Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем памяти.
.Целью изобретения является упрощение схемы и снижение потребляемой мощности при сохранении высокого быстродействия при считывании информации с запоминаюндих ячеек.
На чертеже представлена принципиальная схема формирователя сигналов считывания.
Формирователь содержит первый 1 и вто- .рой 2 ключевые транзисторы, Змиттеры которых подключены к первой 3 и второй 4 разрядным шинам соответственно, а коллекторы являются нулевым 5 и единичным б контрольными выходами формирователя, источник тока, состояП1Ии из третьего ключевого транзистора 7 и первого резистора 8, зыиод ico i oporo подключен к обн1ей 9, а второй - к эмиттеру третьего ключевого транзистора 7, база которого является Входом 10 для подключения ис- .-оииика опорного напряжения. Коллектор : лдключеи к первому выводу второго резис- гора И, базы транзисторов I и 2 объе- .иптспы и подключены к коллектору транзистора 7, база стабилиэируюш.его транзистора 12 является управляющим входом 13 формирователя, коллектор его подключен к шипе питания 14, а эмиттер соединен с кол- . leKTOpOM первот о усилительного транзистора 15. Эмиггопы первого 15 и второго 6 уси- . 1нте. 1ьных транзисторов соединены и подключены к глорому выводу резистора II, ко..члектор второго усилительного транзистора 16 подключен к шине питания 14, ре- зчгтор 17 подключен одним выводом к шине питания 14, а вторым -- к базам транзисторов 15 и 16.
Формирователь работает следующим образом.
При подаче на управляющий вход 13 напряжения шины питания 14 транзистор 15 находится на границе пасыт,ения и его боль- njoH базовый ток вызывает падение напряжения на резисторе 17, равное URI з:Икэи, где Ик.11 напряжение коллектор-эмиттер насьпнеппого транзистора. Это происходит, так как контур база-эмиттер транзистора 12, коллектор-змиттер транзистора 15 и контур база -эмиттер транзистора 16, резистор 7 включены параллельно, а падение на1фяжения на переходах база-эмиттер различных транзисторов в интегральной технологии выдерживается достаточно одинакоВ Ь М.
Таким образом, в точке соединения эмиттеров транзисторов 15 и 16 сформирован потенциал, равный Еч - И,, - Икэи, где Ей -- напряжение щины питания 15; И„ - напряжение на переходах база-эмиттер транзисторов.
0
5
0
5
0
5
5
0
5
Для обеспечения оптимального уровня Еп - 1,75Ио на базах транзисторов и 2
недостающее падение потенциала, равное 0,75И„- Икж, формируется на резисторе 11 за счет протекания по нему тока источника тока на транзисторе 7 и резисторе 8, получаюплем опорное напряжение с входа 10.
В результате один из транзисторов 1 или 2 открывается соответственно состоянию разрядных шин 3 и 4, и, таким образом информация о состоянии разрядных щин 3 и 4 передается на контрольные выходы 5 и 6.
Снижение напряжения на управляющем входе 13, моделирующем спижепие потенциала строки за счет уменьшения коэф фини- ента усиления транзисторов в диапазоне рабочих температур, изменения разброса коэффициента усиления в технологическом процессе и изменения тока, протекающего меррз строку в диапазоне рабочих температур, передается за счет изменения базового тока транзистора 15 иа резистор 17 и изменяет потенциал точки соедине1 ия эмиттеров трая зисторов 15 и 16.
Уровень считывания понижается на такую же величину, что и управляющий вход 13 и остается оптимальным с точки зрения быстродействия при считывании.
Формула изобретения
Формирователь сигналов считывания, со- держапшй первый, второй, третий ключевые транзисторы, стабилизируюпщй транзистор. первый и второй резисторы, причем эмиттеры первого.и второго кл очевых тоанзис- торов являются информационными вхо.чами формирователя, выхо.а ами которого являются коллекторы первого и второго к. почевых транзисторов, один выво.д первого резистора подключен к типе- нулевого потенциала, а другой вывод - к эмиттеру третьего ключевого транзистора, база которого подключена к шине опорного напряжения, а коллектор - к одному выводу второго резистора, коллектор стабилизи- рующе1 о транзистора соединен с шиной питания, а база является управляющим входом формирователя, отличающийся гс , что, с целью упрощения формирователя и снижения гштребляемой им мощности, в него введены первый и второй усилительные транзисторы и третий резистор, один вывод которого подключен к шине питания, а другой - к базам усилительных транзисторов, эмиттеры которых соединены с другим выводом второго резистора, коллектор второго усилительного транзистора подключен к П1ине питания, коллектор первого усилительного транзистора соединен с эмиттером стабилизирующего транзистора, базы первого и второго ключевых транзисторов подключены к коллектору третьего ключевого транзистора.
./
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Формирователь сигналов записи и считывания | 1983 |
|
SU1113852A1 |
Преобразователь уровня сигнала для усилителя считывания | 1983 |
|
SU1134966A1 |
Усилитель считывания | 1983 |
|
SU1104581A1 |
Преобразователь сигналов для усилителя считывания | 1986 |
|
SU1334177A1 |
Преобразователь сигналов для усилителя считывания | 1984 |
|
SU1244716A1 |
Ячейка памяти | 1977 |
|
SU637866A1 |
Преобразователь уровня для усилителя считывания | 1987 |
|
SU1508280A1 |
Усилитель считывания | 1986 |
|
SU1316045A1 |
Запоминающее устройство | 1985 |
|
SU1310896A1 |
Дешифратор строк для запоминающего устройства | 1985 |
|
SU1285531A1 |
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем памяти. Цель изобретения - упрощение формирователя сигналов считывания и снижение потребляемой им мощности при сохранении высокого быстродействия при считывании информации с запоминающих ячеек. Формирователь содержит ключевые транзисторы, резисторы, стабилизирующий транзистор, усилительные транзисторы, разрядные щины. Снижение потребляемой мощности осуществляется за счет оптимизации уровня считываемого сигнала. 1 ил. оо ОС 01 ГчЭ
Формирователь сигналов записи и считывания | 1983 |
|
SU1113852A1 |
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба | 1920 |
|
SU11A1 |
Авторы
Даты
1986-06-15—Публикация
1984-08-14—Подача