Способ активировки эмиттеров из бериллиевой бронзы Советский патент 1958 года по МПК H01J9/12 H01J43/10 

Существующие способы активит ровки эмиттеров из бериллнево бронзы ие обеспечивают образования плотио1 заищтлоп пленки окиси бериллия на поверхности эмиттера и в связи с этим эмиттеры, актнвнрованные такими способами, не могут успешно использоваться в фотоэлектронныхумножите.гях

(ВЭУ) открг,1того типа.

Особенпость способа устраняющего указанные недостатки, заключается в использовании высоких температур активировкп (ие ииже 840°), иоддержанн1Г в процессе окисления эмиттера кислородом постоянной тc rпepaтypы его поверхности, что достигается использованием неболыиих, но многократных (10-15 раз) напусков кислорода (до давлення не вьнне 5-10-.;1глг рт. ст.), использованием дополнительного напуска кислорода после прохождения сплавом (при охлажде1нп) критической точки на диаграмме состояния.

Технология активировки эмиттеров для ВЭУ открытого тина по описываемому способу заключается в следующем.

Изготовленные и очищенные эмиттеры укрепляют на снецнальном держателе и помещают в вакуумиую печь. После получения в снстеме вакуума 1.10 мм рт. ст. иач1щают прогрев. При истечении часа после достижения температуры 840-850 при вакууме около 2.10 --ММ рт. ст. перекрывают кран диффузионного насоса н производят напуск кислорода до давлення 1 - 0. рт. ст. После поглощения кислорода поверхностями эм1ггтеров, о чем судят но уменьшению давления до величнны 10 - рт. ст., пропзводят новый нануск кислорода. Операцию повторяют 10-15 раз, после чего открывают кран диффузнонного насоса н через 5-10 мннут ток накала печи снижают до величины, нри KOTOpoj устанавлнвается температура 500-650°. Лрп этой температуре эмиттеры выдерживаются 20-30 MiniyT и вновь производят иапуск кислорода до 1-5.10 -мм рт. ст. Затем выключают печь и проактнвированиые э иттepь охлаждаются до температуры 30-40°, при которой они могут быть извлечены из нечи для дальнейнгего монтажа. № 112600- Предмет изобретения Способ активировки эмиттеров из бериллиевой бронзы (Си-Be) или сплава Бр.БА (Си-Be-А1), предназначенных для использования во вторично-электронных умножителях открытого типа, отличающийся тем, что, с целью получения плотной пленки окиси б&риллия на поверхностях эмиттеров и, соответственно, большей устойчивости коэффициента усиления ВЭУ к пребыванию в сухом ir влажном воздухе при большой величине коэффициента усиления, процесс активировки эмиттеров ведут при температуре около 840°, при многократных (10-15 раз) напусках кислорода под давлением не выше 5.10-мм рт. ст. и с дополнительным напуском кислорода при охлаждении отактивированных эмиттеров ниже их критических точек на диаграммах состояния сплавов (примерио+720°).