КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1968 года по МПК C04B35/40 

iB настоящее время для создания 1малогабаритных диэлектрических антенн и конденсаторов применяют различные керамические материалы, например материалы типа Т-150 на оснОВе CaTiOa с диэлектрической проницаемостью е 150, Т 80 на основе TiOj с е 80, СВТ на основе гитанатов стронция и висмута с 8 1000, ТК 20 на основе ZrTiOs с и др.

Для повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости керамический материал приготавливают, как правило, в виде механической смеси ряда химических соединений, .имеющих разные знаки температурного Коэффициента диэлектрической проницаемости (ТКе). Тем не менее, ТКе получаемых .керамических материалов с высоким е оказывается довольно большим ( ), а компенсация достигается лишь в ограниченном интервале температур (до liOO°C). Это в ряде случаев затрудняет использование керамического материала с высоким 8.

Известен керамический материал, включающий БаО, 263.

Предложенный керамический материал для повышения температурной стабильности и диэлектрической проницаемости содержит Та2О5 для обеспечения стежнометрического состава, соответствующего BaBiTaOf,.

Предложенный керамический материал может быть получен, например, следующим образом. Берут смесь, состоящую из 39,48 г карбоната бария (ВаСОз), 23,30 г окиси висмута (В12Оз), 22,09 г окиси тантала (), и тщательно ее перемешивают. Полученный порошок прессуют в брикеты, которые обжигают при температуре 750±30°С в течение 2 час.

Затем смеси тщательно измельчают, к полученному порошку добавляют органическое связующее вещество (выгорающее при последующем облсиге) и из порошка прессуют заготовки изделий необходимой формы и размеров. Эти заготовки обжигают при темпера туре 900±20°С в течение 1 час. В результате по.тучается механически прочный керамический материал с нулевой открытой пористостью.

Диэлектрическая проницаемость полученного материала при температуре 20°С равна 65 и мало изменяется до 350°С. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемосги ТКе в это интервале температур составляет 15- град.

Тангенс угла диэлектрических потерь, измеренный на частоте 300 Мгц, меньше и почти не изменяется до 350С. 3 Предмет .изобретения Керамический материал, включающий ВаО, В1йОг, отличающийся тем, что, с целью повы4шения температурной стабильности и диэлектрической проницаемости, ои содержит TagOs и отвечает стехиометрическому составу BaBiTaOg.