Способ записи информации в элемент памяти на @ -канальном МОП-транзисторе (его варианты) Советский патент 1987 года по МПК G11C11/40 

t12

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении полупроводниковых запоминающих устройств.

Целью изобретения является повьше ние надежности записи информации.

При возникновении вторичного пробоя р-п-перехода стока транзистора в области пространственного заряда (ОПЗ) вблизи стока усиливается генерация электронно-дырЬчных пар. Ток дырок Создает положительный потенциал подложки в области между истоком и стоком транзистора, смещает в прямом направлении истоковый р-п-пе- реход, вызьшая тем самым инжекцию электронов из объемной части истоко- вого р-п перехода в объем подложки. В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает. Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем- .нием и окислом.

Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция

из канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.

Вторичньй пробой стокового р-п пе

рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на подложку напряжения смещения.

Величина стокового напряжения, вызьшающая вторичньш пробой, зависит от множества электрофизических параметров транзистора, параметров подложки концентрации и профиля распре

Составитель Н.Воронин Редактор А.Долинич Техред А.Кравчук Корректор В.Бутяга

Заказ 7724/56 Тираж 589Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул. Проектная, 4

O

5

,

35

40

5

0

5

0

деления легирующей примеси в канале, параметров р-п перехода стока (глубина, резкость и др.) параметров затворного диэлектрика, потенциала затвора и т.д. и поэтому может быть определена только экспериментально для каждого конкретного случая с помощью обычных электрофизических измерений.

Например, процесс вторичного пробоя легко обнаруживается и может быть изучен экспериментально по осцилло- грамме стокового тока или, что более удобно, по вольт-амперным характеристикам транзистора, показьшающим связь тока стока с напряжением на стоке.

Таким образом, за счет осуществления вторичного пробоя стокового перехода транзистора повьштается надежность записи в него информации.

Формула изобретения I ..

1. Способ записи информации в элемент памяти на п-канальном МОП-транзисторе, заключающийся в подаче на сток МОП-транзистора импульса записи номинальной длительности, отличающийся тем, что, с цельк повышения надежности записи, импульс записи подают с амплитудой равной потенциалу, или большей потенциала вторичного пробоя стокового перехода МОП-транзистора.

2. Способ записи информации в элемент памяти на п-канальном МОП-транзисторе, заключающийся в подаче на сток МОП-транзистора импульса записи номинальной длительности отличающийся тем, что, с целью повьппения надежности записи напряжение записи по амплитуде, равного потенциалу вторичного пробоя стокового перехода, подают на подложку МОП-транзистора,

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупроводниковых запоминающих устройств. Цель изобретения - повышение надежности записи информации в элемент памяти на П-канальном МОП-транзисторе - достигается увеличением амплитуды импульса записи, равной потенциалу вторичного стокового перехода МОП-транзистора, либо увели-, чением амплитуды напряжения на подлож ке до величины, при которой происходит вторичный пробой стокового перехода МОП-транзистора. 1 з.п. ф-лы. IN9 сх ю со