Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь- зовано при изготовлении матриц памяти запоминаощих устройств на цилин- дрических магнитных пленках (ЦМП) и является усовершенствованием способа по авт. св. № 959160.

Целью изобретения является повышение надежности запоминающих матриц путем сохранения геометрических размеров матрицы.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что на специальном устройстве или ткацком станке натягива- ют в. качестве основы технологические струны и разводят их для образования зева. При этом плоскость разведенных технологических струн располагают под углом к плоскости перазведенных тех-, нологических струн. Для этого при разведении струн высоту разведения в зоне формовки увеличивают от струны к струне, сохраняя неизменным угол между плоскостями зева. В образован- ньй технологическими струнами зев вводят проводник адресной обмотки со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева. При формовке проводника разведенные технологическ ие стру ны переводят в обратный зеВ} сохраняя угол наклона плоскостей технологических струн равным углу наклона плоскостей струн.при прямом зеве. Формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством его закрытия при неизменном угле наклона между плоскостями зева. При этом за счет того, что проводник в зеве проклады- вает со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, а разведенные технологические струны переводят в обратньш зев, технологические струны, расположенные на стороне противоположной свободному концу проводника, оказываются более жесткими, чем струны, расположенные на стороне свободного конца проводника,, за счет того, что высота их разведения в об- ратном зеве на стороне, противоположной свободному концу проводника, становится большей, а на стороне свободного конца проводника .становится меньшей. Это приводит к тому, что глубина формовки проводника по всей его длине становится равномерной.

Сохранение угла наклона плоскостей технологических струн в обратном

зеве равным углу наклона плоскостей технологических струн при прямом зеве обеспечивает одинаковые условия формовки проводника при плетении последующих витков адресньсх обмоток пр пр.окладке проводника как слева направо, так и справа налево со стороцы вершины угла, образованного плоскостями технологическ11х струн. Сформированные проводники перемещают к адресным обмоткам, заливают компаундом и извлекают технологические струны.

На фиг.1 изображена прокладка проводника в зеве со стороны вершины угла зева; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1; на фиг.З - го же, после перевода разведенных технологическшс струн в обратный зев.

На чертеже показаны технологические струны 1 и 2, зев 3, провод 4 адресной обмотки, витки 5 адресной обмотки, обратный зев 6, угол./ между плоскостями разведенных и неразведенных- технологических струн.

В соответствии с предлагаемым споСобом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляется следующим образом.

В качестве основы натягивают технологические струны 1 и 2, с помощью ремизных рам (не показаны) их разводят и образуют зев 3, при этом плоскость, образованная струнами 1, составляет с плоскостью, образованной струнами 2, угол об В зев 3 со стороны вершины угла вводят провод 4 адресной обмотки 5. Формование провода 4 происходит при закрытии зева 3 после перевода разведенных технологических струн в обратньш зев 6 с сохранением угланаклона между.плоскостями струн 1 и 2..

Формовку провода 4 осуществляют технологическими струнами от вершины угла ((, , образованного плоскостями технологических струн 1 и 2, в направлении свободного конца провода 4.

Угол между плоскостями технологических струн сохраняется неизменным до конца формовки провода 4. Свободный конец провода 4 при формовке втягивают из более широкой части в зону формовки за счет того что при переводе разведенных технологических струн 1 в обратный зев жесткость струн 1 на стороне, противоположной свободному концу провода 4, увеличивается, а на стороне свободного конца прово313

да 4 уменьшается, происходит выравнивание глубины формовки провода 4 по всей его длине. За с.чет одинаковой глубины формовки провода 4 технологическими струнами 1 и 2 по всей его длине технологические струны 1 и 2, располагаясь в сформированных витках одинаковой глубины, не отклоняются от нейтрального положения в сплетенной матрице. Это обеспечивает сохра- некие геометрических размеров матрицы, что обеспечивает, в свою очередь, одинаковые условия намагничивания участков ЦМП, а также позволяет исключить обрывы технологических струн при их извлечении из матрицы на последующих стадиях технологического процесса и приводит к образованию каналов в матрице после извлечения струн

844

с необходимыми геометрическими параметрами.

Формула изобретения

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках по авт. св. № 959160, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности запоминающих матриц путем сохранения их геометрических размеров, проводник в зеве прокладывают со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, а при формовке проводника разведенные технологические струны переводят в обратный зев с углом наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей при прямом зеве.

Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретения - повышение надежности запоминающих матриц путем сохранения геометрических размеров матрицы. Способ включает натяжение технологических струи, образование зева между ними путем их разведения, расположение плоскости разведенных технологических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника технологическими струнами в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, совмещение плоскостей зева в зоне плетения, перемещение сформованного лроводника к адресным обмоткам, зали- зку компаундом и извлечение технологических струн. Новым в способе изготовления является прокладывание проводника в зеве со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, и переведение разведенных технологических струн в обратный зев с сохранением угла наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей струн при.прямом зеве. 3 ил.

Фиг. Г

Aljl

физ. 2

редактор И.Рыбченко

Составитель В.Г.Гордонова

Техред Л.Олийиык Корректор Л.Пилипенко

Заказ 3404/49 Тираж 589Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие-, г.Ужгород, ул. Проектная, 4