СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИЭФИРНОГО МОНОВОЛОКНА Советский патент 1966 года по МПК D01D5/08 

Способ получения полиэфирного моноволокна на основе полиэтилентерефталата посредством формования с последующей двустадийной вытяжкой свежесформованного волокна известен.

С целью повышения прочности моноволокна, предлагается вытяжку проводить на первой стадии волочением при температуре выпле минимальной температуры кристаллизации полиэфира, например 95-100°С, и на второй стадии - между парой вытяжных дисков при температуре, равной или ниже минимальной температуры кристаллизации, например 70- . Вытяжку рекомендуется делать в водной среде.

Пример. Расплав нолиэтилентерефталата формуют в холодную воду через фильеру с диаметром отверстия 1 мм и при этом получают невытянутое волокно диаметром 0,4 мм. Свежесформованное моноволокно вытягивают в две ступени: сначала волочением через фильеру-волоку с диаметром отверстия 0,25 мм, погруженную в горячую воду (98°С), а затем обычным способом, в 1,6 раза при 88°С. Продолжительность пребывания нити в ванне до поступления ее в фильеру-волоку составляет 1,2 сек, кратность первой вытяжки 5,2. Готовое моноволокно имеет круглое сечение и следующие показатели: диаметр О,4 мм.

прочность 50,4 км разрывной длины, удлинение 6,8%,

Моноволокно, вытянутое в 5,5 раза в одну ступень обычным способом без волочения, имеет прочность 32,6 км разрывной длины при удлинении 8,2%.

Моноволокно, вытянутое в одну ступень волочением при оптимальной температуре 72°С, имеет прочность 40,3 км разрывной длины при удлинении 9,7% и не обладает способностью ко второй вытяжке.

Предмет изобретения

1.Способ получения полиэфирного моноволокна на основе полиэтилентерефталата посредством формования с последующей двустадийной вытяжкой свежесформованного волокна, отличающийся тем, что, с целью повыщения прочности моноволокна, вытяжку проводят на первой стадии волочением при температуре, выше минимальной температуры кристаллизации полиэфира, например 95-100°С, и на второй стадии - между парой вытял ных

дисков при температуре, равной или ниже минимальной температуры кристаллизации, нап-ример 70-95°С.