель, которая разрезает ее между микросхемами, например, подобное техническое решение раскрыто в пат. US 6413150 [3]. Для разделения мультиплицированной подложки ее закрепляют на рабочей поверхности. После процесса резки микросхемы должны пройти ряд этапов обработки, таких как очистка и сушка. Для автоматизации этого процесса необходимо обеспечить фиксацию ориентации микросхем, а также возможность групповой манипуляции (обработки и перемещения микросхем).

Из уровня техники известно несколько основных подходов к решению задачи закрепления мультиплицированной подложки в процессе ее разделения на отдельные микросхемы. Во-первых, способы основывающиеся на применении ленты одноразового использования, имеющей два клеевых слоя, расположенных на лицевой и оборотной сторонах, при помощи которой мультиплицированная подложка фиксируется на рабочей поверхности. Во-вторых, способы, предполагающие применение рамки, снабженной клейкой лентой одноразового применения, на которой фиксируется мультиплицированная подложка, при этом сама клейкая лента удерживается на рабочей поверхности вакуумным держателем (вакуумным патроном). В-третьих, способы с использованием специализированных устройств (кондукторов) различной конструкции многоразового использования. Такие способы как правило предполагают размещение мультиплицированной подложки в кондукторе с последующим закреплением кондуктора в вакуумном держателе.

Например, к первому подходу относится способ разделения содержащей множество кристаллов мультиплицированной подложки, на отдельные микросхемы, включающий: фиксацию мультиплицированной подложки на рабочей поверхности посредством клейкой ленты, снабженной двумя клеевыми слоями, расположенными на лицевой и оборотной сторонах; разрезание подложки в продольном и поперечном направлениях с помощью пилы между различными группами микросхем, размещенных на мультиплицированной подложки; отделение получаемых микросхем от клейкой ленты [4].

Недостатком данного способа является сложность обеспечения чистоты рабочей поверхности, на которой фиксируется мультиплицированная подложка вследствие остающихся частиц клеящего вещества после отделения микросхем. Наличие остатков клеящего вещества влияет на общую величину силы адгезии (как правило присутствие на рабочей поверхности «старых» частиц клеящего вещества ухудшает адгезию). Недостаточная сила адгезии может приводить к смещениям мультиплицированной подложки в процессе ее разрезания. Даже небольшое смещение может привести к повреждению множества микросхем. Поэтому требуется осуществление дополнительных операций, связанных с поддержанием рабочей поверхности в чистоте.

Кроме того, способ не позволяет разделять мультиплицированную пластину на оборудовании, где могут быть осуществлены способы с применением вакуумных держателей (второй и третьей подходы). На практике это может быть не удобным, так как не обеспечивается гибкость производственного процесса.

Примером второго подхода является способ разделения содержащей множество кристаллов мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы, включающий: обеспечение несущей ленты одноразового использования с клеящим слоем на одной из ее сторон, характеризующимся снижением адгезии под воздействием ультрафиолетового облучения; закрепление несущей ленты в кольцевой опоре (рамке); фиксацию мультиплицированной подложки на несущей ленте, установленной в кольцевой опоре; фиксацию кольцевой опоры и несущей ленты на вакуумном держателе; разрезание подложки в продольном и поперечном направлении с помощью пилы между различными группами микросхем, размещенных на мультиплицированной подложки, таким образом, чтобы несущая лента сохранила свою целостность; облучение несущей ленты ультрафиолетовым излучением; отделение микросхем от несущей ленты [3].

Недостатком данного способа является значительный расход несущей ленты. Это обусловлено тем, что площадь несущей ленты должна быть больше площади мультиплицированной подложки, так как дополнительно требуются участки, отводимые под закрепление несущей ленты в кольцевой опоре. Несущие ленты изготавливаются из полимерных материалов, оказывающих негативное влияние на окружающую среду. Поэтому повышенный расход несущей ленты является негативным фактором процесса изготовления микроэлектронных изделий на экологию. Кроме того, необходимость закрепления несущей ленты в кольцевой опоре повышает трудоемкость и снижает производительность процесса разделения мультиплицированной подложки.

Также недостаток описанного способа выражается в том, что использование кольцевой опоры увеличивает занимаемую площадь мультиплицированной подложкой при ее разрезании. Это приводит к необходимости увеличения рабочего пространства, в котором осуществляется операция разделения, что сокращает перечень оборудования, которое может использоваться.

