Устройство для рентгенографического исследования кристаллических веществ Советский патент 1987 года по МПК G01N23/20 

13

рехкружного монокристального дкфрак- тометра с ОКГ в качестве средства воздействия на образец. Расположение механизма поворота держателя 3 образца так, что точка С пересечения геометрических осей вращения держателя образца, источника 8, детектора 9 рентгеновского излучения и оси поворота платформы 6 находится между механизмом поворота держателя 3 и механизмами 10 и 11 поворота источника и детектора рентгеновских лучей, позволяет устанавливать механизм вращения держателя образца на любом расстоянии от центра С при условии компенсации расстояния от механизма 3 до точки, в которой по требованиям геометрии дифрактометра должен располагаться исследуемый образец. Удлинительным узлом 12 переменной длины обеспечивается свободное расположение образца, которое делает теневую область очень малой и не зависящей от

1

Изобретение относится к научному приборостроению, а конкретно к средствам рентгенографического исследования монокристаллов и поЛикристал- лических веществ в условиях электро- магнитного, силового и температурного воздействий.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей благодаря обеспечению возможности исследования распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования структуры, фазового состава, текстуры, макро- и микроискажений поликристаллов.

На чертеже показана блок-схема предложенного устройства.

Устройство включает основание 1 с закрепленным на нем средством 2 воздействия, механизм поворота дер- жателя 3 образца со средством отсчета угла, зеркало 4 поворота Штучка лучей лазера ОКГ, закрепленное на съемном кронштейне 5, который монтируется на стойке механизма поворота держателя образца и может убираться при отсутствии необходимости работы с

ч

размеров механизма вращения образца при исследовании монокристаллов и допускает установку более массивного держателя образца для исследования поликристаллов. При установке поли- кристагшического образца в плоскос- .ти, проходящей через ось поворота платформы 6, и развороте платформы так, чтобы ось совместного поворота источника и детектора рентгеновских лучей располагалась под прямым углом к оси поворота держателя образца, реализуется геометрия порошкового дифрактометра Брегга-Брентано, а при отнесении образца на окружность с центром в точке С, на которой располагаются источник 8 и детектор 9, выполняется геометрия порошкового дифрактометра Зеемана-Болина. Подобными перемещениями образца на предлагаемом устройстве можно воспроизвести, и другие геометрии порошковых дифракто- метров. 1 ил.

0 5

0

5

ОКГ; платформу 6, установленную на основании 1, имеющую возможность поворота вокруг оси, перпендикулярной основанию с помощью механизма 7 поворота под контролем средства отсчета угла поворота платформы, источник 8 и детектор 9 рентгеновских лучей с индивидуальными механизмами поворота и средствами отсчета 10 и 11 соответственно источника и детектора, удлиненный узел 12. переменной длины, передающий вращение от механизма 3 к закрепленному на нем образцу С, кронштейн 13 крепления механизма поворота держателя образца к основанию.

Устройство работает следующим рб- разом.

При исследовании монокристаллов образец устанавливается в точку С пересечения- геометрических осей путем изменения длины узла 12, соединяющего образец с механизмом поворота держателя образца, затем образец, платформа 6, источни.к и детектор рентгеновских лучей с помощью мехаНизмов 3, 7 10 и 11 поворота и под контролем соответствующих средств отсчета углов устанавливаются так, что выполняются условия отражения для заданной кристаллографической плоское- ти. Сканирование осуществляется поворотом источника 8 и детектора 9. Средства BHemHeVo воздействия крепятся либо на основании 1 либо на креплении механизма поворота держателя 3 образца. Эти средства остаются неподвижными в процессе измерений и могут иметь любые подводки питания, охлаждения и т.п. Вследствие возможности неограниченного удаления механизма вращения держателя 3 от образца С теневая область может быть значительно

уменьшена, а расположение механизма

15 установки на нем: средств электромагнитного, магнитного, электрического, силового и температурного воздейст- : ВИЙ на образец, механизм поворота держателя образца вокруг оси, парал20 лельной основанию, закрепленный на основании посредством кронштейна, поворотную платформу, имеющую, возможность поворота вокруг вертикальной оси, смонтированные на этой платфорповорота 3с кронштейном 13 его крепления к основанию с одной стороны от оси поворота поворотной платформы обеспечивает возможность перемещения механизма 7 с закрепленными на нем источником и детектором рентгеновских лучей в широком интервале углов 25 ме источник и детектор рентгеновских при любых положениях детектора и ис- лучей, снабженные механизмами незаточника.

При исследовании поликристаллических образцов с плоской поверхностью,

30 тем что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспе- чения возможности исследования распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования поворота платформы 6, платформа noBo-jf структуры, фазового состава, тексту- рачивается так, чтобы ось совместного . ры, макро- и микроискажений поликристаллов, механизм поворота держателя образца смонтирован на основании.

например, в геометрии Брегга-Брента- но плоскость образца, установленная перпендикулярно оси вращения механизма держателя 3, с помощью удлинительного узла 12 совмещается с осью

висимого относительного и совместного поворота вокруг оси, параллельной основанию, отличающееся

поворота источника и детектора рентгеновских лучей располагалась под прямым углом к оси поворота держателя образца, при этом расстояния от точки С до источника и детектора должны быть равными. Сканирование дифракционных линий осуществляется поворотом детектора и источника навстречу один другому с одинаковой

держатель образца и кронштейн креп- 40 ления механизма поворота к основанию расположены по одну сторону от оси поворота поворотной платформы, а механизм поворота образца снабжен удлинительным узлом переменной длины, на 45 котором закреплен держатель образца.

Составитель Е. Сидохин Редактор Г. Волкова Техред М.Ходанич

Кор Под

1966/42 Тираж 777

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4,

скоростью. При этом отражение происходит от кристаллографических плоскостей, параллельных поверхности образ- -ца. Наклонная съемка при исследовании текстуры или макронапряжений осуществляется после поворота платформы 6 на нужный угол.

Фо.рмула изобретения

Устройство для рентгенографического исследования кристаллических веществ, включающее горизонтальное основание, вьшолненное с возможностью

установки на нем: средств электромагнитного, магнитного, электрического, силового и температурного воздейст- : ВИЙ на образец, механизм поворота держателя образца вокруг оси, паралельной основанию, закрепленный на основании посредством кронштейна, поворотную платформу, имеющую, возможность поворота вокруг вертикальной оси, смонтированные на этой платформе источник и детектор рентгеновских лучей, снабженные механизмами незаме источник и детектор рентгеновских лучей, снабженные механизмами независимого относительного и совместного поворота вокруг оси, параллельной основанию, отличающееся

держатель образца и кронштейн креп- ления механизма поворота к основанию расположены по одну сторону от оси поворота поворотной платформы, а механизм поворота образца снабжен удлинительным узлом переменной длины, на котором закреплен держатель образца.

Корректор О.Тигор Подписное

Изобретение относится к научному приборостроению, а именно к средствам рентгенографического исследования монокристаллов и поликристаллических веществ в условиях электро магнитного, сило вого и температурного воздействий. Цель изобретения состоит в расширении функциональных возможностей благодаря обеспечению исследования распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования структуры, фазового состава, текстуры, макро- и микроискажений поликристаллов .. Предлагаемое устройство выполнено в геометрии четы (Л