Легкоплавкое стекло Советский патент 1988 года по МПК C03C3/14 

оо ел сд

оо

00

113

Изобретение относится к составам легкоплавких оксидных ванадийборсо- держащт; стекол и может быть использовано в радиотехнической и электронной промьшшенности для защиты пассивных элементов интегральных схем, полученных на керамических подложках.

Цель изобретения - повьшение теплового коэффициента линейного распш- рения стекла для обеспечения его согласованности с керамической подложкой.

Составы стекол приведены в табл.1.

Физико-химические свойства стекол приведены в табл.2.

Шихта состоит из материалов квалификации ч и чда. Варку стекол осуществляют в корундизовых тиглях емкостью 0,05 дм в электрической печи с силитовыми нагревателями с выдержкой в течение 10 мин при максимально температуре варки (1273 К) до полного удаления газообразных продуктов и достижения гомогенизации расплава. Отливку готовой стекломассы произг водят на формовочную подложку. Стекл отжигают при 673 К в муфельной электрической печи в течение 60 мин.

(Использование описываемых стекол позволяет получить стекловидные пок

рытия в нейтральной среде из порошка стекла размером частиц, не превышающим 70 мкм, для защиты пассивных элементов интегральных схем, полученных на керамических подложках, температурным коэффициентом линейного расширения (60-78) в интервале температур 293-573 К, в частности для

защиты эанадиймедьникелевых структур на керамических подложках из керами- ки ВК 94-1 в среде нейтральных газов при температурах, не превышающих 1073 К.

Формула изобретения

Легкоплавкое стекло, содержащее VjOy, В,0з, ZnO, РЪО, отличающееся тем, что, с целью ,повьщ1е- ния теплового коэффициента линейного расширения для обеспечения его согласованности с керамической подлож- кой, оно дополнительно содержит ВаО при следующем соотношении компонентов, мас.%:

15,94 - 17,00 25,76 - 32,56 7,13 - 22,58. 19,56 - 20,87 14,18 - 26,8.7

V.05

В,0,

ZnO

PbO

ВаО

Изобретение относится к составам легкоплавких оксидных ванадийборсодержащих стекол и может быть использовано в радиотехнической и электронной промь.шшенности для защиты пассивных элементов интегральных схем, полученных на керамических подложках. С целью повьппения теплового коэффициента линейного расширения для обеспечения его согласованности с керамической подложкой стекло Содержит, мас.%: V Oj 15,94-17,00 , 25,76- 32,56; ZnO 7,13-22,58j PbO .19,56- 20,87, BaO 14,18-26,87. Температура варки 1273 К, температура отжига 673 К, температура начала размягчения 733-758 К, ТКЛР (в обл. 293-673 К) 62,9-79,9-10 К 2 табл. а

15,94 30,50 7,13 26,87 19,56

Таблица 1

17,00 32,56 15,23 14,34 20,87

Максимальная температура варки, К

Время вьщержки при максимальной температуре варки, мин

Температура отжига, К Время отжига, мин

Температура начала размягчения, К

Температурный коэффициент линейного расширения , (293-673 К)

Таблица2

1273

1273

1273

733

758

758

62,9 67,2

79,9