Примером третьего подхода является способ разделения мультиплицированной подложки, содержащей множество кристаллов, на отдельные микросхемы, включающий: закрепление кондуктора на вакуумном держателе; фиксацию мультиплицированной подложки в кондукторе; резку мультиплицированной подложки при помощи пилы с дисковым рабочим органом между различными группами микросхем [5].

Данный способ позволяет обеспечить высокую производительность и степень автоматизации процесса разделения мультиплицированной подложки в сравнении с вышеописанными аналогами. Однако имеется ряд недостатков. Кондуктор выполняется строго под конкретный вид микросхем и их конфигурацию размещения на мультиплицированной подложке. Поэтому для новых конфигураций микросхем требуется изготовление новых кондукторов.

Кондуктор является относительно сложным устройством, требующим высокой степени точности изготовления (соблюдения размеров). Изготовление новых кондукторов приводит к увеличению трудозатрат всего процесса корпусирования микроэлектронных изделий и в целом снижает гибкость производственного процесса. Особенно эта проблема актуальна в условиях мелкосерийного и опытного производства, где корпусируемые микроэлектронные изделия часто меняются, а их партии незначительны.

Широкое внедрение получают многокристальные микроэлектронные сборки, где в одном корпусе применены различные технологии монтажа кристаллов, в частности Wire Bond и Flip-Chip.Такие микроэлектронные сборки могут быть относительно быстро спроектированы под требования потребителя. Это привело к увеличению потребности в изготовлении малых партий микроэлектронных изделий. Однако, как правило, при применении описанного выше способа изменение схемотехнического решения микроэлектронной сборки требует изготовления нового кондуктора. Кроме того, при увеличении плотности микросхем и уменьшении их геометрических размеров (одна из основных тенденций в микроэлектронике) возрастает трудоемкость изготовления кондуктора.

Наиболее близким техническим решением, выбранным в качестве прототипа, является способ разделения герметизированной с помощью компаунда мультиплицированной подложки, содержащей множество кристаллов, на отдельные микросхемы, включающий: подачу и размещение мультиплицированной подложки, содержащей множество кристаллов, герметизированных слоем компаунда, на пильном кондукторе; фиксацию мультиплицированной подложки в пильном кондукторе на вакуумном столе; подачу вакуумного стола с мультиплицированной подложкой к месту резки; распиливание мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы; перемещение вакуумного держателя с распиленной мультиплицированной подложкой к участку разгрузки; захват вакуумной головкой микросхем и перемещение их к участку мойки и сушки; мойка и сушка микросхем; перемещение микросхем к участку разгрузки и концентрацию микросхем в контейнере [6].

Данный способ позволяет обеспечить высокую производительность и степень автоматизации процесса разделения мультиплицированной подложки. Недостатком способа является необходимость изготовления новой оснастки при изменении конфигурации мультиплицированной подложки (формы мультиплицированной подложки, расположения и размеров микросхем на мультиплицированной подложке), что приводит к увеличению трудоемкости и снижению гибкости процесса изготовления микроэлектронных изделий, особенно в условиях мелкосерийного и опытного производства, где конфигурация мультиплицированной подложки может часта меняться.

Таким образом, технической проблемой является необходимость разработки процесса разделения мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы без необходимости изготовления оснастки для ее фиксации на оборудовании, предполагающем наличие такой оснастки.

Раскрытие изобретения

Техническим результатом, на достижение которого направлено заявляемое техническое решение, является снижение трудоемкости процесса разделения мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы за счет того, что нет необходимости в изготовлении оснастки для фиксации мультиплицированной подложки при производстве малой партии микроэлектронных изделий или опытных образцов.

Дополнительным техническим результатом является повышение гибкости процесса изготовления микроэлектронных изделий ввиду того, что на оборудовании, предполагающем использования оснастки, может быть обеспечено разделение мультиплицированной подложки без такой оснастки.

Технический результат достигается тем, что способ разделения на отдельные микросхемы герметизированной с помощью эпоксидного компаунда мультиплицированной подложки, содержащей множество кристаллов, включает фиксацию мультиплицированной подложки в вакуумном держателе и ее разделение на отдельные микросхемы пилой с алмазным дисковым рабочим органом, при этом перед разделением мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы осуществляют ее ламинирование со стороны слоя компаунда пленочным материалом с несущим и клеевым слоями, причем несущий слой пленочного материала подбирают толщиной не менее 120 мкм, а клеевой слой - толщиной в диапазоне от 10 до 40 мкм и прочностью отслаивания не менее 20000 мН/25 мм, а разделение мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы выполняют таким образом, чтобы пленочный материал сохранил свою целостность, причем скорость резания устанавливают в диапазоне от 44 до 82 м/с, а скорость движения подачи в интервале от 20 до 40 мм/сек, при этом периодически алмазный дисковый рабочий орган абразивно обрабатывают.

