Способ определения начала кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава Советский патент 1990 года по МПК G01N25/04 

Описание патента на изобретение SU1589173A1

Изобретение относится к физико- химическому анализу и может быть использовано в химической промышленности пр.и получении кристаплов и эпитаксиальных слоев металлооксидов.

Целью изобретения является повышение точности и уменьшение времени определения при содержании твердой фазы в расплаве от 0,1 до 0,001 мас.%.

На чертеже изображено устройство для реализации предлагаемого способа.

Способ осуществляют следующим об- разом.

Расплавляют смесь окислов, перегревают расплав и охлаждают его со

скоростью 25-50- -С/ч. Одновременно измеряют температуру и электросопротивление на поверхности расплава периодически через 30-60 с и регистрируют временную зависимость температурного коэффициента электросопротивления, а о начале кристаллизации судят по изменению его величины в ,10-100 раз.

Устройство содержит блок 1 перемещений, измерительный электрод 2, циф- роврй фазовый модулятор 3, блок 4 управления, блок 5 фиксации температуры, блок 6 фиксации электросопротивления, блок 7 обработки информасл

с со

00

ции, блок 8 индикации, тигель 9с раствором-расплавом.

I Блок 1 перемещения содержит ре- BJepCHBHbift двигатель с ходовым винтом.

Цифровой фазовый модулятор 3 содержит генератор синусоидального сигнала преобразователь фазового сдвига, коммутатор и блок синхронизации, реверсивный счетчик, схему сравнения и задающее устройство.

Блок 4 управления содержит триггер Hi согласующий блок.

; Блок 5 фиксации температуры со- д|ержит коммутатор, аналого-цифровой Преобразователь и регистр памяти. Блок 6 фиксации электросопротивле- содержит счетчик импульсов, схе- МУ сравнения, задающее устройство, ёлок синхронизации,

Блок 7 обработки информации со держит вычислительное устройство типа Электроника ДЗ-28-, входящее в управляющую микросхему БУМС-001. / Блок 8 индикации содержит дисплей термопечатное устройство, схему звуковой сигнализации.

Момент начала кристаллизации определяют следующим образом.

При помощи блока 1 перемещений .измерительный электрод 3 переводят в режим периодического соприкосновения в центральной части тигля 9 с раствором-расплавом, куда в последующем вводят затравку.

При каждом касании расплава осуществляют измерение его температуры а электросопротивления, причем значение температуры получают в блоке 5 фиксации температуры, а значение электросопротивления, после преобразования в цифровом модуляторе 3 - В блоке 6 фиксации электросопротивления .

По величине скачка сопротивления в момент касания расплава в цифровом

0

5

л

Q

5

фазовом модуляторе 3 формируют сигнал для блока 4 управления, осуществляющего реверс двигателя блока 1 перемещений.

В блоке 7 обработки информации вычисляют величины изменения тем- пературы ДТ Т(-Т(.,) , где Т(, ,- значение температуры в момент времени t, Т - значение температуры в момент времени t(,., , и электросопротивления (|Л-г(-(;.л, а затем определяют величину их отно- щения 1 Г(.

Результаты измерения параметров и результаты их вычисления в табличной и графической форме выводятся на блок В индикации. Величину /3 в блоке 7 обработки .информации сравнивают с макс Р достижении кс включают звуковую сигнализацию. Этот момент фиксируют как начало кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава.

Формула из обретен И я

Способ определения начала кристаллизации при выращивании кристаллов ИЗ раствора-расплава окислов металлов, заключающийся в расплавлении смеси окислов, перегреве расплава и охлаждении его со скоростью 25-50 град/ч с одновременным измерением температуры и электросопротивления, о т- личающийся тем, что, с целью повьщ1ения точности и уменьще- ния времени определения при содержании твердой фазы в расплаве 0,01 - 0,001 мас.%, температуру и электросопротивление измеряют на поверхности расплава периодически через 30-60 с, регистрируют временную зависимость температурного коэффициента электро- сопротивления, а о начале кристаллизации судят по изменению его величины в 10-100 раз.

