Устройство для нанесения полупроводникового слоя и подформовки анодов конденсаторов Советский патент 1988 года по МПК H01G13/00 

Изобретение относится к области производства радиоэлементов, в частности к оборудованию для производства оксидио-полупроводниковък конденсаторов .

Цель изобретения - повьшение производительности в работе и улучшение качества изделий за счет обеспечения переворота кассеты при перемещении ее конвейером в процессе обработки.

На фиг.1 изображена кинематическая схема предлагаемого устройства; на фиг,2 - кассета с анодами конденсаторов; на фиг.3 - разрез А-Л на фиг.2; и.а фиг. 4 - узел 1 на фиг , 3; на фиг. 5 и 6 схема поворота кассеты; на фиг.7-9 - фрагменты конс:труки 1и транспортирующего механизма; на фиг.10 - схема нанесения полупроводниковог о слоя на аноды кондрисаторов; на фиг.11 ванна подформовки с электродам ; на фиг, 12 - разрез Б-Б на фиг.11; на фиг, 13 - разрез В-В на фиг.11; на I. ;i .14 - rpaibnK злви имости напряж -- , i ОТ д гины электрода.

Ус т р о;- к: т во содер; шт транспортирующий механизм, содержаний вертикально лмкнуты конвейер 1 с кассетами 2.. а также liiiHHbi 3-6 пропитки, печи 7 и 8 пиролиза, установленные на гори- зо1 тальнЕ::х ветвлх конвейера 1, печи 9 и 10 пиролиза, уста говленные на- вертикальных ретвях конвейера, и ванны 11 подформовки,

Каж;т;ая кассета 2 выполнена в виде рамки, имеющей параллельные пазы 12 в боковых стенках 13 на которых ус- тчновлены направляющие планки 14. Иланки 14 снабжены осями 15, расположенными в V-образных пазах 16 звеньев 17 конвейера 1.

Электроды ванн 11 подформовки выполнены в виде ПОДВИЖНО1Т 16 и непо

действуя с копирами 20 поворачива- , ются на 180 для пропитки верхнего ряда анодов 23. По окончании пропитки обоих рядов анодов 23 кассеты 2 перемещаются конвейером 1 в вертикальную печь 9 пиролиза для разложения пропиточного раствора и формирования первого полупроводникового слоя, при этом вследствие стекания раствора на нижней части боковой поверхности анодов образуется утолщенный слой (, положение I),

При дальнейшем ДВИ;Ч-РНИИ конвейера кассеты 2 с анодами 23 попадают в следующие ванны 4 пропит П, гдг пропитываются поочередно с двух ciopo i и входят в горизонтальную печь 7 пиролиза, в которой формируется на анодах второй полупроводниковый слой, утолщенный к нижнему торцу анодов 23 (фиг. 10, положение II), По вьгхолу и печи 7 аноды 23 вновь поочередно пропитываются в ванне 5 и в вертикальной печи 10 формируется третий спои,

утолщенный в нижней (противополо)-ной / первому слою) части боковой поверхности анодов 23 (фиг,10, положение

III), Затем аналогичн ф-1 образом в печи 10 образуется на анодах 23 четнйр- тый слой, утолщенный к верхне;-1у торду

I анодов 23 вследствие стекания пропи- тсчного раствора (фиг.10, положение

IV). После нанесения последнего полупроводникового слоя аноды 23 попадают в ванны 11 подформоЕки, в которых при непрерывном движении поочередно с двух сторон происходил злект- рсхимическая тренировка (фиг.13); причем напря;кение подформовки возрастает до номинального (фиг.14) по мере приближения анодов 23 к подвижному электроду 18, изменение положения которого в ванне позволяет регулировать

Изобретение относится к радиотехнике. Устройство для нанесения полупровод1шкового слоя подформовки анодов конденсаторов содержит транспортирующий механизм в виде вертикально замкнутого конвейера (ВЗК) с кассетами 2, ванны 3-6 пропитки, печи. 7,8 пиролиза, установленные на горизонтальных ветвях ВЗК 1, и печи 9,10 пиролиза, установленные на его вертикальных ветвях, ванны 11 пофор- мовки. Каждая кассета вьшолнена в виде рамки с пазами в боковых стенках и направляющей планкой, взаимодействующей с плоскими копирами 20 транспортирующего механизма для поворота кассеты 2 в нужное положение в процессе работы. Устройство высокопроизводительно. 14 ил. с (Л

движной 19 пластин. Для поворота скорость нарастания напряжения и то- : .--т 2 установлены копиры 20, а а меска подформовки для различных типов и.зделий во избежание пробоя оксидной

ах nepf TOpoTa кассет

на нижней

1 установлены планки 21 .

Ус грп; с гво pa6i3T.:ieT следуюп1 1М образом,

Кассг-ы 2 с предвпрительно paat.ie- щенными в пазах 12 peujeTKaNDi 22 с - анодами 23 конденсаторов устанавливают 15 р 16 звеньев 17 конвейера 1, который перемещает их Р ванну 3 пропитки, 1..к;ле пропитки нижнего ряда анодов 23 кассе- ы 2 пе ремещаются конвейеров 1 и, зздимоскорость нарастания напряжения и то-

ка подформовки для различных типов и.зделий во избежание пробоя оксидной

пленки,

I

Последоватепьная обработка пропитанных анодов конденсаторол R двух горизонтальньтх и двух вертик;альньгх печах пиролиза исключает неравномерность нанесения noJrynpoBOAiniKiTBoro слоя, что позволяет улучиить качество изделий. 1Сроме того, пс1 евпрот кассеты позволяет использовать ее с друх сторон, что увеличичзет загрузку устройства и повышает его производительность ,

Формула изобретения Устройство для нанесения полупроводникового слоя и полформовки анодов конденсаторов, содержащее транспортирующий механизм в виде вертикально замкнутого конвейера с кассетами, ванны для рабочего раствора, установленные на верхней ветви конвейера и печи пиролиза, установленные на верхней и нижней ветвях конвейера, отличающееся тем, что, с целью повьшения производительности и улучшения качества изделий, оно снабжено дополнит ел ЬНЬЕМИ

/V

л

/5

А-А

iiUiiiiii

Фиг,3

печами пиролиза, установленными иа вертикальных ветвях конвейера и дополнительными ваннами для рабочего раствора, установленными на верхней и нижней ветвях конвейера попарно с основными ваннами с двух сторон каждой печи пиролиза по ходу перемещения конвейера, транспортируюпшй механизм снабжен плоскими копирами, установленными неподв11жно, а каждая кассета снабжена направляющей планкой, установленной с возможностью взаимодействия с плоскими копирами транспортирующего механизма.

Фиг.2

Ч

и U

г

ФигЛ

а S.

ЭЕ

л

7///////

7 26

12 Jtf

шм 77

ШЁ

/5

/

t

Щ|

/5

п / и -

///////77

S -Ql

)

VУХ

П7777777

/////////

17

/////////

/////7/77

Фиг.б

Фиг. 7

Ф

Фиг.

15

/

21

Фиг

Б

/

18

Фи519

хЧ

;;

13

л

18

Фиг. 11

/

. 9

Фиг12.

w

в-в

Фиг.1

Редактор Л. Гратилло

Составитель Г, Падучин

Техред л.Олийнык Корректор И, Муска

Заказ 2603/51

Тираж 746

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

W

9

jr

Фиг. Iff

Подписное