Осуществление изобретения

Заявляемое техническое решение является частью процесса корпусирования, на первых этапах которого изготавливается мультиплицированная подложка, герметизированная с помощью эпоксидного компаунда и содержащая множество кристаллов. Перед началом процесса разделения мультиплицированной подложки на ней осуществляют контроль отсутствия дефектов. Для этого могут применяться, например, инспекционные микроскопы.

Затем осуществляют ламинирование мультиплицированной подложки со стороны слоя компаунда пленочным материалом с несущим и клеевым слоями. Для этого могут использоваться установки ламинирования, которые обычно применяются для ламинирования полупроводниковых пластин-носителей перед их утонением. Ламинирование может осуществляться пленкой (в том числе УФ-пленкой) с адгезивным слоем. Процесс ламинирования включает в себя: закрепление мультиплицированной подложки на приемном столе, например, посредством вакуумных держателей; приклеивание пленочного материала на подложку со стороны слоя компаунда; обрезку частей пленочного материала, выступающего за края пластины (при необходимости); и контроль качества ламинирования. При контроле качества ламинирования производится проверка отсутствия воздушных пузырей и загрязнений под пленочным материалом, которые могут привести к смещению мультиплицированной подложки в процессе резки. В случае наличия дефектов производится удаление пленочного материала. Затем операцию ламинирования повторяют.

Несущий слой пленочного материала подбирают толщиной не менее 120 мкм, а клеевой слой - толщиной в диапазоне от 10 до 40 мкм и прочностью отслаивания не менее 20000 мН/25 мм. Толщина несущего слоя обусловлена необходимостью обеспечения требуемой жесткости пленочного материала, который при разделении является прокладкой между мультиплицированной подложкой и рабочей поверхностью. При недостаточном модуле упругости несущего слоя возникает несколько проблем. Во-первых, при резке наблюдается увеличение размеров сколов на задней стороне мультиплицированной подложки (со стороны эпоксидного компаунда), что является критичным при высокой плотности размещения кристаллов.

Во-вторых, при резке недостаточная жесткость несущего слоя не позволяет обеспечить выравнивание эпюры распределения напряжений по всей площади приклеивания пленочного материала. Это снижает прочность клеевого соединения и при обоснованных режимах резания (скорость резания от 44 до 82 м/с, скорость движения подачи от 20 до 40 мм/сек) повышает вероятность смещения мультиплицированной подложки в процессе ее разделения на отдельные микросхемы.

В-третьих, при фиксации мультиплицированной подложки недостаточная жесткость несущего слоя приводит к образованию неровностей в местах примыкания к пленочному материалу каналов вакуумного держателя, что снижает прочность фиксации и повышает вероятность смещения мультиплицированной подложки в процессе резки.

Пленочный материал выполняется из полиолефинов или поливинлхлорида. При толщине несущего слоя более 120 мкм и использовании выбранных режимов резания (скорость резания от 44 до 82 м/с, скорость движения подачи от 20 до 40 мм/сек) обеспечивается необходимая жесткость пленочного материала. При толщине менее 120 мкм не обсеивается качество пропила (наблюдаются значительные сколы), а также учащаются случае смещения мультиплицированной подложки в процессе резки. Целесообразно использовать пленочный материал с несущим слоем толщиной порядка 140 мкм. Применение пленочного материала с толщиной слоя более 140 мкм не целесообразно по эконмическим соображениям. При толщине более 140 мкм возрастает материалоемкость пленочного материала, а соответственно его стоимость. Однако качество разделения мультиплицированной подложки обеспечивается.

Обычно чем меньше толщина клеевого слоя, тем больше прочность соединения. Это объясняется несколькими причинами. При увеличении толщины клеевого слоя увеличивается вероятность образования дефектов в слое, что снижает прочность клеевого соединения. Кроме того, толщина клеевого слоя определяет величину внутренних напряжений. Чем больше толщина, тем больше внутренние напряжения в клеевом слое.