О

Похожие патенты SU1589173A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАЧАЛА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА-РАСПЛАВА 1992
  • Епифанов Юрий Михайлович[Ua]
  • Суздаль Виктор Семенович[Ua]
  • Гладкий Владимир Николаевич[Ua]
  • Бяло Виктор Данилович[Ua]
RU2039974C1
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ПОЛОЖЕНИЯ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В УСТАНОВКАХ ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО РЕГИСТРАЦИИ ПОЛОЖЕНИЯ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В УСТАНОВКАХ ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ 2005
  • Качалов Олег Викторович
  • Багдасаров Хачик Саакович
  • Мунчаев Анзор Ибрагимович
  • Раевский Владимир Леонидович
  • Семёнов Владимир Борисович
RU2289641C1
Способ выращивания монокристаллов CdZnTe, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа 2015
  • Быкова Светлана Викторовна
  • Голышев Владимир Дмитриевич
RU2633899C2
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПЛОЩАДИ ПОПЕРЕЧНОГО СЕЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫТЯГИВАНИЕМ ИЗ РАСПЛАВА 2013
  • Жданков Василий Николаевич
  • Касимкин Павел Викторович
  • Московских Виталий Анатольевич
RU2549411C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗУМРУДА 1993
  • Храненко Г.Г.
  • Вейс Н.С.
RU2061108C1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 2007
  • Гоник Михаил Александрович
  • Гоник Марк Михайлович
  • Кригер Виктор Александрович
  • Лобачев Владимир Александрович
  • Цветовский Владимир Борисович
RU2357023C1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ 2001
  • Курицын С.А.
  • Муратов Г.Д.
  • Халикеев М.К.
RU2203351C2
Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава 1988
  • Абрамов Александр Владимирович
  • Долганов Алексей Витальевич
  • Мизеров Михаил Николаевич
  • Селиверстов Олег Валентинович
  • Третьяков Дмитрий Николаевич
SU1543319A1
Устройство для измерения параметров кинетики кристаллизации 2019
  • Соловьев Александр Алексеевич
  • Таран Юлия Александровна
  • Ляшенко Евгений Юрьевич
  • Калинин Сергей Александрович
  • Соловьев Юрий Александрович
RU2708934C1
Устройство для выращивания профилированных монокристаллов 1981
  • Андреев Е.П.
  • Каплун Л.М.
  • Литвинов Л.А.
  • Пищик В.В.
SU1009117A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 589 173 A1

Реферат патента 1990 года Способ определения начала кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава

Изобретение относится к физико-химическому анализу, а именно к способам определения начала кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава. Цель изобретения - повышение точности и уменьшение времени определения при содержании твердой фазы в расплаве от 0,01 до 0,001 мас.% - достигается тем, что температуру и электросопротивление измеряют на поверхности расплава периодически через 30-60 с, регистрируют временную зависимость температурного коэффициента электросопротивления, а о начале кристаллизации судят по изменению его величины в 10-100 раз. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 589 173 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1990 года SU1589173A1

Способ определения температурынасыщения растворов 1974
  • Урсуляк Назар Дмитриевич
  • Илюшин Виктор Дмитриевич
  • Белицкий Анатолий Васильевич
  • Ковалевский Рюрик Елизарович
SU508727A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Коновалов О.М., Коновалова М.Я
Определение начала кристаллизации железо-иттриевого граната по электропроводимости расплавов.Харьков: ВНИИ монокристаллов
- Монокристаллы и техника, 1970, вып
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Выбрасывающий ячеистый аппарат для рядовых сеялок 1922
  • Лапинский(-Ая Б.
  • Лапинский(-Ая Ю.
SU21A1

SU 1 589 173 A1

Авторы

Воронов Алексей Петрович

Епифанов Юрий Михайлович

Космына Мирон Богданович

Некрасов Василий Владимирович

Суздаль Виктор Семенович

Даты

1990-08-30Публикация

1988-11-02Подача