Способ изготовления заготовок стеклокерамических конденсаторов Советский патент 1983 года по МПК H01G13/00 

Изобретение относится к производ ству конденсаторов и может быть использовано при изготовлении стеклок рамических конденсаторовметодом горячего прессования. Известен способ изготовления заготовок конденсаторов, при которо конденсаторный элемент располагается на подложке, покрытой термообработанным порошком бентонита. На конденсаторный элемент сверху устанавливается груз flj. Недостатком указанного способа является, то, что в процессе прессования усилие, прикладываемое грузом постоянно, в результате чего отсутствует возможность регулирования то щины диэлектрического слоя заготовки. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ изготовления заготовок стёклокерамических конденсаторов, включающий нанесение диэлектрического слоя на металлическую фольгу, подгонку диэлектрического слоя регули розакой его толщины и горячее прессо вание пуансонами заготовок стеклокерамических конденсаторов с использованием згицитных пластин 2j, Недостатком известного способа является введение в технологический процесс дополнительной ручкой операции, пескоструйной обработки для подгонки толщины Ьлоя заготовки, что значительно снижает производител ность изготовления изделия. Кроме того, пескоструйная обработка ведет к частичййму разрушению пограничного слоя проводника, что ухудшает качест во конденсат(фа и ведет к возникновению эффекта мерцания емкости, Цель изобретения.- повышение производительности и повышение процента выхода годных изделий. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления заготовок стеклокерамических конденсаторов, включающему нанесение диэлектрического слоя на металлическую фольгу, подгонку диэлектрического слоя регулировкой его толщины и горячее прессование пуансонами заготовок стеклокерамических конденсаторов с использованием защитных пластин, регулировку толщины осущест вляют в процессе прессования заготовок стеклокерамических конденсаторов путем регулирования уровня сходамостй пуансонов, причем величину уровня сходимости пуансонов определяют по формуле Sn - SK + 2d-5r толщина заготовки стеклокерамического конденсатора сГэ - толщина защитной пластины. Главным параметром конденсатора является емкость, которая рассчитывается по формуле j:s04-1) 0,0885 где С - емкость плоского конденсатора, пФ/ S - активная площадь одной обкладки;N - количество обкладок в многослойном конденсаторе/ d - толщина диэлектрика, см; - диэлектрическая проницаемость диэлектрика, разделяимдего обкладки конденсаторов. Емкость конденсатора обратно пропорциональна толщине диэлектрического слоя. Толщина диэлектрического слоя в конденсаторе со стеклоКерамическим диэлектриком зависит от двух технологических операций: операции нанесения диэлектрического слоя на проводник заготовки и операции горячего прессования. Способ нанесения диэлектрического слоя методом электрофореза обеспечивает стабильность толщины наносимого слоя во врекгени. Для получения монолитной структуры расчетной толщины диэлектрического слоя в заготовке конденсатора необходимо горячее прессование пуансонами. Получение последней при горячем прессовании достигается в том случае, когда уровень сходимости пуансонов соответствует величине Sp(см. чертеж), равнойS- + 2d-y где Sj(- толщина конденсаторного элемента) толщина защитной пластины, M(d ) , где d - толщина диэлектрика в конденсаторе ; rfj, - толщина проводника/ N - количество проводников. На чертеже изображен стеклокеракмческий конденсатор, общий вид, поясня яций параметры вышеприведенных формул. Стеклокерамический конденсатор в процессов горячего прессования располагается между верхним 1 и нижним 6 пуансонами и защищен при этом с противоположных сторон защитными пластинами 2 и5. В стеклокерамическом конденсаторе слои диэлектрика 3 чередуются со слоями проводника 4. Для защиты пуансонов горячего прессования от налипания дхгэлектри

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВОК СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТО:РОВ, включающий нанесение диэлектри- , :ческого слоя на металлическую фольгу, подгонку диэлектрического слоя регули ровной его толщины и горячее прессование пуансонами заготовок стеклокеpa в чecкиx конденсаторов с использованием загцитных пластин., отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и процента выхода годных, регулировку толщины осуществляют в процессе прессования заготовок стеклокерамических конденсаторов путем регулирования уровня сходимости пуансонов, причем величину уровня сходимости пуансонов определяют по формуле 5„- S + 2d3, где S - толщина заготовки сте локе- р рамического конденсатора; cTj - толщина защитной пластины. а 00 ы ел