Мультиплицированная подложка в процессе установки на нее кристаллов, электрического соединения кристаллов с подложкой, герметизации эпоксидным компаундом вследствие воздействия повышенных температур на материалы с различными коэффициентами теплового расширения, а также вследствие возникновения градиентов температур подвержена короблению. Величину коробления можно снизить, однако полностью исключить данное явление на практике не представляется возможным. Кроме того, следует отметить, что при герметизации мультиплицированной подложки образующаяся поверхность, которая далее будет подвержена ламинированию, также не идеальна и имеет нервности. Поэтому тонкий клеевой слой не обеспечивает необходимую адгезию по всей площади соприкосновения пленочного материала и поверхности мультиплицированной подложки, что в процессе резки может привести к ее смещению. Для компенсации указанных явлений толщина клеевого слоя должна составлять не менее 10 мкм.

Верхняя граница интервала выбора толщины клеевого слоя определяется увеличением вероятности образования дефектов в слое и внутренних напряжений. Современные технологии изготовления пленочных материалов с клеевым слоем позволяет свести к минимуму указанные негативные явления. Однако верхняя граница интервала толщины клеевого слоя ограничивается еще одним явлением. В процессе резке при толщине клеевого слоя около 40 мкм и выше наблюдается увеличение сколов на обратной стороне мультиплицированной подложки. Это объясняется тем, что модуль упругости в зоне примыкания клеевого слоя и поверхности мультиплицированной подложки недостаточен (жесткость клеевой слой меньше жесткости несущего слоя). Частицы на поверхности мультиплицированной подложки при внедрении дискового рабочего органа не имеют необходимой опоры (из-за толщины клеевого слоя) и их вырывает. Таким образом, при выбранных режимах резания толщина клеевого слоя должна выбираться из диапазона от 10 до 40 мкм. Целесообразно применять толщину клеевого слоя около 30 мкм.

Прочность отслаивания клеевого слоя при выбранных режимах резания (скорость резания от 44 до 82 м/с, скорость движения подачи от 20 до 40 мм/сек) должна составлять не менее 20000 мН/25 мм. При прочности отслаивания менее 20000 мН/25 мм наблюдается резкое увеличение вероятности смещения и/или отслаивания мультиплицированной подложки. Целесообразно использовать пленочный материал с прочностью отслаивания 25000 мН/25 мм. Это позволит надежно зафиксировать мультиплицированную подложку и исключить ее смещение или отслаивание.

Прочность отслаивания определяется при помощи теста на сопротивление отслаиванию под углом 180° [7]. В тесте при отслаивании друг от друга двух компонентов поддерживается постоянный угол 180°. Средняя нагрузка, необходимая для разделения двух компонентов, регистрируется и выражается в виде мН/25 мм, при этом образец имеет ширину 25 мм и длину 250 мм. Образец зажимают в захвате. Два компонента отделяют друг от друга движением траверсы при скорости 300 мм/мин.

После ламинирования мультиплицированной подложки ее подают в зону пиления и выравнивают согласно заранее установленным меткам. После выравнивания подложку фиксируют на рабочей поверхности вакуумным держателем. Фиксация осуществляется со стороны пленочного материала. Вакуумный держатель удерживает пленочный материал, который в свою очередь за счет адгезивного слоя фиксирует мультиплицированную подложку. Конфигурация вакуумного держателя в данном случае не зависит от формы мультиплицированной подложки, расположения и размера микросхем на мультиплицированной подложке. Непосредственно перед фиксацией подложки (перед включением вакуумного держателя) осуществляют контроль ее положения и ориентации. Эта операции может осуществляться при помощи специализированных камер, которыми оснащается оборудование для разделения подложек.

Затем выполняют разделение мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы таким образом, чтобы пленочный материал сохранил свою целостность. Резку подложки выполняют пилой с алмазным дисковым рабочим органом, причем скорость резания устанавливают в диапазоне от 44 до 82 м/с, а скорость движения подачи в интервале от 20 до 40 мм/сек.

Диаметр алмазных дисковых рабочих органов, применяемых для разделения мультиплицированной подложки, составляет 50-60 см. Толщина рабочего органа составляет менее 0,3 мм и обуславливается шириной необходимого пропила при разделении мультиплицированной подложки. Обычно для разделения подложки применяют пилы с толщиной в интервале 0,2-0,26 мм. При разделении подложки глубина реза как правило не превышает 1 мм, обычно 0,6-0,7 мм и обуславливается толщиной мультиплицированной подложки.

