СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ i -:-г.-у;луч':;,'• . .?!,•'•,. ..J I .1|,/Л Советский патент 1965 года по МПК C30B9/12 C30B29/32 

В известных способах выращивания монокристаллов слоистого титаната висмута кристаллизацией из раствора - расплава бинарной системы BiaOs-TiOa кристаллы Bi.jTisOia отделяют после кристаллизации всего расплава.

Описываемый способ отличается тем, что для увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик предлагается полученные кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.

По описываемому способу смесь исходных комшонентов (BigOa 78% и TiOa 22о/о) загружают Б платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством. После расплавления щихты расплав выдерживают в течение суток при 1200°С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1-2° в час до 900°С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации

Bi4Ti3Oi2. При 900°С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5-6 час для стекания с них остатков растворителя.

Кристаллы Bi4Ti.iOi2 могут быть подвергнуты отжигу при 600°С в том устройстве.

Отделение кристаллов сегнетоэлектрического соединения от расплава при температуре выше 865°С необходимо для предотвращения разъедания кристаллов и загрязнения их поверхностей примесью вследствие образования при 865°С несегнетоэлектрического инконгруэнтно плавящегося соединения BigTiO.

Предмет изобретения

15

Способ выращивания монокристаллов сегнетоэлектрических соединений, например Bi4Ti3Oi2, кристаллизацией из раствора в расплаве, отличающийся тем, что, с целью

увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик, полученные кристаллы основного соединения отделяют от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше темпефатуры образования ииконгруэнтно 1плавяЩИХ1СЯ юоединений.