Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в частности YBa2Cu3O7- δ.
Цель изобретения - улучшение сверхпроводящих свойств материала (Тс. = 90 К, ΔТс≅0,5 К) без удорожания процесса (т.е. без замены корундовых тиглей на платиновые).
Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов YBa2Cu3O7-δвключающем расплавление смеси оксида иттрия (III), меди (II) и бария (II) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм.
Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, указанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется возможностями аппаратуры.
П р и м е р. В коpундовые высокоплотные тигли помещают навеску массой 1000 г. В качестве исходных компонентов использовались ВаО "осч" Y2O3 "осч", CuO "чда", которые перемешивают при соотношении, мол.%: YO1,5 2-4 BaO 17,8-29 CuO 69-78.
В указанной области концентраций в приведенном ниже режиме росли наиболее крупные кристаллы (2-3) х (2-4) (0,1-0,07) мм3. Принадлежность кристаллов фазе YBa2Cu3O7-δ подтверждалась рентгенофазовым анализом. Тигель с шихтой помещался в печь электросопротивления. Синтез проводился в следующем режиме: нагревание со скоростью 50 град/ч до 1030оС, выдержка при Т = 1030оС в течение 1,5-3,0 ч при реверсивном вращении тигля. Охлаждение со скоростью 2 град/ч в интервале 1030-880оС, со скоростью 50 град/ч от 880 до 400оС и далее в режиме выключенной печи.
Монокристаллы освобождались от затвердевшего расплава выкалыванием и отжигались в условиях, приведенных в таблице.
Таким образом изменив по сравнению с прототипом условия отжига, удалось без замены корундовых тиглей на платиновые улучшить сверхпроводящие характеристики до уровня лучших на сегодняшний день образцов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА "123" | 2009 |
|
RU2434081C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ | 1990 |
|
SU1723847A1 |
СПОСОБ БЕЗТИГЕЛЬНОГО ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBaCuO | 1991 |
|
RU2038430C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | 2001 |
|
RU2182194C1 |
Изготовление градиентного керамического материала на основе YBCO с использованием плазменной обработки | 2022 |
|
RU2795949C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА | 1990 |
|
RU2010782C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ BISrCaCuO | 1993 |
|
RU2090665C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА MBaCuQ | 1996 |
|
RU2104939C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПОРОШКА СОЕДИНЕНИЯ ТИПА YBaCuO | 1990 |
|
SU1757360A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ПОРОШКА СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ КЕРАМИКИ | 1993 |
|
RU2050604C1 |
Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов YBa2Cu3O7-δ Использование: в области высокотемпературных сверхпроводников - ВТСП. Способ включает расплавление оксидов иттрия (III), меди (II) и бария (II) в корундовом тигле на воздухе, выдержку расплава и его охлаждение со скоростью 1 - 4 град/ч до затвердевания. Извлеченные кристаллы отжигают при 420 - 480°С в течение 24 - 72 ч под давлением кислорода величиной 3 - 4 атм. Полученные кристаллы имеют температуру сверхпроводящего перехода Tc= 90K и величину этого перехода ΔTc≅ 0,5K. Способ экономичен. 1 табл.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O7-δ, включающий расплавление смеси оксидов иттрия (III), меди (II) и бария (II) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1 - 4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и их отжиг, в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения сверхпроводящих свойств без удорожания процесса, отжиг кристаллов ведут под давлением кислорода величиной 3 - 4 атм.
P.Muller at.al | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Механическая топочная решетка с наклонными частью подвижными, частью неподвижными колосниковыми элементами | 1917 |
|
SU1988A1 |
Авторы
Даты
1995-03-20—Публикация
1990-04-27—Подача