Характеристики (зернистость и концентрация) покрытия алмазного дискового рабочего органа при одних и тех же режимах резания могут существенно влиять на качество реза/отделки поверхности, размеры и количество сколов, характер повреждения микроструктуры материала. Резка дисками с крупными абразивными частицами (алмазными зернами) как правило более производительна, чем резка дисками с мелкими частицами. Однако при этом увеличивается количество микроповреждений в материале. При резке мультиплицированных подложек используют алмазные диски с более мелкими абразивными частицами, а именно с максимальным размером алмазных зерен не более 40 мкм и концентрацией около 3,3 карат/см³.

Современное оборудование позволяет обеспечить скорость резания алмазным дисковым рабочим органом до 160 м/с и раскручивать диск до 60000 об/мин. Повышение скорости резания позволяет повысить качество распила. Следует отметить также, что применяемые дисковые рабочие органы имеет толщину не более 0,3 мм. При увеличении скорости резания за счет возрастания центробежных сил повышается жесткость рабочего органа, что немаловажно при определении скорости движения подачи, которая в свою очередь определяет величину силы резания.

Однако повышение скорости резания только до определенного значения приводит к увеличению качества пропила. Примерно до 73 м/с (порядка 23000-27000 об/мин для применяемых дисковых рабочих органов) увеличение скорости резания повышает качество резки мультиплицированной подложки. Это объясняется увеличением стабильности работы шпинделя двигателя, на который установлен дисковый рабочий орган и снижения вибраций.

Дальнейшее повышение скорости резания более 73 м/с приводит уже к снижению качества пропила. Это объясняется возрастанием амплитуды колебаний дискового органа, особенно в горизонтальной плоскости. Возрастание амплитуды приводит к увеличению числа сколов на поверхности. Примерно при скорости резания свыше 82 м/с (около 27000-31000 об/мин) наблюдаются случаи смещения мультиплицированной подложки, зафиксированной на рабочей поверхности, в процессе ее разделения вследствие частичного разрушения адгезивного слоя.

При снижении скорости резания менее 73 м/с качество пропила снижается, т.е. увеличивается количество сколов и трещин на поверхности мультиплицированной подложки, а также наблюдается расслаивание материала подложки. Кроме того, снижается жесткость дискового рабочего органа, что вызывает его деформацию и в конченом счете приводит к увеличению негативного влияния на качество разделения подложки (возрастанию вибрации). При скорости движения подачи от 20 до 40 мм/сек приемлемое качество выполнения операции резки мультиплицированной подложки обеспечивается при минимальной скорости резания около 44 м/с (около 14000-17000 об/мин).

При использовании кондукторов скорость движения подачи (обычно подают столик, на котором находится подложка, а пилы неподвижны) при разделении мультиплицированной подложки находится в диапазоне 80-150 мм/с. Однако при такой скорости движения подачи подобрать необходимую скорость резания и обеспечить надежную фиксацию подложки исключительно за счет адгезивного слоя пленочного материала и обеспечить качество пропила затруднительно. Надежная фиксация мультиплицированной подложки при выбранной скорости резания и характеристик пленочного материала обеспечивается при скорости движения подачи 30±10 мм/сек, т.е. от 20 до 40 мм/сек. Повышение скорости движения подачи приводит к увеличению необходимой силы резания и в общем случае возрастанию уровня вибрации и увеличения вероятности смещения мультиплицированной подложки. Выбирать скорость движения подачи менее 20 мм/сек не имеет смысла, так как приводит к снижению производительности выполнения операции разделения мультиплицированной подложки. Целесообразно выбирать значения ближе к верхней границе указанного интервала скорости движения подачи, но не превышать его. Это позволит обеспечить приемлемое качество пропила, а также предотвратить смещение подложки.

В процессе резки разогретый (вследствие трения при пилении) дисковый рабочего орган при перерезании мультиплицированной подложки взаимодействует с адгезивным слоем пленочного материала. Клеящее вещество попадает в поры (пространство между алмазными зернами) и постепенно заполняет их. В порах клеящее вещество также задерживает частицы мультиплицированной подложки и затрудняет отслоение отработанных алмазных зерен. Характеристики дискового рабочего органа изменяются и «эффективность» выбранных режимов резания снижается: увеличивается количество сколов, трещин и расслаивания, а также повышается вероятность смещения мультиплицированной подложки.

Для устранения влияния загрязнения периодически дисковый рабочий орган абразивно обрабатывают. Для этих целей либо оборудование для резки подложек должно быть оснащено станцией для правки дисковых рабочих органов (поверхность с закрепленной пластиной из абразивного материала), либо периодически осуществляют подачу в зону резки зафиксированную на рабочей поверхности пластину из абразивного материала (абразивную пластину, зафиксированную вместо мультиплицированной подложки). При этом дисковый рабочий орган, соприкасаясь с абразивным материалом, отчищается и восстанавливает свои исходные характеристики.

