Способ очистки полупроводниковых пластин Советский патент 1987 года по МПК B08B3/08 

Изобретение относится к способу очистки полупроводниковых пластин и может быть использовано в микроэлектронике.

Цель изобретения - повышение ка- чества очистки за счет исключения ресорб- ции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижении его себестоимости.

Примеры }-4. В промывочную ванну помещают пластины для Очистки. Деиони- зоцанную воду подают в ванну через трубопровод снизу ванны потоком и расходом деионизованной воды 250 г/ч, а слив воды осуществляют через сливное отверстие. Подачу азота осуществляют через газовый коллектор под давлением 0,2-1,0 кг/смЗ через поток деионизованной воды. Давление и время по примерам сведены в табл. 1.

Таблица 1

0,2 0,4

6,0 5,0

Объем использованной деионизованной воды, л

Удельное сопротивление деионизованной воды на выходе процесса, КОм

Перманганатная окисляе- мость деионизованной воды после отмывки (в пресчете на Ог,) , мг/л

Микрочастицы, шт/мл Микроорганизмы, кол/мл

Стоимость отмывки 20-ти пластин, руб

Продолжение табл. 1

5

0

5

0

Пузырьки азота, проходя через деиони- зованную воду, создают нестабилизированный турбулентный поток. Этот поток позволяет избежать появления застойных и водоворотных зон.

Парциальное давление кислорода и углекислого газа в пузырьках азота меньще, чем в воде, вследствие чего деионизованная вода освобождается от растворенных в ней кислорода и углекислого газа, которые неблагоприятно влияют на поверхность кремния и алюминия на пластине.

Пройдя через поток деионизованной воды, пузырьки азота образуют инертную подущку из азота, служащую чистой крыщ- кой для ванны и предохраняющую деиози- зованную воду от контакта с грязной атмосферой. Таким образом, барботаж азотом или другим инертным газом деионизованной воды создает турбулентный поток, .который уничтожает пограничный слой, и, создавая эффект флотации, повышает скорость и улучшает качество отмывки.

Сравнительные данные контроля качества отмывки плоскопараллельных пластин в деионизованной воде приведены в табл. 2.

Таблица 2

80

16

10

0,00

2-4

Стерильно

1284612 3Л

Формула изобретениященные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижении его себеСпособ очистки полупроводниковыхстоимости, очистку ведут путем создания

пластин путем их обработки в промывочнойнестабилизированного турбулентного потока

ванне деионизованной водой с подачей вс и защитной инертной подушки над поверхнее инертного газа для создания турбулент-ностью ванны за счет подачи инертного

ного режима, отличающийся тем, что, сгаза под давлением 0,2-1,0 кг/см через

целью повышения качества очистки за счетпоток деионизованной воды с ра :ходом

исключения ресорбции загрязнений на очи-250 л/ч.

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижения его себестоимости. Процесс осуществляют следующим образом. В промывочную ванну помещают полупроводниковые пластины, куда потоком с расходом 250 л/ч снизу подают деионизованную воду. Подачу азота осуществляют через поток деионизованной воды под давлением 0,2- 1,0 кг/см . При этом образуется защитная азотная подущка над поверхностью ванны и создается нестабилизированный турбулент- Щ ный поток. 2 табл. (Л ND 00 О5