Шихта для изготовления терморезисторов Советский патент 1986 года по МПК H01B3/12 C04B35/50 

Изобретение относится к электронной ехнике, в частности к термочувствительным резистивным материалам, и может быть использовано при изготовлении терморезисторов.

Цель изобретения - расширение диапазона сопротивления в сторону меньших значений и снижение температуры спекания.

Пример (приготовление конкретного состава шихты и изготовление из нее заготовок терморезисторов в виде дисков и бусинок).

Для получения 5 г шихты состава 3 (таблица) брали 7,503 г Ьа(ЫОэ)з6Н2О (2,825 г ЬааОз), 2,522 г №(ЫОз)2-6Н2О (Q,65 г NiO.), и 2,33 rZrO(NO3)2-2H2O (1,075г 2гО2). Смейь нитратов нагревают до 850°С и выдерживают при этой температуре 4 ч. Полученный порошок частично прореагироДля получения бусинок в исходную шихту вводили загустители в виде 10%-ного раствора этилцеллюлозы в воде и из полу- ченной пасты формовали бусинки на электродах из платиновой проволоки 0 0,3 мм, длиной 2-5 см. Заготовки бусинковых терморезисторов подсушивали и спекали при 1350°С 4 ч на воздухе. Сопротивление полученных образцов измеряли в интервале тем- ператур от -60 до 600°С. При 25° С сопротивление заготовок бусинковых терморезисторов составляло 3 10 Ом, постоянная В найдена равной 2600 К, т. е. такой же, как и для дисковых образцов.

Редактор А. Гулько Заказ 3299/54

Составитель В. Соколова

Техред И. ВересКорректор М. Самборская

Тираж 643Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

вавших оксидов Ьа2Оз, NiO и ZrO2 перетирают в агатовой ступке и дополнительно обжигают 2 ч при 1250°С. После этого в шихту добавляют 0,450 г В12Оз и снова тш,атель- но перетирают. Полученную шихту делили на 2 части. Одну часть использовали для получения заготовок терморезисторов в виде дисков 05 мм, ТОЛШ.ИНОЙ 2,0-2,5 мм, другую- для получения бусинок 0 1-2 мм. Диски формировали путем гидравлического прессования и спекали на воздухе при 1250°С в течение 2 ч. Для получения электродов на торцовые поверхности дисков наносилась серебряная паста и вжигалась при 820°С в течение 20 мин. Далее измеряли сопро- тивление дисковых терморезисторов в области температур от -60 до 400°С и определяли постоянную В. Найденные значения удельного сопротивления при 25°С и постоянной В приведены в таблице.

Формула изобретения

Шихта для изготовления терморезисторов, включающая ЬааОз и NiO, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона сопротивления в сторону меньших значений и снижения температуры, спекания, она дополнительно содержит ZrO2 и при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Ьа2Оз48,5-63,5

NiO2,3-20,3

ZrO214,2-36,0

Bi2O32,0-13,0

Изобретение относится к области электронной техники, к термочувствительным резистивным материалам. Позволяет расширить диапазон сопротивления в сторону меньших значений и снизить температуру спекания. Включает компоненты, мас.%; LaaOg 48,5-63,5; NiO 2,3-20,3; ZrOa 14,2- 36,0; BiaOs 2,0-13,0. 1 табл. to со 00 Qi