После процесса резки, на разделенных микросхемах остаются частицы подложки, компаунда, дискового рабочего органа. Микросхемы на пленочном материале (надрезанном) перемещают к месту очистки, где их промывают деионизированной водой, а затем удаляют остатки влаги сжатым воздухом. Дополнительно перед промывкой может осуществляться механическая очистка при помощи щеток.

Далее микросхемы на пленочном материале перемещаются к следующему месту обработки для осуществления дальнейших операций, связанных с изготовлением микроэлектронных изделий. Пленочный материал удерживает на себе микросхемы и позволяет сохранить их ориентацию, а также обеспечить групповую манипуляцию над ними.

Таким образом, предложенный способ позволяет обеспечить снижение трудоемкости процесса разделения электронных пакетов, так как не требуется изготовление оснастки под новые микроэлектронные изделия. Кроме того, обеспечивается гибкость производственного процесса. При необходимости производства больших партий микроэлектронных изделий изготавливается кондуктор и применяется известный способ разделения мультиплицированной подложки. При возникновении потребности в производстве небольшой партии микроэлектронных изделий используется тоже самое оборудование с применением предложенного технического решения.

Библиография

1. Моркнер Г. Миниатюрные GaAs-монолитные микросхемы для применений в диапазоне DC-45 ГГц, выполненные по технологии КП // Беспроводные технологии - 2010 - №4 - С. 24-28.

2. Патент на изобретение US 6165232 «Process for manufacturing semiconductor package and circuit board assembly», опубликован 02.04.2002 г.

3. Патент на изобретение US 6413150 «Dual dicing saw blade assembly and process for separating devices arrayed a substrate», опубликован 02.07.2002 г.

4. Патент на изобретение US 6087202 «Process for manufacturing semiconductor packages comprising an integrated circuit», опубликован 11.07.2000 г.

5. Патент на изобретение US 7438286 «Workpiece holding jig», опубликован 21.09.2008 г.

6. Патент на изобретение US 8011058 «Singulation handler system for electronic packages», заявлен 26.10.2007 г.

7. Peel adhesion test: https://www.impact-solutions.co.uk/peel-adhesion-test/

Изобретение относится к способам разделения на отдельные микросхемы мультиплицированных подложек (МП) и может применяться при изготовлении сборок микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - обеспечение снижения трудоемкости процесса разделения МП за счет исключения необходимости изготовления оснастки для фиксации МП при производстве малой партии микроэлектронных изделий или опытных образцов. Достигается тем, что способ разделения на отдельные микросхемы герметизированной с помощью эпоксидного компаунда МП, содержащей множество кристаллов, включает фиксацию МП в вакуумном держателе и ее разделение на отдельные микросхемы пилой с алмазным дисковым рабочим органом. Перед разделением МП осуществляют ее ламинирование со стороны слоя компаунда пленочным материалом с несущим и клеевым слоями. Несущий слой подбирают толщиной не менее 120 мкм, а клеевой слой - толщиной в диапазоне от 10 до 40 мкм и прочностью отслаивания не менее 20000 мН/25 мм. Разделение МП выполняют таким образом, чтобы пленочный материал сохранил свою целостность. Скорость резания устанавливают в диапазоне от 44 до 82 м/с, а скорость движения подачи в интервале от 20 до 40 мм/с. При этом периодически алмазный дисковый рабочий орган абразивно обрабатывают.

Способ разделения на отдельные микросхемы герметизированной с помощью эпоксидного компаунда мультиплицированной подложки, содержащей множество кристаллов, включающий фиксацию мультиплицированной подложки в вакуумном держателе и ее разделение на отдельные микросхемы пилой с алмазным дисковым рабочим органом, отличающийся тем, что перед разделением мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы осуществляют ее ламинирование со стороны слоя компаунда пленочным материалом с несущим и клеевым слоями, причем несущий слой пленочного материала подбирают толщиной не менее 120 мкм, а клеевой слой - толщиной в диапазоне от 10 до 40 мкм и прочностью отслаивания не менее 20000 мН/25 мм, а разделение мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы выполняют таким образом, чтобы пленочный материал сохранил свою целостность, причем скорость резания устанавливают в диапазоне от 44 до 82 м/с, а скорость движения подачи в интервале от 20 до 40 мм/с, при этом периодически алмазный дисковый рабочий орган абразивно обрабатывают.